APM4542K
双通道增强型MOSFET （N和P通道）
特点
N沟道
30V/7A,
R
DS （ ON）
= 17mΩ （典型值） @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 22MΩ （典型值） @ V
GS
= 4.5V
引脚说明
D1
D1
D2
D2
P沟道
-30V/-5.5A,
R
DS （ ON）
= 35mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 51mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
S1
G1
S2
G2
SOP的顶视图
8
(8)
D1
(7)
D1
(3)
S2
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
(2)
G1
(4)
G2
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
S1
(1)
D2
(5)
D2
(6)
N沟道MOSFET P通道MOSFET
订购和标识信息
APM 4542
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM 4542 K：
APM 4542
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
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APM4542K
电气特性（续）
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM4542K
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
二极管的特性
V
SD
a
二极管的正向电压
b
I
SD
= 2A ，V
GS
=0V
I
SD
= -2.3A ，V
GS
=0V
N沟道
P沟道
0.7
-1.7
1.3
-1.3
V
动态特性
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
栅极电阻
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
N沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
Frequency=1.0MHz
P沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
N沟道
V
DD
= 15V ，R
L
=15,
I
DS
= 1A ，V
根
=10V,
R
G
=6
P沟道
V
DD
= -15V ，R
L
=15,
I
DS
= -1A ，V
根
=-10V,
R
G
=6
b
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
2
11
835
950
145
160
15
110
11
12
17
15
36
35
20
15
20
24
28
29
62
60
36
30
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
pF
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
笔记
:
:
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=7A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-5.5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
19
33
1.6
5
3.6
4
25
43
nC
一：脉冲测试;脉冲width≤300μs ，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
3
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