【APM4532K双通道增强型MOSFET （N和P通道）特点N沟道30V/5A,RDS （ ON）=】,IC型号APM4532KC-TUL,APM4532KC-TUL PDF资料,APM4532KC-TUL经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM4532K

双通道增强型MOSFET （N和P通道）

特点

N沟道

30V/5A,

R

DS （ ON）

= 35mΩ （典型值） @ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

=的60mΩ （典型值） @ V

GS

= 4.5V

引脚说明

D1

D1

D2

D2

P沟道

-30V/-3.5A,

R

DS （ ON）

= 85mΩ （典型值） @ V

GS

=-10V

R

DS （ ON）

= 135mΩ （典型值） @ V

GS

=-4.5V

S1

G1

S2

G2

SOP的顶视图

8

(8)

D1

(7)

D1

(3)

S2

超级高密度电池设计

可靠，坚固耐用

无铅可用（符合RoHS ）

(2)

G1

(4)

G2

应用

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统

S1

(1)

D2

(5)

D2

(6)

N沟道MOSFET P通道MOSFET

订购和标识信息

APM4532

无铅代码

处理代码

TEMP 。 RANGE

封装代码

封装代码

K： SOP - 8

工作结TEM页。范围

C： -55 ℃150℃

处理代码

TU ：管

TR ：带卷&

无铅代码

L：无铅设备空白：原始设备

XXXXX - 日期代码

APM4532 K：

APM4532

XXXXX

注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接

化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。

ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求

化在无铅峰值回流温度。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

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1

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APM4532K

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DM

*

I

S

*

T

J

T

英镑

P

D

*

R

θJA

*

注意：

*表面安装在1英寸

垫区域，叔

≤

10sec.

2

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

二极管连续正向电流

最高结温

存储温度范围

功耗

T

A

=25°C

T

A

=100°C

V

GS

=±10V

N沟道

30

±20

5

20

1.7

P沟道

-30

±20

-3.5

-14

-1.7

单位

V

A

A

°C

W

° C / W

150

-55到150

2

0.8

62.5

热阻，结到环境

电气特性

符号

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM4532K

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

静态特性

BV

DSS

漏源击穿

电压

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

GS

= 0V时，我

DS

=-250A

V

DS

=24V, V

GS

=0V

I

DSS

零栅压漏

当前

T

J

=85°C

V

DS

=-24V, V

GS

=0V

T

J

=85°C

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

GSS

栅极漏电流

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

DS

=V

GS

, I

DS

=-250A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=5A

R

DS （ ON）

a

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

30

-30

1

30

-1

-30

1

-1

1.5

-1.5

2

-2

±100

±100

35

85

60

135

45

95

70

150

V

A

V

nA

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= -10V ，我

DS

=-3.5A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=4A

V

GS

= -4.5V ，我

DS

=-2.5A

m

版权

茂达电子股份有限公司

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2

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APM4532K

电气特性（续）

符号

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM4532K

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

二极管的特性

V

SD

a

二极管的正向电压

b

I

SD

= 1.7A ，V

GS

=0V

I

SD

= -1.7A ，V

GS

=0V

N沟道

P沟道

0.7

-0.7

1.3

-1.3

V

动态特性

R

G

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

栅极电阻

V

GS

=0V,V

DS

=0V,F=1MHz

N沟道

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

Frequency=1.0MHz

P沟道

V

GS

=0V,

V

DS

=-25V,

N沟道

V

DD

= 15V ，R

L

=15,

I

DS

= 1A ，V

根

=10V,

R

G

=6

P沟道

V

DD

= -15V ，R

L

=15,

I

DS

= -1A ，V

根

=-10V,

R

G

=6

b

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

3

13

440

530

90

90

40

40

10

8

8

7

20

15

5

7

15

15

20

20

28

28

15

18

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

pF

ns

栅极电荷特性

Q

g

Q

gs

Q

gd

注意事项：

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

N沟道

V

DS

=15V, V

GS

=10V,

I

DS

=5A

P沟道

V

DS

=-15V, V

GS

=-10V,

I

DS

=-3.5A

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

12.6

8

4.7

2

1.1

1

17

12

nC

一：脉冲测试;脉冲width≤300

S，值班cycle≤2 ％。

B：由设计保证，不受生产测试。

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3

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APM4532K

典型特征

N沟道

功耗

2.5

6

漏电流

2.0

5

I

D

- 漏电流（ A）

T

A

=25 C

o

P

合计

- 功率（W ）

4

1.5

3

1.0

2

0.5

1

T

A

= 25℃ ，V

G

=10V

0

20

40

60

80

100 120 140 160

o

0.0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

T

j

- 结温（ ° C）

T

j

- 结温（ ° C）

安全工作区

归一化瞬态热阻

100

2

1

瞬态热阻抗

占空比= 0.5

0.2

I

D

- 漏电流（ A）

10

on

)L

im

it

Rd

s(

300

s

1ms

0.1

0.05

0.02

0.01

0.1

1

10ms

100ms

1s

0.01

单脉冲

安装在1英寸垫

o

R

θ

JA

： 62.5 C / W

2

0.1

DC

T

A

=25 C

0.01

0.01

0.1

O

1

10

100

1E-3

1E-4

1E-3

0.01

0.1

1

10 30

V

DS

- 漏极 - 源极电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

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APM4532K

典型特征（续）

N沟道

输出特性

20

18

16

V

GS

=5,6,7,8,9,10V

100

90

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

- 在 - 电阻（ m ）

80

70

60

50

40

30

20

10

V

GS

=10V

V

GS

=4.5V

I

D

- 漏电流（ A）

14

12

10

8

6

4

3V

2

0

0

1

2

3

4

5

4V

0

0

4

8

12

16

20

V

DS

- 漏源电压（ V）

I

D

- 漏电流（ A）

传输特性

20

18

16

栅极阈值电压

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-50 -25

I

DS

=250

Α

I

D

- 漏电流（ A）

14

12

10

8

6

4

2

0

0

1

2

3

4

5

6

T

j

=25 C

o

T

j

=125 C

T

j

=-55 C

o

o

归一化阈值电压

0

25

50

75

100 125 150

V

GS

- 门 - 源极电压（ V）

T

j

- 结温（ ° C）

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联系人：刘先生

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