【APM4463KP沟道增强型MOSFET特点-20V / -10A ，RDS （ ON）= 12mΩ】,IC型号APM4463KC-TUL,APM4463KC-TUL PDF资料,APM4463KC-TUL经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM4463K

P沟道增强型MOSFET

特点

-20V / -10A ，

R

DS （ ON）

= 12mΩ （典型值） @ V

GS

=-4.5V

R

DS （ ON）

= 18MΩ （典型值） @ V

GS

=-2.5V

引脚说明

D

D

D

D

S

S

S

G

超级高密度电池设计

可靠，坚固耐用

SOP- 8封装

无铅可用（符合RoHS ）

SOP的顶视图

8

(1, 2, 3)

S S S

应用

(4) G

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统

DD DD

(5, 6, 7, 8)

P沟道MOSFET

订购和标识信息

APM 4463

无铅代码

处理代码

TEM页。范围

封装代码

封装代码

K： SO P- 8

工作结TEM页。范围

C： -55 ℃150℃

处理代码

TR ：带卷&

无铅代码

L：无铅设备空白：O型riginal设备

XXXXX - 日期代码

APM 4463 K：

APM 4463

XXXXX

注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接

化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。

ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求

化在无铅峰值回流温度。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

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1

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APM4463K

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DM

*

I

S

*

T

J

T

英镑

P

D

*

R

θJA

*

注意：

*表面安装在1英寸

垫区域，叔

≤

10sec.

2

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

二极管连续正向电流

最高结温

存储温度范围

最大功率耗散

热阻，结到环境

T

A

=25°C

T

A

=100°C

V

GS

=-4.5V

等级

-20

±16

-10

-40

-2.3

150

-55到150

2

0.8

62.5

单位

V

A

A

°C

W

° C / W

电气特性

符号

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

测试条件

APM4463K

分钟。

-20

-1

-30

-0.7

-0.9

12

18

-0.7

5

4540

1100

810

40

40

170

90

60

60

270

150

-1.5

±100

17

25

-1.3

典型值。

马克斯。

单位

静态特性

BV

DSS

漏源击穿电压

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

V

SD

a

a

V

GS

= 0V时，我

DS

=-250A

V

DS

=-16V, V

GS

=0V

T

J

=85°C

V

DS

=V

GS

, I

DS

=-250A

V

GS

=±16V, V

DS

=0V

V

GS

= -4.5V ，我

DS

=-10A

V

GS

= -2.5V ，我

DS

=-8A

I

SD

= -2.3A ，V

GS

=0V

V

GS

=0V,V

DS

=0V,F=1MHz

V

GS

=0V,

V

DS

=-15V,

Frequency=1.0MHz

V

DD

= -10V ，R

L

=10,

I

DS

=-1A,V

根

=-4.5V,

R

G

=6

V

A

V

nA

m

V

pF

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

二极管的正向电压

b

动态特性

R

G

栅极电阻

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

ns

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2

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APM4463K

电气特性（续）

符号

参数

b

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM4463K

分钟。

典型值。

37

马克斯。

45

nC

测试条件

单位

栅极电荷特性

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

Q

gd

注意事项：

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

=-10V, V

GS

=-4.5V,

I

DS

=-10A

6.5

2.5

一：脉冲测试;脉冲width≤300

S，值班cycle≤2 ％。

B：由设计保证，不受生产测试。

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APM4463K

典型特征

功耗

2.5

12

漏电流

2.0

10

-I

D

- 漏电流（ A）

P

合计

- 功率（W ）

8

1.5

6

1.0

4

0.5

2

T

A

=25 C

0

20

40

60

80 100 120 140 160

o

0.0

0

T

A

= 25℃ ，V

G

=-4.5V

0

20

40

60

80

100 120 140 160

o

T

j

- 结温（ ° C）

T

j

- 结温（ ° C）

安全工作区

归一化瞬态热阻

100

it

瞬态热阻抗

2

1

占空比= 0.5

-I

D

- 漏电流（ A）

R

10

ds

(o

n)

L

im

0.2

10ms

0.1

0.1

0.05

0.02

1

100ms

1s

0.01

0.01

0.1

DC

T

A

=25 C

0.01

0.01

0.1

o

单脉冲

1

10

100

1E-3

1E-4

安装在1英寸垫

o

R

θ

JA

： 62.5 C / W

2

1E-3

0.01

0.1

1

10 30

-V

DS

- 漏极 - 源极电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

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APM4463K

典型特征（续）

输出特性

40

36

32

V

GS

= -3, -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V

漏源导通电阻

30

27

R

DS （ ON）

- 在 - 电阻（ m ）

24

21

18

15

12

9

6

3

V

GS

= -4.5V

V

GS

= -2.5V

-I

D

- 漏电流（ A）

28

24

20

16

12

8

4

0

0

1

2

3

4

5

-2V

0

0

5

10

15

20

25

30

35

40

-V

DS

- 漏极 - 源极电压（ V）

-I

D

- 漏电流（ A）

传输特性

40

35

30

1.75

1.50

栅极阈值电压

I

DS

= -250

Α

归一化阈值电压

-I

D

- 漏电流（ A）

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50 -25

25

20

15

10

T

j

=25 C

5

0

0.0

o

T

j

=125 C

o

T

j

=-55 C

o

0.5 1.0

1.5

2.0 2.5

3.0

3.5

4.0

0

25

50

75

100 125 150

-V

GS

- 门 - 源极电压（ V）

T

j

- 结温（ ° C）

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人：刘先生

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联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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23000

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