APM4461
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -7A ,R
DS ( ON)
= 25MΩ (典型值) @ V
GS
= -10V
R
DS ( ON)
= 35mΩ (典型值) @ V
GS
= -4.5V
R
DS ( ON)
= 55mΩ (典型值) @ V
GS
= -2.5V
引脚说明
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
超高密度电池设计
可靠,坚固耐用
SOP- 8封装
SO
8
S
S S
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
D D D D
G
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 4461
H A N D林克C 0 D E
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K: S 0 -8
P·Eラ蒂奥N·J加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C: -5 5月5日至一日0
°
C
H A N D林克C 0 D E
TR :磁带& 鳗鱼
AP M 4461克:
AP M 4461
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-20
±20
-7
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 2003年5月
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板,T
≤
10秒。