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APM4461
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -7A ,R
DS ( ON)
= 25MΩ (典型值) @ V
GS
= -10V
R
DS ( ON)
= 35mΩ (典型值) @ V
GS
= -4.5V
R
DS ( ON)
= 55mΩ (典型值) @ V
GS
= -2.5V
引脚说明
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
超高密度电池设计
可靠,坚固耐用
SOP- 8封装
SO
8
S
S S
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
D D D D
G
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 4461
H A N D林克C 0 D E
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K: S 0 -8
P·Eラ蒂奥N·J加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C: -5 5月5日至一日0
°
C
H A N D林克C 0 D E
TR :磁带& 鳗鱼
AP M 4461克:
AP M 4461
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-20
±20
-7
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 2003年5月
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板,T
10秒。
APM4461
绝对最大额定值(续)
符号
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
参数
最大漏极电流 - 脉冲
最大功率耗散
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
T
A
=25 C
T
A
=100 C
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-25
2.5
1.0
150
-55到150
50
单位
A
W
C
C
摄氏度/ W
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
a
V
SD
a
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM4461
分钟。
-20
-1
-0.6
25
35
55
-0.7
17.8
4
5.2
10
V
DD
= -10V ,我
DS
=-2A ,
V
= -4.5 V ,R
G
=0.2
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
Frequency=1.0MHz
15
32
15
1240
340
216
pF
15
20
26
25
ns
-1.5
±100
35
50
65
-1.3
21
nC
V
m[
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
漏源击穿电压V
GS
= 0V时,我
DS
=-250A
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
V
DS
=-24V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±20V , V
DS
=0V
V
GS
= -10V ,我
DS
=-7A
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-4A
V
GS
= -2.5V ,我
DS
=-2A
I
SD
= -2A ,V
GS
=0V
V
DS
=-10V , V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-2A
V
A
V
nA
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
笔记
a
b
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
:由设计保证,不受生产测试
:脉冲测试;脉冲宽度
为500μs ,占空比
2%
2
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版权
茂达电子股份有限公司
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APM4461
典型特征
输出特性
25
25
传输特性
-I
D
- 漏电流(A )
20
-V
GS
=3,4,5,6,7,8,9,10V
20
15
10
-V
GS
=2V
-I
D
- 漏电流(A )
T
J
=25°C
15
10
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
5
5
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
-V
DS
- 漏极至源极电压( V)
-V
GS
-Gate至源极电压( V)
阈值电压与结温
1.75
0.06
-I
DS
=250A
导通电阻与漏电流
-V
GS ( TH)
-threshold电压(V )
(归一化)
R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
-25
0
25
50
75
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
-V
GS
=4.5V
-V
GS
=10V
100 125 150
0
5
10
15
20
25
T
j
-Junction温度(℃ )
-I
DS
- 漏电流(A )
版权
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3
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APM4461
典型特征(续)
导通电阻与栅极至源极电压
0.30
-I
DS
=7A
上Resistaence与结温
1.8
-V
GS
=10V
-I
DS
=7A
R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
R
DS ( ON)
-on电阻(Ω)
(归一化)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-V
GSJ
-Gate至源极电压( V)
T
j
-Junction温度(℃ )
栅极电荷
10
1800
-V
DS
=10V
-I
DS
=2A
电容特性
Frequency=1MHz
-V
GS
-Gate至源极电压( V)
1600
1400
8
C-电容(pF )
西塞
1200
1000
800
600
400
200
科斯
CRSS
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0
5
10
15
20
Q
G
- 总栅极电荷( NC)
-V
DS
- 漏极至源极电压( V)
版权
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4
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APM4461
典型特征(续)
源极 - 漏极二极管正向电压
25
10
50
60
单脉冲功率
-I
S
- 源电流(A )
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C
功率(W)的
1.2
1.4
40
30
20
10
0
0.01
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
1
10
30
-V
SD
- 源漏极电压
时间(秒)
归瞬态热阻抗瞬态,结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
单脉冲
1.占空比D = T1 / T2
2.每单位基础= R
thJA
=50°C/W
3. T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
30
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 2003年5月
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APM4461KC-TR
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    -
    -
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    终端采购配单精选

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电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:李小姐
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ANPEC
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
APM4461KC-TR
ANPEC
21+22+
27000
SOP8
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
APM4461KC-TR
ANPEC
03+
7446
原装正品,支持实单
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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ANPEC茂达
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
APM4461KC-TR
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联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
APM4461KC-TR
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