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APM4435K
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -8A ，
R
DS （ ON）
= 16mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 24mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用（符合RoHS ）
SOP的顶视图
8
(1, 2, 3)
S S S
应用
(4) G
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
DD DD
(5, 6, 7, 8)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4435
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结点温度。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4435 K：
APM4435
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 六月， 2006年
1
www.anpec.com.tw
APM4435K
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=-10V
等级
-30
±25
-8
-30
-3
150
-55到150
2
0.8
62.5
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM4435K
分钟。
-30
-1
-30
-1
-1.5
16
24
-0.8
10
3200
560
250
16
V
DD
= -15V ，R
L
=15,
I
DS
= -1A ，V
根
=-10V,
R
G
=6,
17
75
31
2
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
A
=25°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ，我
DS
=-8A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-5A
I
SD
= -3A ，V
GS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
Frequency=1.0MHz
V
A
V
nA
m
V
pF
30
32
136
57
www.anpec.com.tw
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
-2
±100
20
30
-1.3
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
ns
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 六月， 2006年
APM4435K
电气特性（续）
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM4435K
分钟。
典型值。
48
马克斯。
60
nC
测试条件
单位
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
注意事项：
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-8A
10
9
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 六月， 2006年
3
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APM4435K
典型特征
功耗
2.5
10
漏电流
2.0
8
1.5
-I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
6
1.0
4
0.5
o
2
o
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
T
A
= 25℃ ，V
G
=-10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
瞬态热阻抗
2
1
占空比= 0.5
0.2
-I
D
- 漏电流（ A）
10
Rd
S（O
n)
LIM
it
1ms
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
10ms
1
100ms
1s
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 62.5 C / W
2
0.1
DC
T
A
=25 C
0.01
0.01
0.1
O
1
10
100
1E-3
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
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4
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APM4435K
典型特征（续）
输出特性
30
V
GS
= -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
漏源导通电阻
40
35
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
25
30
V
GS
= -4.5V
25
20
V
GS
= -10V
15
10
5
0
-I
D
- 漏电流（ A）
20
V
GS
= -3V
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
30
2.0
1.8
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
归一化阈值电压
5
25
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-I
D
- 漏电流（ A）
20
15
T
j
=125 C
T
j
=-55 C
o
o
10
5
T
j
=25 C
o
0
0
1
2
3
4
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
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5
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