APM4430
N沟道增强型MOSFET
特点
30V / 23A ，R
DS （ ON）
= 4.5mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 7MΩ （典型值） @ V
GS
=5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
4
3
2
1
5
6
7
8
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
SO
8
订购和标识信息
APM 4430
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
K： S 0 -8
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
APM 4430 K：
APM 4430
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
30
V
±20
23
A
± 60
单位
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
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牧师A.1 - 10月2001
1
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APM4430
绝对最大额定值
符号
P
D
T
J
T
英镑
R
thJA
参数
最大功率耗散*
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
1.6
W
0.625
150
°C
-55到150
80
° C / W
单位
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
漏源击穿
I
DSS
零栅极电压漏极电流
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM4430
分钟。典型值。马克斯。
单位
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
VDS = 24V ， VGS = 0V ， T J = 55°C
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=23A
V
GS
= 5V ，我
D
=17A
I
S
= 6A ，V
GS
=0V
30
1
5
1
3
V
A
A
V
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
±100 nA的
4.5
7
0.6
5
8
1.1
m
V
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0V
V
DS
=15V
Frequency=1.0MHz
2
V
DS
=15V, V
GS
=4.5V,
I
D
=23A
40
17
14
30
55
nC
nC
nC
45
24
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
DD
= 15V ，我
D
=1A,
V
根
= 10V ，R
G
=0.2
16
100 150
55
4800
900
320
70
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APM4430
典型特征
输出特性
80
70
V
GS
=5,6,7,8,9,10V
V
GS
=4.5V
V
GS
=4V
传输特性
60
48
36
T
J
=25°C
I
D
- 漏电流（A ）
60
50
40
30
20
10
I
D
- 漏电流（A ）
24
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
12
0
1.0
V
GS
=3V
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
-Gate至源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
=250uA
导通电阻与漏电流
0.010
R
DS
（上） -On -电阻（Ω）
0.2
V
GS （ TH）
-Variance （ V）
0.008
0.006
V
GS
=5V
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
V
GS
=10V
0.004
0.002
0.000
0
10
20
30
40
50
60
T
J
-Junction温度（℃ ）
I
D
- 漏电流（A ）
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典型特征
导通电阻与栅极至源极电压
0.016
I
D
=23A
导通电阻与结温
0.008
V
GS
=10V
I
D
= 23A
R
DS
（上） -On电阻（Ω）
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0
2
4
6
8
10
R
DS
（上） -On电阻（Ω）
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0.000
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
V
GS
-Gate至源极电压（ V）
T
J
-Junction温度（℃ ）
导通电阻与结温
1.8
栅极电荷
10
V
DS
=15V
I
D
= 23A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
25 50
75 100 125 150
R
DS
（上） -On -电阻（Ω）
（归一化）
V
GS
=10V
I
D
= 23A
8
6
4
2
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
0
T
J
-Junction温度（℃ ）
Q
G
-Gate费（ NC）
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