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APM4350KP
N沟道增强型MOSFET
特点
30V/60A,
R
DS （ ON）
= 7.5mΩ （典型值） @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 11.5mΩ （典型值） @ V
GS
= 4.5V
引脚说明
D
D
D
D
S
S
S
G
超级高密度电池设计
额定雪崩
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
DD D D
应用
在笔记本电脑的电源管理，或
Decktop电脑。
G
S S S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4350
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
KP ： KPAK
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4350 KP ：
APM4350
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料的板终止完成100％雾;哪
完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。 ANPEC
无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月， 2006年
1
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APM4350KP
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
I
DP
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
300μS脉冲漏极电流测试
T
C
=25
°
C
T
C
=25
°
C
T
C
=100°C
等级
30
±20
150
-55到150
50
140
80
60
35
50
20
2.5
T
A
=25
°
C
T
A
=100°C
T
A
=25
°
C
T
A
=100°C
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
°C
°
C
A
A
安装在大型散热片
I
D
P
D
R
θJC
连续漏电流
T
C
=25
°
C
T
C
=100°C
最大功率耗散
热阻，结到管壳
2
A
T
C
=25
°
C
T
C
=100°C
W
° C / W
安装在印刷电路板1英寸垫面积
I
D
P
D
R
θJA
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25
°
C
T
A
=100°°C
P
D
R
θJA
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25
°
C
T
A
=100°C
13.5
8.5
2.5
1
50
10
6
1.5
0.5
75
W
° C / W
W
° C / W
A
安装在PCB上最小的足迹
I
D
连续漏电流
A
版权
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2
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APM4350KP
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM4350KP
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
j
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=30A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=15A
I
SD
= 15A ，V
GS
=0V
I
DS
= 15A ， DL
SD
/dt=100A/s
30
1
30
1.3
1.8
7.5
11.5
2.5
±100
9
14.5
V
A
V
nA
m
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的特性
V
SD
t
rr
QRR
a
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
b
0.75
11
3
1.1
V
ns
nC
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
b
28
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=30A
4
9
39
nC
栅极 - 源电荷
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
注意：
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
1.6
1660
260
170
18
33
28
86
41
15
47
22
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15V ，R
L
=15,
I
DS
= 1A ，V
根
=10V,
R
G
=6
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
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3
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APM4350KP
典型特征
功耗
60
漏电流
70
60
50
P
合计
- 功率（W ）
40
I
D
- 漏电流（ A）
50
40
30
20
10
30
20
10
T
C
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
0
0
T
C
= 25℃ ，V
G
=10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
400
2
1
瞬态热阻抗
100
I
D
- 漏电流（ A）
n)
S（O
Rd
it
LIM
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.05
1ms
10ms
100ms
1s
DC
10
0.1
0.02
0.01
1
T
C
=25 C
0.1
0.1
o
单脉冲
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 50℃ / W
2
1
10
80
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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APM4350KP
典型特征（续）
输出特性
120
V
GS
= 6,7,8,9,10V
5.5V
100
4.5V
5V
漏源导通电阻
20
18
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
16
14
12
10
8
6
4
V
GS
=4.5V
I
D
- 漏电流（ A）
80
60
4V
40
3.5V
20
3V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
=10V
2
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏源电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
栅极 - 源极导通电阻
18
I
D
=30A
16
栅极阈值电压
1.8
1.6
I
DS
=250
A
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
归一化阈值电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
14
12
10
8
6
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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