【APM4230KN沟道增强型MOSFET特点25V/13.5A,RDS （ ON）= 6MΩ （典型】,IC型号APM4230KC-TUL,APM4230KC-TUL PDF资料,APM4230KC-TUL经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM4230K

N沟道增强型MOSFET

特点

25V/13.5A,

R

DS （ ON）

= 6MΩ （典型值） @ V

GS

=10V

R

DS （ ON）

= 7.5mΩ （典型值） @ V

GS

=4.5V

超级高密度电池设计

额定雪崩

可靠，坚固耐用

SOP- 8封装

无铅可用（符合RoHS ）

引脚说明

D

D

D

D

S

S

S

G

SOP的顶视图

8

( 5,6,7,8 )

D D DD

应用

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统

S S S

(1, 2, 3)

(4)

G

N沟道MOSFET

订购和标识信息

APM 4230

无铅代码

处理代码

TEM页。范围

封装代码

封装代码

K： SO P- 8

操作摄像结TEM页。范围

C： -55 ℃150℃

处理代码

TU ：管

TR ：带卷&

无铅代码

L：无铅冰开发空白：原创开发的冰

XXXXX - 日期代码

APM 4230 K：

APM 4230

XXXXX

注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接

化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。

ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求

化在无铅峰值回流温度。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

牧师B.1 - 四月， 2005年

1

www.anpec.com.tw

APM4230K

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DM

*

I

S

*

T

J

T

英镑

P

D

*

R

θJA

*

注意：

*表面安装在1英寸

垫区域，叔

≤

10sec.

2

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

300μS脉冲漏电流

二极管连续正向电流

最高结温

存储温度范围

最大功率耗散

热阻，结到环境

T

A

=25°C

T

A

=100°C

V

GS

=10V

等级

25

±20

13.5

55

3

150

-55到150

2

0.8

62.5

单位

V

A

A

°C

W

° C / W

电气特性

符号

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM4230K

分钟。

典型值。

马克斯。

45

25

1

30

1.3

1.8

6

7.5

9.5

0.7

29

V

DS

=10V, V

GS

=4.5V,

I

DS

=16A

3.6

12

2.5

±100

7.5

10

m

13

1.3

40

nC

V

测试条件

单位

漏源雪崩额定值

E

AS

雪崩能量，单脉冲

静态特性

BV

DSS

漏源击穿电压

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

I

D

= 20A ，V

DD

=15V

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=20V, V

GS

=0V

T

J

=85°C

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=13.5A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=10A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=10A,

T

J

=125°C

mJ

V

A

V

nA

R

DS （ ON）

a

漏源导通电阻

V

SD

a

二极管的正向电压

b

I

SD

= 1A ，V

GS

=0V

栅极电荷特性

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

Q

gd

栅极 - 漏极电荷

栅极 - 源电荷

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2

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APM4230K

电气特性（续）

符号

参数

b

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM4230K

分钟。

典型值。

2.3

3300

1180

790

15

28

24

170

75

ns

13

122

53

pF

马克斯。

测试条件

单位

动态特性

R

G

栅极电阻

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

注意事项：

V

GS

=0V,V

DS

=0V,F=1MHz

V

GS

=0V,

V

DS

=15V,

Frequency=1.0MHz

V

DD

= 15V ，R

L

=15,

I

DS

= 1A ，V

根

=10V,

R

G

=6

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

一：脉冲测试;脉冲width≤300

S，值班cycle≤2 ％。

B：由设计保证，不受生产测试。

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APM4230K

典型特征

功耗

2.5

15

漏电流

2.0

12

1.5

I

D

- 漏电流（ A）

P

合计

- 功率（W ）

9

1.0

6

0.5

3

o

o

0.0

T

A

=25 C

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

T

A

= 25℃ ，V

G

=10V

0

20

40

60

80

100 120 140 160

T

j

- 结温（ ° C）

T

j

- 结温（ ° C）

安全工作区

归瞬态热Resistacne

100

2

1

瞬态热阻抗

it

I

D

- 漏电流（ A）

Rd

10

on

)L

300

s

1ms

s(

im

占空比= 0.5

0.2

10ms

0.1

0.05

0.02

0.01

0.1

1

100ms

1s

0.01

单脉冲

0.1

DC

0.01

0.01

T

A

=25 C

0.1

1

10

100

o

1E-3

1E-4

安装在1英寸垫

o

R

θ

JA

： 62.5 C / W

2

1E-3

0.01

0.1

1

10 30

V

DS

- 漏源电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

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APM4230K

典型特征（续）

输出特性

60

V

GS

= 4,5,6,7,8,9,10V

3V

14

12

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

- 在 - 电阻（ m ）

50

I

D

- 漏电流（ A）

10

8

6

4

2

0

V

GS

=10V

V

GS

=4.5V

40

30

20

2.5V

10

2V

0

0

2

4

6

8

10

0

10

20

30

40

50

60

V

DS

- 漏源电压（ V）

I

D

- 漏电流（ A）

传输特性

60

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

栅极阈值电压

I

DS

=250

A

50

40

30

T

j

=125 C

o

20

T

j

=25 C

10

o

T

j

=-55 C

o

归一化阈值电压

I

D

- 漏电流（ A）

0

0

1

2

3

4

0.0

-50 -25

0

25

50

75

100 125 150

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

j

- 结温（ ° C）

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联系人：刘先生

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