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APM3195PD
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V/-2A,
R
DS （ ON）
= 230mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 385mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图SOT- 89
(3)
S
应用
开关稳压器
开关转换器
(1)
G
D
(2)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
永磁3195P
L E A D楼Re式C D E
H A N D林克C 0 D E
TEM页。范围
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
D： S 0牛逼-8 9
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：T已猿& 鳗鱼
L E A D楼Re式C D E
1：1 EAD F稀土 EV IC式B LA NK ：在人 EV IC ê 钻机
一个下午3195P D：
一个PM 3195
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM3195PD
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-30
±20
-2
V
GS
=-10V
-10
-1
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
1.47
0.58
85
W
° C / W
A
°C
V
A
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
功率消耗单操作
热阻，结到环境
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
测试条件
APM3195PD
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=-2A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=-1.4A
I
SD
= -0.5A ，V
GS
=0V
-30
-1
-30
-1
-1.5
230
385
-0.8
-2
±100
300
500
-1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
8
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-2A
2
1
10
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
2
www.anpec.com.tw
APM3195PD
电气特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
b
测试条件
APM3195PD
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
Frequency=1.0MHz
11
510
70
40
10
20
20
50
15
8
25
5
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= -15V ，R
L
=15,
I
DS
= -1A ，V
根
=-10V,
R
G
=6
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
3
www.anpec.com.tw
APM3195PD
典型特征
功耗
1.6
1.4
2.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
漏电流
2.5
-I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
1.5
1.0
0.5
o
0.0
T
A
= 25℃ ，V
G
=-10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温
安全工作区
归一化瞬态热阻
30
10
it
瞬态热阻抗
2
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
-I
D
- 漏电流（ A）
R
ds
(o
n)
L
im
1
300
s
1ms
10ms
0.1
100ms
1s
DC
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
85 C / W
2
0.01
0.1
T
A
=25 C
1
10
100
o
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
4
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APM3195PD
典型特征（续）
输出特性
10
9
8
V
GS
= -6,-7,-8,-9,-10V
700
-5V
800
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
600
500
400
300
200
100
0
V
GS
=-4.5V
-I
D
- 漏电流（ A）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
-3V
-4V
V
GS
=-10V
0
2
4
6
8
10
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
10
9
8
1.8
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
1.6
归一化阈值电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
-I
D
- 漏电流（ A）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
T
j
=-55 C
T
j
=125 C
o
o
T
j
=25 C
o
2
3
4
5
6
7
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
5
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
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地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
APM3195PDC-TRL
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
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APM3195PDC-TRL
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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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电话：0755-8322-5385 8277-7362
联系人：李先生
地址：深圳市福田区华富街道上步工业区501栋8楼808室
APM3195PDC-TRL
QUANTUM
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35750
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