APM3095PU
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V/-8A,
R
DS ( ON)
= 95mΩ (典型值) @ V
GS
=-10V
R
DS ( ON)
= 140mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
顶视图TO- 252
S
应用
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器
G
D
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM3095P
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
U: TO- 252
工作结点温度。范围
C: -55 150
°
C
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM3095P U:
APM3095P
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料和100 %雾锡板终止完成;
这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL无铅要求
在无铅峰值回流温度分类。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
1
www.anpec.com.tw
APM3095PU
典型特征
功耗
60
10
漏电流
50
8
40
-I
D
- 漏电流( A)
P
合计
- 功率(W )
6
30
4
20
10
T
C
=25 C
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
o
2
o
0
0
T
C
= 25℃ ,V
G
=-10V
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
-I
D
- 漏电流( A)
10
n)
S(O
Rd
it
LIM
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
1E-4
2
300us
1
1ms
10ms
100ms
1s
0.1
DC
0.01
0.1
T
C
=25 C
1
10
100
o
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
: 50℃ / W
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
4
www.anpec.com.tw