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APM3095PU
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V/-8A,
R
DS ( ON)
= 95mΩ (典型值) @ V
GS
=-10V
R
DS ( ON)
= 140mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
顶视图TO- 252
S
应用
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器
G
D
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM3095P
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
U: TO- 252
工作结点温度。范围
C: -55 150
°
C
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM3095P U:
APM3095P
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料和100 %雾锡板终止完成;
这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL无铅要求
在无铅峰值回流温度分类。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
1
www.anpec.com.tw
APM3095PU
绝对最大额定值
符号
通用等级(T
A
= 25°C)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
-30
±25
150
-55到150
-2.5
-20
-10
-8
-4
50
20
2.5
W
° C / W
V
°C
°C
A
参数
等级
单位
安装在大型散热片
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JC
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻,结到管壳
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
A
A
安装在印刷电路板1英寸的
2
垫区
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JA
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻,结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
-20
-10
-4
-2
2.5
1
50
-20
-10
-3
-2
1.6
0.6
75
W
° C / W
W
° C / W
A
A
安装在PCB上最小的足迹
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JA
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻,结到环境
A
A
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
2
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APM3095PU
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
V
GS
= 0V时,我
DS
=-250A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250
A
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ,我
DS
=-6A
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-3A
I
SD
= -2.5A ,V
GS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
Frequency=1.0MHz
95
140
-1
-1.5
-30
-1
-30
-2
±100
110
160
V
A
V
nA
m
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM3095PU
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
R
DS ( ON)一
漏源导通电阻
二极管的特性
V
SDA
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项:
二极管的正向电压
-0.7
-1.3
V
pF
pF
pF
动态特性
b
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= -15V ,R
L
=15,
I
DS
= -1A ,V
=-10V,
R
G
=6
13
550
120
75
10
8
25
5
20
20
50
15
ns
ns
ns
ns
栅极电荷特性
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
一:脉冲测试;脉冲width≤300
S,值班cycle≤2 % 。
B:由设计保证,不受生产测试。
10
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-6A
2
1.2
13
nC
nC
nC
版权
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3
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APM3095PU
典型特征
功耗
60
10
漏电流
50
8
40
-I
D
- 漏电流( A)
P
合计
- 功率(W )
6
30
4
20
10
T
C
=25 C
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
o
2
o
0
0
T
C
= 25℃ ,V
G
=-10V
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
-I
D
- 漏电流( A)
10
n)
S(O
Rd
it
LIM
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
1E-4
2
300us
1
1ms
10ms
100ms
1s
0.1
DC
0.01
0.1
T
C
=25 C
1
10
100
o
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
: 50℃ / W
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
版权
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4
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APM3095PU
典型特征(续)
输出特性
20
18
16
V
GS
=-7,-8,-9,-10V
200
180
V
GS
=-4.5V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
-6V
-I
D
- 漏电流( A)
14
-5V
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
-3V
-4V
160
140
120
100
80
60
0
4
8
12
16
20
V
GS
=-10V
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
-I
D
- 漏电流( A)
传输特性
20
18
16
1.6
栅极阈值电压
I
DS
=-250
A
归一化的阈值Vlotage
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
-I
D
- 漏电流( A)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
T
j
=25 C
o
T
j
=125 C
T
j
=-55 C
o
o
2
3
4
5
6
0
25
50
75 100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
版权
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    -
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联系人:陈泽强
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APM3095PUC-TU
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30475
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
APM3095PUC-TU
茂达
21+
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
APM3095PUC-TU
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66666
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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