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APM3054N
N沟道增强型MOSFET
特点
30V / 15A ，R
DS （ ON）
= 48mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 75mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
超级高密度电池设计
高功率和电流处理能力
TO- 252和SOT- 223封装
引脚说明
1
2
3
1
2
3
G
D
S
G
D
S
顶视图TO- 252
SOT- 223的俯视图
应用
1
2
3
开关稳压器
开关转换器
G
D
S
顶视图SOT- 89
订购和标识信息
一个P M 3 054
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
C组颂歌
C组颂歌
D： S 0牛逼-8 9
U： T O服务-2 5 2
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5二月五日至一日5
°
C
H A N D林克C 0 D E
TR ：磁带& 鳗鱼
V ： S 0牛逼-2 2 3
AP M 3054N U：
AP M 3054N
XXXXX
XXXXX
- D上TE C 0 D E
一个P M 3 0 5 4 N D / V ：
AP M 3054N
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
30
±20
15
30
8
单位
V
A
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
二极管连续正向电流
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 八月， 2002年
1
www.anpec.com.tw
APM3054N
绝对最大额定值（续）
符号
I
SM
参数
二极管的最大脉冲电流
TO-252
T
A
=25°C
P
D
最大功率耗散
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
最高结温
存储温度范围
SOT-223
TO-252
SOT-223
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
32
62.5
W
3
25
W
1.2
150
-55到150
°C
°C
单位
A
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM3054N
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=12A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=6A
I
SD
= 8A ，V
GS
=0V
30
1
1
3
±100
48
75
0.6
54
90
1.3
V
A
V
nA
m
V
9
V
DS
=15V, V
GS
=5V,
I
DS
=10A
5.4
2.4
11
V
DD
=15V,I
D
=2A,
V
GS
= 10V ，R
G
=6
17
37
20
V
GS
=0V
V
DS
=25V
Frequency=1.0MHz
400
75
45
www.anpec.com.tw
nC
ns
pF
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 八月， 2002年
2
APM3054N
典型特征
输出特性
20
V
GS
=6,7,8,9,10V
传输特性
25
T
J
=-55°C
I
D
- 漏电流（A ）
15
V
GS
=5V
I
D-
漏电流（ A）
20
T
J
=25°C
T
J
=125°C
15
10
10
V
GS
=4V
5
V
GS
=3V
5
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与温度的关系
1.2
0.12
I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（ Normalzed ）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
R
DS
（上） -On -电阻（Ω）
0.10
V
GS
=4.5V
0.08
0.06
V
GS
=10V
0.04
0.02
0.00
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
TJ - 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 八月， 2002年
3
www.anpec.com.tw
APM3054N
典型特征
导通电阻与栅极至源极电压
0.35
I
D
=6A
导通电阻与结温
0.10
V
GS
=10V
R
DS
（上） -On -电阻（Ω）
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
R
DS
（上） -On -电阻（Ω）
（归一化）
0.09
I
D
=12A
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
导通电阻与结温
0.10
栅极电荷
10
V
DS
=15V
I
DS
=10A
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
R
DS
（上） -On -电阻（Ω）
V
GS
=10V
0.09
I
DS
=12A
8
6
4
2
0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
T
J
- 结温（ ° C）
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
版权
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A.2牧师 - 八月， 2002年
4
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APM3054N
典型特征
电容
750
625
源极 - 漏极二极管正向电压
30
I
S
- 源电流（A ）
电容（pF）
500
西塞
375
250
125
0
10
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
30
T
J
=150°C
T
J
=25°C
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
单脉冲功率
TO-252
单脉冲功率
SOT-223
250
140
120
200
100
功率（W）的
150
功率（W）的
80
60
40
100
50
20
0
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
时间（秒）
时间（秒）
版权
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5
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AM5T-4824S-N
AS8696-B
AM3T-0505S-N
AM29834DM
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AM95C96
ADT7467ARQ-REEL7
ASM5I2308A-5H-16-ST
ADC5246
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