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APM3040ND
N沟道增强型MOSFET
特点
30V/3A,
R
DS （ ON）
= 31mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 35mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 55mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图SOT- 89
(2)
D
应用
(1)
G
开关稳压器
开关转换器
S
(3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
永磁3040N
L E A D楼Re式C D E
H A N D林克C 0 D E
TEM页。范围
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
D： S 0牛逼-89
P·E·R锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： - 5月5日至5月1日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：磁带& 鳗鱼
L E A D楼Re式C D E
1：1 EAD楼Re E D EV IC式B LA NK ：在人 EV IC ê 钻机
一个下午3040N D：
永磁3040N
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM3040ND
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
功率消耗单操作
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=10V
等级
30
±12
3
12
1
150
-55到150
1.47
0.58
85
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM3040ND
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=3A
30
1
30
0.6
0.75
31
35
55
0.7
1.5
±100
40
50
70
1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=1.5A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=0.5A
I
SD
= 0.5A ，V
GS
=0V
二极管的正向电压
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
18
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=3A
2.5
2
23
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
2
www.anpec.com.tw
APM3040ND
电气特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
b
测试条件
APM3040ND
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
V
GS
=0, V
DS
= 0中，f = 1MHz的
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
Frequency=1.0MHz
1.5
430
80
40
11
21
32
68
38
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15V ，R
L
=15,
I
DS
= 1A ，V
根
=10V,
R
G
=6
17
37
20
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
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3
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APM3040ND
典型特征
功耗
1.6
1.4
1.2
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
漏电流
P
合计
- 功率（W ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
I
D
- 漏电流（ A）
0.0
T
A
= 25℃ ，V
G
=10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
o
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温
安全工作区
归一化瞬态热阻
30
10
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
I
D
- 漏电流（ A）
im
it
Rd
s(
on
)L
300
s
1ms
1
10ms
100ms
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
1s
DC
0.01
单脉冲
0.01
0.01
T
A
=25 C
o
0.1
1
10
100
1E-3
1E-4 1E-3 0.01
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
85 C / W
2
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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APM3040ND
典型特征（续）
输出特性
12
V
GS
= 3,4,5,6,7,8,9,10V
2V
75
90
漏源导通电阻
10
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
I
D
- 漏电流（ A）
8
60
V
GS
=2.5V
6
45
V
GS
=4.5V
30
V
GS
=10V
4
1.5V
2
15
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
12
栅极阈值电压
1.8
1.6
I
DS
=250
A
归一化阈值电压
3.0
10
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
I
D
- 漏电流（ A）
8
6
T
j
=125 C
o
o
4
2
T
j
=25 C
T
j
=-55 C
o
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
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5
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APM3040NDC-TRL
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