APM3020P
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -11A ，R
DS （ ON）
= 17mΩ （典型值） @ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 24mΩ （典型值） @ V
GS
= -5V
超高密度电池设计
可靠，坚固耐用
TO- 252封装
引脚说明
G
D
S
应用
顶视图TO- 252
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
订购和标识信息
APM 3020P
H A N D林克C 0 D E
率T e M·P 。 R A NG é
P是C嘉克式C D E
P ackage 颂歌
U： T O服务-2 5 2
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5二月五日至一日5℃
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
APM 3020P U：
APM 3020P
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
P
D
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-30
±20
-40
-70
50
20
单位
V
A
W
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25 C
T
A
=100 C
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2002年7月
1
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APM3020P
典型特征连拍。
源极 - 漏极二极管正向电压
50
单脉冲功率
3000
2500
2000
10
-I
SD
- 源电流（A ）
功率（W）的
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C
1500
1000
500
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
0
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
-V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗瞬态，结到环境
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
D=0.2
0 .1
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
单脉冲
1.占空比D = T1 / T2
2.每单位基础= R
thJA
=50°C/W
3. T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
0 .0 1
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2002年7月
5
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APM3020PU
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V/-30A,
R
DS （ ON）
= 17mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 24mΩ （典型值） @ V
GS
=-5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图TO- 252
S
应用
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器
G
D
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM3020P
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
U： TO- 252
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM3020P U：
APM3020P
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料和100 ％雾锡板终止完成;
这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL无铅要求
在无铅峰值回流温度分类。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
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启示录B.2 - 2005年10月
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APM3020PU
典型特征
功耗
60
漏电流
35
30
25
20
15
10
5
50
40
30
20
10
T
C
=25 C
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
o
-I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
0
0
T
C
= 25℃ ，V
G
=-10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
o
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
瞬态热阻抗
2
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 50℃ / W
2
Rd
S（O
n)
LIM
it
-I
D
- 漏电流（ A）
10ms
10
100ms
1s
DC
1
T
C
=25 C
0.1
0.1
o
1
10
100
1
10
100
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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启示录B.2 - 2005年10月
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APM3020PU
典型特征（续）
输出特性
50
45
40
V
GS
= -5, -6, -7, -8, -9, -10V
-4V
漏源导通电阻
40
35
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
-I
D
- 漏电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
-2.5V
-3V
30
25
20
15
10
5
V
GS
= -5V
V
GS
= -10V
2.0
2.5
3.0
0
10
20
30
40
50
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
50
45
1.50
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
归一化的阈值Vlotage
5
40
1.25
-I
D
- 漏电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
T
j
=25 C
o
1.00
0.75
T
j
=125 C
T
j
=-55 C
o
o
0.50
0.25
0.00
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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启示录B.2 - 2005年10月
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