【APM3011NN沟道增强型MOSFET特点30V / 60A ，RDS （ ON）= 9mΩ （典】,IC型号APM3011NUC-TU,APM3011NUC-TU PDF资料,APM3011NUC-TU经销商,ic,电子元器件-51电子网

APM3011N

N沟道增强型MOSFET

特点

30V / 60A ，R

DS （ ON）

= 9mΩ （典型值） @ V

GS

=10V

R

DS （ ON）

= 14mΩ （典型值） @ V

GS

=5V

对于极超级高密度电池设计

低R

DS （ ON）

可靠，坚固耐用

的TO-220 ，TO- 252和TO- 263封装

引脚说明

应用

在台式电脑或电源管理

DC / DC转换器系统。

顶视图的TO- 220 ， TO- 252和TO- 263

订购和标识信息

APM3011N

处理代码

TEMP 。 RANGE

封装代码

F： TO- 220 U： TO- 252

TEMP 。 RANGE

C： 070

°

C

处理代码

TU ：管

TR ：带卷&

G： TO- 263

APM 3011N G / U / F：

APM 3011N

XXXXX

XXXXX - 日期代码

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D*

I

DM

栅源电压

参数

漏源电压

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

30

±20

60

120

单位

V

A

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲

*表面装在FR4板，T

≤

10秒。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

A.3牧师 - 年3月， 2002年

1

www.anpec.com.tw

APM3011N

绝对最大额定值续。

符号

P

D

参数

马克西姆嗯功耗

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

J

T

英镑

R

θJA

R

θJC

美心庵路口tem温度

存储tem温度范围

热阻 - 结到环境

热阻 - 结到管壳

TO-252

TO-263

TO-252

TO-263

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

50

62.5

20

25

150

-55到150

50

2.5

单位

W

°C

°

C / W

° C / W

电气特性

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

a

V

Sd

a

动态

b

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏源击穿

V LT栅极电压漏

零

当前

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

二极管的正向电压

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM3011N

典型值。

马克斯。

分钟。

30

1

5

3

±100

11

18

1.2

28

nC

14

12

45

16

测试条件

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=24V , V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

= 0V ，T

j

= 55°C

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=30A

V

GS

= 5V ，我

DS

=15A

I

SD

= 24A ，V

GS

=0V

V

DS

= 15V ，我

DS

=30A

V

GS

=4.5V

V

DD

= 15V ，我

DS

=1A,

V

根

= 10V ，R

G

=0.2

V

GS

=0V

V

DS

=15V

频率= 1.0MHz的

单位

V

A

V

nA

m

V

1

9

14

0.6

22

12.8

5

9

6

30

8

2000

420

210

ns

pF

笔记

a

b

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%

：由设计保证，不受生产测试

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APM3011N

典型特征

输出特性

70

50

传输特性

V

DS

=10V

60

VG=4,4.5,6,8,10V

I

DS

- 漏电流（A ）

50

V

GS

=3V

I

DS

- 漏电流（A ）

40

30

20

T

J

=25°C

20

V

GS

=2.5V

10

T

J

=125°C

T

J

=-55°C

10

0

1.0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

-Gate至源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.2

导通电阻与漏电流

0.020

I

DS

=250A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

V

GS

=5V

0.016

V

GS （ TH）

-Variance （ V）

1.0

0.012

0.8

V

GS

=10V

0.008

0.6

0.004

0.4

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

0.000

0

10

20

30

40

50

60

T

j

-Junction温度（℃ ）

I

DS

- 漏电流（A ）

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APM3011N

典型特征连拍。

导通电阻与栅极至源极电压

0.035

上Resistaence与结温

R

DS （ ON）

-on电阻（Ω）（归一化）

1.6

I

DS

=30A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.030

V

GS

=10V

I

DS

=30A

1.4

0.025

0.020

1.2

0.015

1.0

0.010

0.8

0.005

0.000

3

4

5

6

7

8

9

10

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

栅极电压（ V）

T

j

-Junction温度（℃ ）

栅极电荷

10

3000

电容特性

V

GS

-Gate至源极电压（ V）

V

DS

=15V

I

DS

=20A

2000

西塞

C-电容（pF ）

8

1000

6

科斯

500

4

2

CRSS

Frequency=1MHz

0

10

20

30

40

50

100

0.1

1

10

30

Q

G

- 总 - 栅极电荷（ NC）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

版权

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APM3011N

典型特征连拍。

源极 - 漏极二极管正向电压

100

3000

单脉冲功率

2500

I

SD

- 源电流（A ）

10

2000

功率（W）的

1500

1

T

J

=125°C

T

J

=25°C

T

J

=-55°C

1000

500

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0

-

1 05

-

1 04

1 03

1 02

1 01

1 00

V

SD

- 源漏极电压

时间（秒）

瞬态热响应曲线

1

占空比= 0.5

标准化的有效瞬态

热阻抗

D=0.2

D=0.1

0 .1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

单脉冲

1.占空比D = T1 / T2

2.每单位基础= R

thJA

=62.5°C/W

3. T

JM

-T

A

=P

DM

Z

thJA

0 .0 1

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

方波脉冲持续时间（秒）

版权

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5

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APM3011NU

N沟道增强型MOSFET

特点

30V / 40A ，

R

DS （ ON）

= 9mΩ （典型值） @ V

GS

=10V

R

DS （ ON）

= 13mΩ （典型值） @ V

GS

=4.5V

引脚说明

G

D

S

超级高密度电池设计

额定雪崩

可靠，坚固耐用

无铅可用（符合RoHS ）

顶视图TO- 252

(2)

D1

应用

在台式电脑或电源管理

DC / DC转换器

S1

(3)

(1)

G1

N沟道MOSFET

订购和标识信息

永磁3011N

L E A D楼Re式C D E

H A N D林克C 0 D E

TEM页。范围

P ackage 颂歌

U： T O服务-2 5 2

P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é

C： -5 5月5日至一日0 ℃，

H A N D林克C 0 D E

TU ：管

牛逼R：牛逼猿& 鳗鱼

L E A D楼Re式C D E

1：1 EAD楼Re E D EV IC式B LA NK ：在人 EV IC ê 钻机

一个下午3011N U：

永磁3011N

XXXXX

X X X X X - D上TE C 0 D E

注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接

化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。

ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求

化在无铅峰值回流温度。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

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启示录B.2 - 三月， 2005

1

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APM3011NU

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

T

J

T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

T

C

=25°C

T

C

=100°C

T

C

=25°C

T

C

=100°C

T

C

=25°C

T

C

=100°C

等级

30

±20

150

-55到150

100

65

40

22

50

20

2.5

W

° C / W

V

°C

单位

通用等级

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

安装在大型散热片

I

DP

I

D

P

D

R

θJC

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到管壳

2

A

安装在印刷电路板1英寸垫面积

I

DP

I

D

P

D

R

θJA

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到环境

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

100

65

10

6

2.5

1

50

100

65

7

4

1.5

0.5

75

W

° C / W

W

° C / W

A

安装在PCB上最小的足迹

I

DP

I

D

P

D

R

θJA

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到环境

A

版权

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2

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APM3011NU

电气特性

符号

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM3011NU

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

漏源雪崩额定值

E

AS

漏源雪崩能源

I

D

= 20A ，V

DD

=20V

30

100

mJ

静态特性

BV

DSS

漏源击穿电压V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

a

V

1

30

A

V

nA

m

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

V

DS

=24V, V

GS

=0V

T

J

=85°C

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=20A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=10A

I

SD

= 10A ，V

GS

=0V

9

13

1

1.5

2

±100

11

17

二极管的特性

a

V

SD

二极管的正向电压

I

S

b

0.9

1.3

20

V

A

二极管连续正向电流T

C

=25°C

1560

345

245

10

V

DD

= 15V ，R

L

=15,

I

DS

= 1A ，V

根

=4.5V,

R

G

=6

b

动态特性

C

国际空间站

输入电容

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

V

GS

=0V,

V

DS

=15V,

Frequency=1.0MHz

pF

20

25

50

20

ns

15

35

15

栅极电荷特性

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

Q

gd

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

17.8

V

DS

=15V, V

GS

=4.5V,

I

DS

=20A

4.6

10

24

nC

注意事项：

一：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%.

B：由设计保证，不受生产测试。

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3

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APM3011NU

典型特征

功耗

60

50

漏电流

50

40

I

D

- 漏电流（ A）

0

20

40

60

80 100 120 140 160 180

P

合计

- 功率（W ）

30

20

10

0

20

40

60

80 100 120 140 160 180

T

j

- 结温（ ° C）

T

j

- 结温（ ° C）

安全工作区

归一化瞬态热阻

300

100

2

1

瞬态热阻抗

I

D

- 漏电流（ A）

it

LIM

)

（上

ds

R

占空比= 0.5

0.2

10ms

100ms

10

1s

0.1

0.05

0.02

0.01

0.1

DC

1

0.01

单脉冲

0.1

T

c

=25 C

o

1

10

70

1E-3

1E-4

安装在1英寸垫

o

R

θ

JA

： 50℃ / W

2

1E-3

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极 - 源极电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

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APM3011NU

典型特征（续）

输出特性

40

V

GS

=5,6,7,8,9,10V

35

30

4V

24

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

- 在 - 电阻（ m ）

20

I

D

- 漏电流（ A）

16

25

20

15

10

5

0

3V

3.5V

V

GS

=4.5V

12

V

GS

=10V

8

4

2.5V

0

2

4

6

8

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

V

DS

- 漏源电压（ V）

I

D

- 漏电流（ A）

传输特性

40

36

32

1.6

栅极阈值电压

I

DS

=250

A

归一化的阈值Vlotage

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

I

D

- 漏电流（ A）

28

24

20

16

12

8

4

0

1

T

j

=125 C

T

j

=-55 C

o

T

j

=25 C

o

2

3

4

5

0.2

-50 -25

0

25

50

75

100 125 150

V

GS

- 门 - 源极电压（ V）

T

j

- 结温（ ° C）

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