【APM3011NN沟道增强型MOSFET特点30V / 60A ，RDS （ ON）= 9mΩ （典】,IC型号APM3011NGC-TR,APM3011NGC-TR PDF资料,APM3011NGC-TR经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM3011N

N沟道增强型MOSFET

特点

30V / 60A ，R

DS （ ON）

= 9mΩ （典型值） @ V

GS

=10V

R

DS （ ON）

= 14mΩ （典型值） @ V

GS

=5V

对于极超级高密度电池设计

低R

DS （ ON）

可靠，坚固耐用

的TO-220 ，TO- 252和TO- 263封装

引脚说明

应用

在台式电脑或电源管理

DC / DC转换器系统。

顶视图的TO- 220 ， TO- 252和TO- 263

订购和标识信息

APM3011N

处理代码

TEMP 。 RANGE

封装代码

封装代码

F： TO- 220 U： TO- 252

TEMP 。 RANGE

C： 070

°

C

处理代码

TU ：管

TR ：带卷&

G： TO- 263

APM 3011N G / U / F：

APM 3011N

XXXXX

XXXXX - 日期代码

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D*

I

DM

栅源电压

参数

漏源电压

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

30

±20

60

120

单位

V

A

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲

*表面装在FR4板，T

≤

10秒。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

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1

www.anpec.com.tw

APM3011N

绝对最大额定值续。

符号

P

D

参数

马克西姆嗯功耗

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

J

T

英镑

R

θJA

R

θJC

美心庵路口tem温度

存储tem温度范围

热阻 - 结到环境

热阻 - 结到管壳

TO-252

TO-263

TO-252

TO-263

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

50

62.5

20

25

150

-55到150

50

2.5

单位

W

W

°C

°C

°

C / W

° C / W

电气特性

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

a

V

Sd

a

动态

b

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏源击穿

V LT栅极电压漏

零

当前

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

二极管的正向电压

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM3011N

典型值。

马克斯。

分钟。

30

1

5

3

±100

11

18

1.2

28

nC

14

12

45

16

测试条件

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=24V , V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

= 0V ，T

j

= 55°C

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=30A

V

GS

= 5V ，我

DS

=15A

I

SD

= 24A ，V

GS

=0V

V

DS

= 15V ，我

DS

=30A

V

GS

=4.5V

V

DD

= 15V ，我

DS

=1A,

V

根

= 10V ，R

G

=0.2

V

GS

=0V

V

DS

=15V

频率= 1.0MHz的

单位

V

A

V

nA

m

V

1

9

14

0.6

22

12.8

5

9

6

30

8

2000

420

210

ns

pF

笔记

a

b

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%

：由设计保证，不受生产测试

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APM3011N

典型特征

输出特性

70

50

传输特性

V

DS

=10V

60

VG=4,4.5,6,8,10V

I

DS

- 漏电流（A ）

50

V

GS

=3V

I

DS

- 漏电流（A ）

40

40

30

30

20

T

J

=25°C

20

V

GS

=2.5V

10

T

J

=125°C

T

J

=-55°C

10

0

1.0

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

-Gate至源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.2

导通电阻与漏电流

0.020

I

DS

=250A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

V

GS

=5V

0.016

V

GS （ TH）

-Variance （ V）

1.0

0.012

0.8

V

GS

=10V

0.008

0.6

0.004

0.4

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

0.000

0

10

20

30

40

50

60

T

j

-Junction温度（℃ ）

I

DS

- 漏电流（A ）

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APM3011N

典型特征连拍。

导通电阻与栅极至源极电压

0.035

上Resistaence与结温

R

DS （ ON）

-on电阻（Ω）（归一化）

1.6

I

DS

=30A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.030

V

GS

=10V

I

DS

=30A

1.4

0.025

0.020

1.2

0.015

1.0

0.010

0.8

0.005

0.000

3

4

5

6

7

8

9

10

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

栅极电压（ V）

T

j

-Junction温度（℃ ）

栅极电荷

10

3000

电容特性

V

GS

-Gate至源极电压（ V）

V

DS

=15V

I

DS

=20A

2000

西塞

C-电容（pF ）

8

1000

6

科斯

500

4

2

CRSS

Frequency=1MHz

0

0

10

20

30

40

50

100

0.1

1

10

30

Q

G

- 总 - 栅极电荷（ NC）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

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APM3011N

典型特征连拍。

源极 - 漏极二极管正向电压

100

3000

单脉冲功率

2500

I

SD

- 源电流（A ）

10

2000

功率（W）的

1500

1

T

J

=125°C

T

J

=25°C

T

J

=-55°C

1000

500

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0

-

1 05

-

-

-

-

1 04

1 03

1 02

1 01

1 00

V

SD

- 源漏极电压

时间（秒）

瞬态热响应曲线

1

占空比= 0.5

标准化的有效瞬态

热阻抗

D=0.2

D=0.1

0 .1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

单脉冲

1.占空比D = T1 / T2

2.每单位基础= R

thJA

=62.5°C/W

3. T

JM

-T

A

=P

DM

Z

thJA

0 .0 1

-5

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

方波脉冲持续时间（秒）

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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联系人：刘先生

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