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APM3011N
N沟道增强型MOSFET
特点
30V / 60A ,R
DS ( ON)
= 9mΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 14mΩ (典型值) @ V
GS
=5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
的TO-220 ,TO- 252和TO- 263封装
引脚说明
应用
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器系统。
顶视图的TO- 220 , TO- 252和TO- 263
订购和标识信息
APM3011N
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
F: TO- 220 U: TO- 252
TEMP 。 RANGE
C: 070
°
C
处理代码
TU :管
TR :带卷&
G: TO- 263
APM 3011N G / U / F:
APM 3011N
XXXXX
XXXXX - 日期代码
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
栅源电压
参数
漏源电压
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
30
±20
60
120
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板,T
10秒。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 年3月, 2002年
1
www.anpec.com.tw
APM3011N
绝对最大额定值续。
符号
P
D
参数
马克西姆嗯功耗
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
R
θJA
R
θJC
美心庵路口tem温度
存储tem温度范围
热阻 - 结到环境
热阻 - 结到管壳
TO-252
TO-263
TO-252
TO-263
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
50
62.5
20
25
150
-55到150
50
2.5
单位
W
W
°C
°C
°
C / W
° C / W
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
a
V
Sd
a
动态
b
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿
V LT栅极电压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM3011N
典型值。
马克斯。
分钟。
30
1
5
3
±100
11
18
1.2
28
nC
14
12
45
16
测试条件
V
GS
= 0V时,我
DS
=250A
V
DS
=24V , V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
= 0V ,T
j
= 55°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=30A
V
GS
= 5V ,我
DS
=15A
I
SD
= 24A ,V
GS
=0V
V
DS
= 15V ,我
DS
=30A
V
GS
=4.5V
V
DD
= 15V ,我
DS
=1A,
V
= 10V ,R
G
=0.2
V
GS
=0V
V
DS
=15V
频率= 1.0MHz的
单位
V
A
V
nA
m
V
1
9
14
0.6
22
12.8
5
9
6
30
8
2000
420
210
ns
pF
笔记
a
b
:脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
2%
:由设计保证,不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 年3月, 2002年
2
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APM3011N
典型特征
输出特性
70
50
传输特性
V
DS
=10V
60
VG=4,4.5,6,8,10V
I
DS
- 漏电流(A )
50
V
GS
=3V
I
DS
- 漏电流(A )
40
40
30
30
20
T
J
=25°C
20
V
GS
=2.5V
10
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
10
0
1.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
-Gate至源极电压( V)
阈值电压与结温
1.2
导通电阻与漏电流
0.020
I
DS
=250A
R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
V
GS
=5V
0.016
V
GS ( TH)
-Variance ( V)
1.0
0.012
0.8
V
GS
=10V
0.008
0.6
0.004
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.000
0
10
20
30
40
50
60
T
j
-Junction温度(℃ )
I
DS
- 漏电流(A )
版权
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 年3月, 2002年
3
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APM3011N
典型特征连拍。
导通电阻与栅极至源极电压
0.035
上Resistaence与结温
R
DS ( ON)
-on电阻(Ω) (归一化)
1.6
I
DS
=30A
R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
0.030
V
GS
=10V
I
DS
=30A
1.4
0.025
0.020
1.2
0.015
1.0
0.010
0.8
0.005
0.000
3
4
5
6
7
8
9
10
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
栅极电压( V)
T
j
-Junction温度(℃ )
栅极电荷
10
3000
电容特性
V
GS
-Gate至源极电压( V)
V
DS
=15V
I
DS
=20A
2000
西塞
C-电容(pF )
8
1000
6
科斯
500
4
2
CRSS
Frequency=1MHz
0
0
10
20
30
40
50
100
0.1
1
10
30
Q
G
- 总 - 栅极电荷( NC)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
版权
茂达电子股份有限公司
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4
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APM3011N
典型特征连拍。
源极 - 漏极二极管正向电压
100
3000
单脉冲功率
2500
I
SD
- 源电流(A )
10
2000
功率(W)的
1500
1
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
1000
500
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
-
1 05
-
-
-
-
1 04
1 03
1 02
1 01
1 00
V
SD
- 源漏极电压
时间(秒)
瞬态热响应曲线
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
D=0.2
D=0.1
0 .1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
单脉冲
1.占空比D = T1 / T2
2.每单位基础= R
thJA
=62.5°C/W
3. T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
0 .0 1
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 年3月, 2002年
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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