APM3011N
N沟道增强型MOSFET
特点
30V / 60A ,R
DS ( ON)
= 9mΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 14mΩ (典型值) @ V
GS
=5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
的TO-220 ,TO- 252和TO- 263封装
引脚说明
应用
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器系统。
顶视图的TO- 220 , TO- 252和TO- 263
订购和标识信息
APM3011N
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
F: TO- 220 U: TO- 252
TEMP 。 RANGE
C: 070
°
C
处理代码
TU :管
TR :带卷&
G: TO- 263
APM 3011N G / U / F:
APM 3011N
XXXXX
XXXXX - 日期代码
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
栅源电压
参数
漏源电压
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
30
±20
60
120
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板,T
≤
10秒。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 年3月, 2002年
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www.anpec.com.tw