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APM3007NU
N沟道增强型MOSFET
特点
30V/50A,
R
DS （ ON）
= 5.5mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 8.5mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图TO- 252
D
应用
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器
G
S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM3007N
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
U： TO- 252
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM3007N U：
APM3007N
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料和100 ％雾锡板终止完成;
这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL无铅要求
在无铅峰值回流温度分类。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
1
www.anpec.com.tw
APM3007NU
绝对最大额定值
符号
参数
等级
30
±20
150
-55到150
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
27
100
75
50*
30
50
20
2.5
W
° C / W
V
°C
°C
A
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
安装在大型散热片
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JC
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到管壳
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
A
A
安装在印刷电路板1英寸的
2
垫区
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JA
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
100
75
15
10
2.5
1
50
100
75
12
8
1.6
0.6
75
W
° C / W
W
° C / W
A
A
安装在PCB上最小的足迹
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JA
注意：
*目前受限于键合线。
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到环境
A
A
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
2
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APM3007NU
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM3007NU
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
漏源雪崩额定值
E
AS
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 11A ，V
DD
=15V
30
30
mJ
静态特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250
A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=40A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=20A
I
SD
= 15A ，V
GS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
Frequency=1.0MHz
5.5
8.5
1
1.5
V
1
30
2
±100
7
10
A
V
nA
m
二极管的特性
V
SDA
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项：
二极管的正向电压
0.8
1.3
V
pF
动态特性
b
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15V ，R
L
=15,
I
DS
= 1A ，V
根
=10V,
R
G
=6
1.1
2440
420
250
13
9
43
14
20
15
66
28
ns
栅极电荷特性
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
53
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=40A
13
10
70
nC
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
3
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APM3007NU
典型特征
功耗
60
60
漏电流
50
50
40
I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
40
30
30
20
20
10
T
C
=25 C
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
o
10
T
C
= 25℃ ，V
G
=10V
0
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
o
0
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
300
2
瞬态热阻抗
归一化瞬态热阻
Rd
S（O
n)
LIM
it
100
1
占空比= 0.5
I
D
- 漏电流（ A）
10ms
100ms
1s
DC
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
10
1
0.1
0.1
T
c
=25 C
1
10
100
o
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 50℃ / W
2
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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APM3007NU
典型特征（续）
输出特性
100
90
80
V
GS
=4,5,6,7,8,9,10V
漏源导通电阻
16
14
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
12
V
GS
=4.5V
10
8
6
4
2
0
V
GS
=10V
I
D
- 漏电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3V
0
20
40
60
80
100
V
DS
- 漏源电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
100
90
80
栅极阈值电压
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
I
DS
=250
A
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
T
j
=125 C
T
j
=25 C
o
o
T
j
=-55 C
o
归一化的阈值Vlotage
I
D
- 漏电流（ A）
0
25
50
75 100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
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