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APM2800B
N沟道增强模式，肖特基二极管的MOSFET
特点
MOSFET
引脚说明
20V / 3A ，
R
DS （ ON）
= 50mΩ以下（典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 90mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
低正向电压
(1)
G
顶视图SOT -25
(5)
D
(4)
C
SBD
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
S
(2)
A
(3)
N沟道MOSFET
SBD
订购和标识信息
APM2800
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
B： SOT - 25
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2800B ：
M80X
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.3 - 六月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM2800B
绝对最大额定值
符号
[ MOSFET ]
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θ
JA
*
[ SBD ]
V
RRM
I
FSM
注意：
*表面安装在1英寸
2
垫区域，叔
≤
10sec.
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300
s漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=4.5V
20
±10
3
10
1
150
-55到150
0.83
0.3
150
W
° C / W
V
A
A
°C
反向重复峰值电压
最大峰值正向浪涌电流
20
5.5
V
A
电气特性
符号
[ MOSFET ]
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2800B
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SDA
a
20
1
30
0.45
0.6
50
90
0.7
1
±100
70
110
1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=3A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=1.7A
I
SD
= 0.5A ，V
GS
=0V
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.3 - 六月， 2005年
2
www.anpec.com.tw
APM2800B
电气特性（续）
符号
[ MOSFET ]
动态特性
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
[ SBD ]
V
R
V
F1
V
F2
I
R
C
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2800B
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
GS
=0V,
V
DS
=20V,
Frequency=1.0MHz
255
70
50
6
12
10
23
12
ns
5
12
6
pF
V
DD
= 10V ，R
L
=10,
I
DS
= 1A ，V
根
=4.5V,
R
G
=6
栅极电荷特性
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=3A
5
0.7
0.7
6.5
nC
反向电压
正向电压
反向电流
结电容
I
R
=0.5mA
I
F
=10mA
I
F
=500mA
V
R
=15V
V
R
=10V,
Frequency=1.0MHz
20
0.4
0.5
200
45
V
V
V
A
pF
注意事项：
一：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
B：由设计保证，不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.3 - 六月， 2005年
3
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APM2800B
典型特征
N沟道MOSFET
功耗
1.0
4.0
3.5
漏电流
0.8
3.0
I
D
- 漏电流（ A）
0
20
40
60
80 100 120 140 160
P
合计
- 功率（W ）
0.6
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.4
0.2
0.0
0.0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
30
10
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
I
D
- 漏电流（ A）
Rd
S（O
n)
LIM
it
1
300
s
1ms
10ms
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 150℃ / W
2
0.1
100ms
1s
DC
T
A
=25 C
o
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.3 - 六月， 2005年
4
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APM2800B
典型特征（续）
输出特性
10
9
8
V
GS
= 3,4,5,6,7,8,9,10V
漏源导通电阻
0.14
0.12
V
GS
=2.5V
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（Ω ）
I
D
- 漏电流（ A）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
2V
2.5V
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
V
GS
=4.5V
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
10
9
8
栅极阈值电压
1.8
1.6
I
DS
=250
A
归一化阈值电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
I
D
- 漏电流（ A）
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
T
j
=125 C
o
o
T
j
=25 C
T
j
=-55 C
o
0
25
50
75 100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.3 - 六月， 2005年
5
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AME5140AEQAADJY
AKD5355_06
ATV2500BQ-25PI
A1415A-2VQ100I
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联系人：销售部1部
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APM2800BC-TRL
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APM2800BC-TRL
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联系人：销售部
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APM2800BC-TRL
ANPEC/茂达电子
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