APM2601
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -3A ,R
DS ( ON)
= 80mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
R
DS ( ON)
= 110mΩ (典型值) @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
SOT- 23-6封装
顶视图SOT- 23-6的
S
应用
G
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
D D D D
订购和标识信息
一个P M 26 01
andling 颂歌
牛逼EM P 。为r的GE
封装代码
P沟道MOSFET
封装代码
C: S 0牛逼-23-6
系统操作结牛逼EM P 。 法兰
C: -55 1 50
°
C
andling 颂歌
牛逼R:牛逼猿& 鳗鱼
一个P M 2601 C:
M 01X
X - D吃颂歌
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-20
±8
-3
-10
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月, 2003
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板,T
≤
10秒。
APM2601
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -3A ,R
DS ( ON)
= 80mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
R
DS ( ON)
= 110mΩ (典型值) @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
SOT- 23-6封装
顶视图SOT- 23-6的
S
应用
G
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
D D D D
订购和标识信息
一个P M 26 01
andling 颂歌
牛逼EM P 。为r的GE
封装代码
P沟道MOSFET
封装代码
C: S 0牛逼-23-6
系统操作结牛逼EM P 。 法兰
C: -55 1 50
°
C
andling 颂歌
牛逼R:牛逼猿& 鳗鱼
一个P M 2601 C:
M 01X
X - D吃颂歌
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-20
±8
-3
-10
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月, 2003
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板,T
≤
10秒。