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APM2601
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -3A ，R
DS （ ON）
= 80mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
R
DS （ ON）
= 110mΩ （典型值） @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
SOT- 23-6封装
顶视图SOT- 23-6的
S
应用
G
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
D D D D
订购和标识信息
一个P M 26 01
andling 颂歌
牛逼EM P 。为r的GE
封装代码
P沟道MOSFET
封装代码
C： S 0牛逼-23-6
系统操作结牛逼EM P 。 法兰
C： -55 1 50
°
C
andling 颂歌
牛逼R：牛逼猿& 鳗鱼
一个P M 2601 C：
M 01X
X - D吃颂歌
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-20
±8
-3
-10
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月， 2003
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
APM2601
绝对最大额定值（续）
符号
P
D
参数
最大功率耗散
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
1.25
0.5
150
-55到150
100
单位
W
°C
°C
° C / W
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
V
SD
a
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2601
典型值。
马克斯。
分钟。
-20
-1
-0.45
80
110
-0.7
6.4
1
1.8
8
4
20
7
550
265
115
pF
18
10
45
16
-1.2
±100
100
135
-1.3
8
nC
测试条件
单位
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±8V , V
DS
=0V
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-3A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
=-2A
I
SD
= -1.25A ，V
GS
=0V
V
DS
= -10V ，我
DS
=-1A
V
GS
=-4.5V
V
DD
= -10V ，我
DS
=-1A ,
V
根
= -4.5V ，R
G
=6
V
A
V
nA
m
V
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
ns
V
GS
=0V
输出电容
V
DS
=-15V
反向传输电容频率= 1.0MHz的
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月， 2003
2
www.anpec.com.tw
APM2601
典型特征
输出特性
10
-V
GS
=3,4.5,6,7,8V
传输特性
10
8
-V
GS
=2V
-I
D
- 漏电流（A ）
6
-I
D-
漏电流（ A）
8
6
T
J
=125°C
4
-V
GS
=1.5V
4
2
-V
GS
=1V
2
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.50
-I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
0.18
0.16
-V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
2
4
6
8
10
-V
GS
=2.5V
-V
GS
=4.5V
-25
0
25
50
75
100 125 150
TJ - 结温（ ° C）
-I
D
- 漏电流（ A）
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月， 2003
3
www.anpec.com.tw
APM2601
典型特征（续）
导通电阻与栅极至源极电压
0.20
-I
D
=3A
导通电阻与结温
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-V
GS
=4.5V
-I
D
=3A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
1
2
3
4
5
6
7
8
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
0.18
0.2
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
5
-V
DS
=10V
-I
D
=1A
电容
800
700
Frequency=1MHz
-V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
4
电容（pF）
600
500
400
300
200
100
西塞
3
2
科斯
1
CRSS
0
0
2
4
6
8
0
0
5
10
15
20
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月， 2003
4
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APM2601
典型特征（续）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
14
12
单脉冲功率
-I
S
- 源电流（A ）
10
功率（W）的
1.4
1.6
8
6
4
2
T
J
=150°C
T
J
=25°C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0.01
0.1
1
10
100
-V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=100°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
单脉冲
D=0.01
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
方波脉冲持续时间（秒）
版权
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5
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P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -3A ，R
DS （ ON）
= 80mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
R
DS （ ON）
= 110mΩ （典型值） @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
SOT- 23-6封装
顶视图SOT- 23-6的
S
应用
G
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
D D D D
订购和标识信息
一个P M 26 01
andling 颂歌
牛逼EM P 。为r的GE
封装代码
P沟道MOSFET
封装代码
C： S 0牛逼-23-6
系统操作结牛逼EM P 。 法兰
C： -55 1 50
°
C
andling 颂歌
牛逼R：牛逼猿& 鳗鱼
一个P M 2601 C：
M 01X
X - D吃颂歌
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-20
±8
-3
-10
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
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1
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*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
APM2601
绝对最大额定值（续）
符号
P
D
参数
最大功率耗散
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
1.25
0.5
150
-55到150
100
单位
W
°C
°C
° C / W
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
V
SD
a
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2601
典型值。
马克斯。
分钟。
-20
-1
-0.45
80
110
-0.7
6.4
1
1.8
8
4
20
7
550
265
115
pF
18
10
45
16
-1.2
±100
100
135
-1.3
8
nC
测试条件
单位
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±8V , V
DS
=0V
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-3A
V
GS
= -2.5V ，我
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I
SD
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GS
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V
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V
GS
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V
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= -10V ，我
DS
=-1A ,
V
根
= -4.5V ，R
G
=6
V
A
V
nA
m
V
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
ns
V
GS
=0V
输出电容
V
DS
=-15V
反向传输电容频率= 1.0MHz的
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
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2
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APM2601
典型特征
输出特性
10
-V
GS
=3,4.5,6,7,8V
传输特性
10
8
-V
GS
=2V
-I
D
- 漏电流（A ）
6
-I
D-
漏电流（ A）
8
6
T
J
=125°C
4
-V
GS
=1.5V
4
2
-V
GS
=1V
2
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
0
0
1
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0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.50
-I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
0.18
0.16
-V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
0.14
0.12
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0.06
0.04
0.02
0.00
0
2
4
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-V
GS
=2.5V
-V
GS
=4.5V
-25
0
25
50
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100 125 150
TJ - 结温（ ° C）
-I
D
- 漏电流（ A）
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典型特征（续）
导通电阻与栅极至源极电压
0.20
-I
D
=3A
导通电阻与结温
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
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-V
GS
=4.5V
-I
D
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R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.16
0.14
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0.06
0.04
1
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8
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
0.18
0.2
-50
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100 125 150
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
5
-V
DS
=10V
-I
D
=1A
电容
800
700
Frequency=1MHz
-V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
4
电容（pF）
600
500
400
300
200
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西塞
3
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科斯
1
CRSS
0
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20
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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典型特征（续）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
14
12
单脉冲功率
-I
S
- 源电流（A ）
10
功率（W）的
1.4
1.6
8
6
4
2
T
J
=150°C
T
J
=25°C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0.01
0.1
1
10
100
-V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=100°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
单脉冲
D=0.01
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
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方波脉冲持续时间（秒）
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