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APM2509NU
N沟道增强型MOSFET
特点
25V / 50A ，
R
DS （ ON）
= 7.5mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 13mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
引脚说明
超级高密度电池设计
额定雪崩
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
D
顶视图TO- 252
应用
G
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器
S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2509N
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
U： TO- 252
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2509N U：
APM2509N
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容当兵
操作。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求
为MSL分类，在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启B.4 - 七月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM2509NU
绝对最大额定值
符号
参数
等级
25
±20
150
-55到150
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
30
100
65
50*
38
50
20
2.5
W
° C / W
V
°C
°C
A
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
安装在大型散热片
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JC
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到管壳
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
A
A
安装在印刷电路板1英寸的
2
垫区
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JA
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
100
65
13
8
2.5
1
50
100
65
10.5
6
1.6
0.6
75
W
° C / W
W
° C / W
A
A
安装在PCB上最小的足迹
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JA
注意：
*目前受限于键合线。
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到环境
A
A
版权
茂达电子股份有限公司
启B.4 - 七月， 2005年
2
www.anpec.com.tw
APM2509NU
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2509NU
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
漏源雪崩额定值
E
AS
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 15A ，L = 0.5mH
25
50
mJ
静态特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250
A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=30A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=15A
I
SD
= 10A ，V
GS
=0V
I
SD
= 10A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
7.5
13
1.3
1.8
V
1
30
2.5
±100
9
18
A
V
nA
m
二极管的特性
V
SDA
t
rr
b
b
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
0.9
17
6
1.1
V
ns
nC
pF
Q
rr
动态特性
b
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项：
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
V
DD
= 15V ，R
L
=15
,
I
DS
= 1A ，V
根
=10V,
R
G
=6
1.8
1560
345
245
17
18
41
16
ns
栅极电荷特性
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
17.5
V
DS
=15V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=30A
5
11
nC
版权
茂达电子股份有限公司
启B.4 - 七月， 2005年
3
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APM2509NU
典型特征
功耗
60
60
漏电流
50
50
I
D
- 漏电流（ A）
o
P
合计
- 功率（W ）
40
40
30
30
20
20
10
T
C
=25 C
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
10
T
C
= 25℃ ，V
G
=10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
o
0
0
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
300
100
瞬态热阻抗
2
1
占空比= 0.5
0.2
Rd
S（O
n)
LIM
it
I
D
- 漏电流（ A）
10ms
100ms
10
1s
0.1
0.02
0.01
0.1
0.05
DC
1
0.01
单脉冲
T
c
=25 C
0.1
0.1
o
1
10
70
1E-3
1E-4 1E-3
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 50℃ / W
2
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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APM2509NU
典型特征（续）
输出特性
100
90
80
V
GS
=4,5,6,7,8,9,10V
漏源导通电阻
22
20
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
18
16
14
12
10
8
6
4
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
I
D
- 漏电流（ A）
70
60
50
40
30
20
3.5V
3V
2.5V
10
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
0
20
40
60
80
100
V
DS
- 漏源电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
100
90
栅极阈值电压
1.6
I
DS
=250
A
1.4
80
I
D
- 漏电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
T
j
=125 C
o
归一化阈值电压
6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
T
j
=25 C
T
j
=-55 C
o
o
2
3
4
5
0
25
50
75 100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
启B.4 - 七月， 2005年
5
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AD678TJ/883B
AS7C164-20JC
AS07008PO-2-R
AM1D-1209SH40Z
AT27C256R-90PA
AU5783
AZ432AR
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型号
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封装
单价/备注
操作
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