【APM2506NUN沟道增强型MOSFET特点25V/60A,RDS （ ON）= 5mΩ的（典型值】,IC型号APM2506,APM2506 PDF资料,APM2506经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM2506NU

N沟道增强型MOSFET

特点

25V/60A,

R

DS （ ON）

= 5mΩ的（典型值） @ V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

= 7MΩ （典型值） @ V

GS

= 4.5V

超级高密度电池设计

额定雪崩

可靠，坚固耐用

1

引脚说明

3脚

D

3

销1

G

2

S

销2

应用

在台式电脑或电源管理

DC / DC转换器

订购和标识信息

APM2506N

无铅代码

处理代码

TEMP 。 RANGE

封装代码

封装代码

U： TO- 252

工作结点温度。范围

C： -55 ℃150℃

处理代码

TU ：管TR ：带卷&

无铅代码

L：无铅设备

空白：原始设备

APM2506N U：

APM2506N

XXXXX

XXXXX - 日期代码

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APM2506NU

绝对最大额定值

符号

通用等级（T

A

= 25°C)

V

DSS

V

GSS

T

J

T

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

T

C

=25°C

T

C

=100°C

T

C

=25°C

T

C

=100°C

T

C

=25°C

T

C

=100°C

±25

±20

150

-55到150

150

80

60

*

40

50

20

2.5

W

° C / W

V

°C

°C

参数

等级

单位

安装在大型散热片

I

DP

I

D

P

D

R

θJC

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到管壳

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

A

A

安装在印刷电路板1英寸的

2

垫区

I

DP

I

D

P

D

R

θJA

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到环境

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

150

80

17

10

2.5

1

50

150

80

13

7

1.5

0.5

75

W

° C / W

A

A

安装在PCB上最小的足迹

I

DP

I

D

P

D

R

θJA

注意事项：

*目前受限于键合线

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到环境

A

A

° C / W

° C / W

° C / W

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APM2506NU

电气特性

符号

参数

(T

A

=25°C)

APM2506NU

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

漏源雪崩额定值

E

AS

漏源雪崩能源

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

I

D

= 45A ，V

DD

=15V

25

100

mJ

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=20V, V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=40A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=20A

I

SD

= 20A ，V

GS

=0V

T

A

=25°C

V

1

A

V

nA

m

1.5

5

7

2

±100

6

10

1

R

DS （ ON）一

漏源导通电阻

二极管

V

SDA

I

S

二极管的正向电压

二极管连续正向电流

0.7

1.3

40

V

A

动态

b

C

国际空间站

输入电容

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

V

GS

=0V

V

DS

=15V

Frequency=1.0MHz

3000

670

360

13

20

15

66

28

9

43

14

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

DD

= 15V ，R

L

=15

I

DS

= 1A ，V

根

=10V,

R

G

=6

栅极电荷

b

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

Q

gd

注意事项：

一：脉冲测试;脉冲width≤300

S，责任Cycle≤2 ％

B：由设计保证，不受生产测试

32

V

DS

=15V, V

GS

=4.5V,

I

DS

=20A

6.6

12.4

42

nC

nC

nC

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

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APM2506NU

典型特征

功耗

60

70

60

漏电流

50

I

D

- 漏电流（ A）

0

20

40

60

80 100 120 140 160 180

P

合计

- 功率（W ）

50

40

30

20

10

0

40

30

20

10

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160 180

T

j

- 结温（ ° C）

T

j

- 结温（ ° C）

安全工作区

300

瞬态热阻抗

1

100

标准化的有效瞬态

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

0.01

单脉冲

I

D

- 漏电流（ A）

100

s

300

s

10

1ms

10ms

DC

1

0.1

0.1

T

C

=25 C

O

1

10

70

1E-3

1E-4

安装在1英寸垫

o

R

θ

JA

： 50℃ / W

2

1E-3

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏源电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

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APM2506NU

典型特征

输出特性

100

12

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

-

ON电阻（mΩ ）

V

GS

=3.5,4,5,6,7,8,9,10V

80

10

I

D

- 漏电流（ A）

8

V

GS

=4.5V

60

3V

6

V

GS

=10V

40

4

20

2.5V

2

2V

0

0

0

2

4

6

8

10

0

20

40

60

80

100

V

DS

- 漏源电压（ V）

I

D

- 漏电流（ A）

传输特性

100

1.6

栅极阈值电压

I

DS

=250

A

80

归一化阈值电压

5

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-50 -25

I

D

- 漏电流（ A）

60

T

j

=125 C

40

T

j

=-55 C

o

o

20

T

j

=25 C

o

0

0

1

2

3

4

0

25

50

75

100 125 150

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

j

- 结温（ ° C）

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终端采购配单精选

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