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APM2504NU
N沟道增强型MOSFET
特点
25V / 75A ，
R
DS （ ON）
= 3.6mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 5.4mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图TO- 252
D
应用
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器
G
S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
永磁2504N
L E A D楼Re式C D E
H A N D林克C 0 D E
牛逼EM P 。 法兰
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
U： T O服务-2 5 2
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
L E A D楼Re式C D E
1：1 EAD楼Re E D EV IC式B LA NK ：在人 EV IC ê 钻机
一个下午2504N U：
永磁2504N
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
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1
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APM2504NU
绝对最大额定值
符号
通用等级（T
A
= 25°C)
V
DSS
V
GSS
I
S
T
J
T
英镑
漏源电压
栅源电压
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
25
±20
20
150
-55到150
180
100
75
50
50
20
2.5
W
° C / W
*
参数
等级
单位
V
A
°C
°C
安装在大型散热片
I
DP
I
D
P
D
R
θJC
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到管壳
2
A
A
安装在印刷电路板1英寸垫面积
I
DP
I
D
P
D
R
θJA
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
180
100
19
12
2.5
1
50
180
100
15
9
1.6
0.6
75
W
° C / W
A
A
安装在PCB上最小的足迹
I
DP
I
D
P
D
R
θJA
注意：
*目前受限于键合线。
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到环境
A
A
° C / W
° C / W
° C / W
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2
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APM2504NU
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2504NU
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
漏源雪崩额定值
E
AS
漏源雪崩能源
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
I
D
= 35A ，V
DD
=15V
25
100
mJ
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=40A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=20A
I
SD
= 20A ，V
GS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
V
1
A
V
nA
m
1.8
3.6
5.4
2.5
±100
4.5
7
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
1.3
二极管的特性
a
V
SD
二极管的正向电压
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
b
b
0.8
1.3
V
pF
pF
pF
1
4350
920
670
18
34
39
130
40
21
85
25
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 10V ，R
L
=10,
I
DS
= 1A ，V
根
=4.5V,
R
G
=6
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
注意事项：
38.5
V
DS
=15V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=20A
13.6
17.2
50
nC
nC
nC
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
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3
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APM2504NU
典型特征
功耗
60
90
80
漏电流
50
70
I
D
- 漏电流（ A）
o
P
合计
- 功率（W ）
40
60
50
40
30
20
30
20
10
10
0
T
C
=25 C
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
0
T
C
= 25℃ ，V
G
=10V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
o
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
300
2
瞬态热阻抗
归一化瞬态热阻
100
I
D
- 漏电流（ A）
it
im
)L
n
(o
ds
R
1
占空比= 0.5
1ms
10ms
100ms
0.2
0.1
10
1s
DC
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0.01
单脉冲
T = 25℃
0.1
C
0.1
o
1
10
70
1E-3
1E-4
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 50℃ / W
2
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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APM2504NU
典型特征（续）
输出特性
180
160
10
V
GS
= 6,7,8,9,10V
5V
9
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
140
8
7
6
5
4
3
2
1
V
GS
=4.5V
I
D
- 漏电流（ A）
120
100
80
60
40
4.5V
4V
V
GS
=10V
3.5V
20
3V
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
30
60
90
120
150
180
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
180
160
140
1.6
栅极阈值电压
I
DS
=250
A
归一化的阈值Vlotage
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50 -25
I
D
- 漏电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
T
j
=125 C
o
T
j
=25 C
T
j
=-55 C
o
o
0
1
2
3
4
5
6
7
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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