【APM2318AN沟道增强型MOSFET特点30V / 3A ，RDS （ ON）= 35mΩ （典】,IC型号APM2322AC-TR,APM2322AC-TR PDF资料,APM2322AC-TR经销商,ic,电子元器件-51电子网

APM2318A

N沟道增强型MOSFET

特点

30V / 3A ，

DS （ ON）

= 35mΩ （典型值） @ V

=10V

DS （ ON）

= 40MΩ （典型值） @ V

=4.5V

DS （ ON）

=的60mΩ （典型值） @ V

=2.5V

引脚说明

超级高密度电池设计

可靠，坚固耐用

无铅可用（符合RoHS ）

顶视图SOT -23

应用

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统。

N沟道MOSFET

订购和标识信息

APM2318

无铅代码

处理代码

TEM页。范围

封装代码

答： SOT -23

工作结TEM页。范围

C： -55 ℃150℃

处理代码

TU ：管

TR ：带卷&

无铅代码

L：无铅设备空白：原始设备

XXXXX - 日期代码

APM2318答：

M18X

注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接

化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。

ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求

化在无铅峰值回流温度。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

牧师B.1 - 三月， 2005年

www.anpec.com.tw

APM2318A

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

注意：

*表面安装在1英寸

垫区域，叔

≤

10sec.

= 25 ° C除非另有说明）

等级

±12

=10V

150

-55到150

=25°C

=100°C

0.83

0.3

150

° C / W

°C

单位

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

300μS脉冲漏电流

二极管连续正向电流

最高结温

存储温度范围

最大功率耗散

热阻，结到环境

电气特性

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明）

APM2318A

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

静态特性

DSS

漏源击穿电压V

= 0V时，我

=250A

DSS

GS （ TH）

GSS

DS （ ON）

0.5

0.7

±100

1.3

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

=24V, V

=0V

=85°C

, I

=250A

=±12V, V

=0V

= 10V ，我

=3A

漏源导通电阻V

= 4.5V ，我

=2A

= 2.5V ，我

=1.5A

二极管的正向电压

= 0.5A ，V

=0V

栅极电荷特性

总栅极电荷

栅极 - 漏极电荷

=15V, V

=10V,

=3A

0.8

栅极 - 源电荷

版权

茂达电子股份有限公司

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APM2318A

电气特性（续）

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明）

APM2318A

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

动态特性

栅极电阻

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

注意事项：

=0V,V

=0V,F=1MHz

=0V,

=25V,

Frequency=1.0MHz

1.5

320

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

= 15V ，R

=15,

= 1A ，V

根

=10V,

一：脉冲测试;脉冲width≤300

S，值班cycle≤2 ％。

B：由设计保证，不受生产测试。

版权

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APM2318A

典型特征

功耗

1.0

0.9

3.0

0.8

0.7

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.1

0.0

=25 C

80 100 120 140 160

漏电流

3.5

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

- 漏电流（ A）

合计

- 功率（W ）

0.0

= 25℃ ，V

=10V

80 100 120 140 160

- 结温（ ° C）

安全工作区

归一化瞬态热阻

瞬态热阻抗

- 漏电流（ A）

占空比= 0.5

300

1ms

10ms

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

安装在1英寸垫

： 150℃ / W

100ms

0.1

=25 C

0.01

0.1

100

0.01

1E-4 1E-3 0.01

0.1

100

- 漏极 - 源极电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

版权

茂达电子股份有限公司

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APM2318A

典型特征（续）

输出特性

= 3,4,5,6,7,8,9,10V

100

漏源导通电阻

DS （ ON）

- 在 - 电阻（ m ）

=4.5V

=10V

=2.5V

- 漏电流（ A）

1.5V

- 漏源电压（ V）

- 漏电流（ A）

传输特性

1.8

1.6

栅极阈值电压

=250

归一化阈值电压

3.0

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

- 漏电流（ A）

=125 C

=25 C

=-55 C

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

0.0

-50 -25

100 125 150

- 门 - 源极电压（ V）

- 结温（ ° C）

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APM2322

N沟道增强型MOSFET

特点

20V / 1.5A ，R

DS （ ON）

= 195mΩ （典型值） @ V

=4.5V

DS （ ON）

= 295mΩ （典型值） @ V

=2.5V

对于极超级高密度电池设计

低R

DS （ ON）

可靠，坚固耐用

SOT- 23封装

引脚说明

顶视图SOT -23

应用

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统。

N沟道MOSFET

订购和标识信息

一个P M 23 22

andling 颂歌

牛逼EM P 。为r的GE

封装代码

答： S 0牛逼-23

操作摄像结牛逼EM P 。法兰

C： -55 1 50

andling 颂歌

牛逼R：牛逼猿& 鳗鱼

一个P M 2322答：

M 22X

X - D吃颂歌

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

= 25 ° C除非另有说明）

等级

±8

1.5

5.6

单位

参数

漏源电压

栅源电压

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲（脉冲宽度

≤

300s)

*表面装在FR4板，T

≤

10秒。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并提醒顾客获得正确

相关信息的最新版本，在下订单前核实。

版权

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APM2322

绝对最大额定值（续）

符号

参数

最大功率耗散

=25°C

=100°C

英镑

θJA

= 25 ° C除非另有说明）

等级

0.8

0.3

150

-55到150

150

°C

° C / W

单位

最高结温

存储温度范围

热阻 - 结到环境

电气特性

符号

STATIC

DSS

GS （ TH）

GSS

DS （ ON）

动态

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

二极管的正向电压

参数

= 25 ° C除非另有说明）

APM2322

典型值。

马克斯。

分钟。

测试条件

单位

= 0V时，我

=250A

=16V , V

=0V

, I

=250A

=±8V , V

=0V

= 4.5V ，我

=1.5A

= 2.5V ，我

=0.8A

= 0.5A ，V

=0V

= 10V ，我

= 1.5A

=4.5V

= 10V ，我

=1.5A,

根

= 4.5V ，R

0.6

0.75

195

295

0.8

1.4

0.22

0.33

152

1.5

±10

260

350

1.3

1.8

=0V

=15V

反向传输电容频率= 1.0MHz的

笔记

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

：由设计保证，不受生产测试

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APM2322

典型特征

输出特性

传输特性

- 漏电流（A ）

D-

漏电流（ A）

=3,4,5,6,7,8,9,10V

=2V

=-55 C

=125 C

=25 C

- 漏极至源极电压（ V）

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.4

=250A

导通电阻与漏电流

0.36

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

（归一化）

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

1.2

0.32

0.28

0.24

=2.5V

1.0

0.8

=4.5V

0.20

0.16

0.12

0.6

0.4

-50

-25

100 125 150

TJ - 结温（ ° C）

- 漏电流（ A）

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APM2322

典型特征（续）

导通电阻与栅极至源极电压

0.40

=1.5A

导通电阻与结温

1.75

=4.5V

=1.5A

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

DS （ ON）

- 酮性

（归一化）

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

1.50

1.25

1.00

0.75

@Tj=25

C： 195mΩ

0.50

-50

-25

100 125 150

- 栅极 - 源极电压（ V）

- 结温（ ° C）

栅极电荷

200

=10 V

= 1.5A

160

电容

Frequency=1MHz

西塞

-Gate - 源极电压（ V）

电容（pF）

120

科斯

CRSS

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

- 栅极电荷（ NC）

- 漏极至源极电压（ V）

版权

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APM2322

典型特征（续）

源极 - 漏极二极管正向电压

单脉冲功率

=25°C

- 源电流（A ）

功率（W）的

1.2

1.6

=150°C

=25°C

0.1

0.01

0.0

0.4

0.8

0.01

0.1

100

500

- 源极到漏极电压（V ）

时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

D=0.2

D=0.1

0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

单脉冲

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

=150°C/W

3.T

-T

thJA

0.01

1E-4

1E-3

0.01

0.1

100

500

方波脉冲持续时间（秒）

版权

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