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APM2314
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 2.8A ，R
DS （ ON）
= 45mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 55mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
SOT- 23封装
引脚说明
D
G
S
顶视图SOT -23
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
G
D
订购和标识信息
一个P M 23 14
andling 颂歌
牛逼EM P 。为r的GE
封装代码
S
N沟道MOSFET
封装代码
答： S 0牛逼-23
操作摄像结牛逼EM P 。 法兰
C： -55 1 50
°
C
andling 颂歌
牛逼R：牛逼猿& 鳗鱼
一个P M 2314答：
M 14X
X - D吃颂歌
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
20
±10
2.8
10
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月， 2003
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
APM2314
绝对最大额定值（续）
符号
P
D
参数
最大功率耗散
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
1.25
0.5
150
-55到150
100
单位
W
°C
°C
° C / W
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
V
SD
a
动态
b
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2314
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±10V , V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=1.2A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=0.8A
I
SD
= 0.5A ，V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
DS
= 3A
V
GS
=4.5V
V
DD
= 10V ，我
DS
=1A,
V
根
= 4.5V ，R
G
=6,
R
L
=10
V
GS
=0V
V
DS
=15V
20
1
0.5
0.7
45
55
0.75
6.5
0.9
0.9
6
5
16
6
435
120
65
15
11
30
15
1
±100
60
80
1.3
9
V
A
V
nA
m
V
nC
ns
pF
反向传输电容频率= 1.0MHz的
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
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2
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APM2314
典型特征
输出特性
10
V
GS
=2,3,4,5,6,7,8,9,10V
传输特性
10
8
8
I
D
- 漏电流（A ）
6
I
D-
漏电流（ A）
6
4
4
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
2
V
GS
=1V
2
T
J
=25°C
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.75
I
DS
=250A
导通电阻与漏电流
0.09
0.08
V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
TJ - 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
版权
茂达电子股份有限公司
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3
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APM2314
典型特征（续）
导通电阻与栅极至源极电压
0.070
I
D
=1.2A
导通电阻与结温
2.5
V
GS
=4.5V
I
D
=1.2A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
0.065
0.060
0.055
0.050
0.045
0.040
0.035
0.030
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
5
600
V
DS
=10V
I
D
=3A
电容
Frequency=1MHz
西塞
V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
4
500
电容（pF）
400
300
200
科斯
3
2
1
100
0
CRSS
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10
15
20
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
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APM2314
典型特征（续）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
单脉冲功率
14
12
I
S
- 源电流（A ）
10
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C
功率（W）的
1.2
1.4
1.6
8
6
4
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2
0
0.01
0.1
1
10
100
500
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=100°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
D=0.01
单脉冲
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
500
方波脉冲持续时间（秒）
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ADA3200DIP5BW
AH183-WL
AME8500BEFVCE19
AM27S35ALC
AP3844GP
AC391
ASMD250
ASPI-0428S-3R6
AD8203YRMZ-RL
APM4220KC-TRL
ASM1233D-LZ-10
AD648CQ
A42MX16-FTQ100B
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
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    APM2314AC-TR
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    -
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电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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68500
SOT-23
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
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联系人：马小姐
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SOT23
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APM2314AC-TR
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全新原装现货，原厂代理。
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APM2314AC-TR
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
APM2314AC-TR
ANPEC/茂达
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APM2314AC-TR
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