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APM2312
N沟道增强型MOSFET
特点
16V / 5A ，R
DS （ ON）
= 35mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 45mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V

R
DS （ ON）
=的60mΩ （典型值） @ V
GS
=1.8V
引脚说明
D
3
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
G
S
1
2
SOT- 23封装
顶视图SOT -23
D
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
G
订购和标识信息
APM2312
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
S
N沟道MOSFET
封装代码
答： SOT -23
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TR ：带卷&
APM2312答：
M12X
X - 日期代码
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
16
±8
5
15
A
V
单位
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 2003年7月
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
APM2312
绝对最大额定值（续）
符号
P
D
参数
最大功率耗散
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
1.25
W
0.5
150
-55到150
100
°C
°C
° C / W
单位
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
V
SD
a
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2312
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
V
GS
= 0V时，我
DS
=250
A
V
DS
=16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250
A
V
GS
=
±
8V , V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=4.5A
V
GS
= 1.8V ，我
DS
=4A
I
SD
= 1.7A ，V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
DS
= 1A
V
GS
=4.5V ,
16
1
0.5
0.7
35
45
60
0.7
10
1.9
1.8
17
33
70
80
45
1
±
100
45
55
70
1.3
12
V
A
V
nA
m
V
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
nC
V
DD
= 10V ，我
DS
=1A ,
V
根
= 4.5V ，R
G
=0.2
V
GS
=0V
V
DS
=15V
40
45
25
580
170
100
ns
pF
反向传输电容频率= 1.0MHz的
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 2003年7月
2
www.anpec.com.tw
APM2312
典型特征
输出特性
12
10
V
GS
=2,3,4,5,6,7,8,9,10V
传输特性
12
10
I
D
- 漏电流（A ）
8
6
4
2
V
GS
=1V
I
D-
漏电流（ A）
8
6
4
2
0
0.0
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
V
GS
=1.5V
0
0
1
2
3
4
5
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.75
I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
0.08
V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0
3
6
9
12
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
-25
0
25
50
75
100 125 150
TJ - 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
版权
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3
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APM2312
典型特征（续）
导通电阻与栅极至源极电压
0.10
I
D
=5A
导通电阻与结温
2.25
V
GS
=4.5V
I
D
=5A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
0.09
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
5
1000
V
DS
=10V
I
D
=1A
电容
Frequency=1MHz
V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
4
800
电容（pF）
3
600
西塞
2
400
科斯
CRSS
1
200
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
4
8
12
16
20
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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4
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APM2312
典型特征（续）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
12
10
10
8
6
4
2
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
0.01
单脉冲功率
I
S
- 源电流（A ）
T
J
=150°C
T
J
=25°C
功率（W）的
0.1
1
10
100
600
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=100°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
单脉冲
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
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