【APM2306AN沟道增强型MOSFET特点30V / 3.5A ，RDS （ ON）= 42mΩ 】,IC型号APM2306AC-TR,APM2306AC-TR PDF资料,APM2306AC-TR经销商,ic,电子元器件-51电子网

APM2306A

N沟道增强型MOSFET

特点

30V / 3.5A ，

R

DS （ ON）

= 42mΩ （典型值） @ V

GS

=10V

R

DS （ ON）

= 70mΩ （典型值） @ V

GS

=5V

引脚说明

D

G

S

超级高密度电池设计

可靠，坚固耐用

无铅可用（符合RoHS ）

顶视图SOT -23

D

应用

在笔记本电脑的电源管理，

便携式设备和电池供电

系统。

S

G

N沟道MOSFET

订购和标识信息

APM2306

无铅代码

处理代码

TEM页。范围

封装代码

答： SOT -23

工作结TEM页。范围

C： -55 ℃150℃

处理代码

TU ：管

TR ：带卷&

无铅代码

L：无铅设备空白：原始设备

XXXXX - 日期代码

APM2306答：

M06X

注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接

化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。

ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求

化在无铅峰值回流温度。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

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1

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APM2306A

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DM

*

I

S

*

T

J

T

英镑

P

D

*

R

θJA

*

注意：

*表面安装在1英寸

垫区域，叔

≤

10sec.

2

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

30

±20

3.5

V

GS

=10V

14

1.3

150

-55到150

T

A

=25°C

T

A

=100°C

0.83

0.3

150

W

° C / W

V

A

°C

单位

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

300μS脉冲漏电流

二极管连续正向电流

最高结温

存储温度范围

最大功率耗散

热阻，结到环境

电气特性

符号

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

测试条件

APM2306A

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

静态特性

BV

DSS

漏源击穿电压

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

V

SD

a

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=24V, V

GS

=0V

T

J

=85°C

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=3.5A

V

GS

= 5V ，我

DS

=2.8A

I

SD

= 1.25A ，V

GS

=0V

30

1

30

1

1.5

42

70

0.8

2

±100

65

90

1.3

V

A

V

nA

m

V

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

二极管的正向电压

b

栅极电荷特性

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

Q

gd

栅极 - 漏极电荷

12.5

V

DS

=15V, V

GS

=10V,

I

DS

=3.5A

2.4

1.3

16

nC

栅极 - 源电荷

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APM2306A

电气特性（续）

符号

参数

b

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM2306A

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

动态特性

R

G

栅极电阻

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

注意事项：

V

GS

=0V,V

DS

=0V,F=1MHz

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

Frequency=1.0MHz

1.5

400

80

45

10

19

15

35

12

8

19

6.2

pF

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

V

DD

= 15V ，R

L

=15,

I

DS

= 1A ，V

根

=10V,

R

G

=6

ns

一：脉冲测试;脉冲width≤300

S，值班cycle≤2 ％。

B：由设计保证，不受生产测试。

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APM2306A

典型特征

功耗

1.0

0.9

0.8

3.0

0.7

4.0

3.5

漏电流

I

D

- 漏电流（ A）

P

合计

- 功率（W ）

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

T

A

=25 C

0

20

40

60

80 100 120 140 160

o

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

T

A

= 25℃ ，V

G

=10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

o

T

j

- 结温（ ° C）

T

j

- 结温（ ° C）

安全工作区

归一化瞬态热阻

50

2

1

瞬态热阻抗

I

D

- 漏电流（ A）

)L

im

10

on

s(

占空比= 0.5

0.2

0.1

it

300

s

1ms

Rd

0.1

0.05

0.02

0.01

1

10ms

0.1

100ms

0.01

单脉冲

1s

DC

T

A

=25 C

0.01

0.1

o

1

10

100

1E-3

1E-4

安装在1英寸垫

o

R

θ

JA

： 150℃ / W

2

1E-3

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极 - 源极电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

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APM2306A

典型特征（续）

输出特性

14

12

10

8

6

4

2

3V

0

1

2

3

4

5

0

2

4

6

8

10

V

GS

= 5, 6, 7, 8, 9, 10V

120

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

- 在 - 电阻（ m ）

100

I

D

- 漏电流（ A）

80

V

GS

=5V

60

V

GS

=10V

40

4V

20

V

DS

- 漏极 - 源极电压（ V）

I

D

- 漏电流（ A）

传输特性

14

栅极阈值电压

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-50 -25

I

DS

=250

Α

I

D

- 漏电流（ A）

10

8

6

4

T

J

=125 C

T

J

=25 C

o

2

T

J

=-55 C

0

1

2

3

4

5

6

7

o

归一化阈值电压

12

0

25

50

75

100 125 150

V

GS

- 门 - 源极电压（ V）

T

j

- 结温（ ° C）

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APM2306

N沟道增强型MOSFET

特点

30V / 3.5A ，R

DS （ ON）

= 70mΩ （典型值） @ V

GS

=5V

R

DS （ ON）

= 42mΩ （典型值） @ V

GS

=10V

超级高密度电池设计

高功率和电流处理能力

SOT- 23封装

引脚说明

D

3

1

2

应用

开关稳压器

开关转换器

G

S

顶视图SOT -23

订购和标识信息

一个P M 23 06

andling 颂歌

牛逼EM P 。为r的GE

封装代码

答： S 0牛逼-23

操作摄像结牛逼EM P 。法兰

C： -55 1 50

°

C

andling 颂歌

牛逼R：牛逼猿& 鳗鱼

一个P M 2306答：

M 06X

X - D吃颂歌

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

漏源电压

栅源电压

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

30

±20

3.5

16

T

A

=25°C

1.25

0.5

150

-55到150

单位

V

A

W

°C

最大漏电流脉冲（脉冲宽度

≤

300s)

最大漏极电流 - 脉冲

最大功率耗散

最高结温

存储温度范围

T

A

=100°C

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

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APM2306

电气特性

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

V

SD

动态

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

GS

=0V

V

DS

=15V

Frequency=1.0MHz

V

DD

=15V,I

D

=1A,

V

GS

= 10V ，R

G

=6

V

DS

=15V, V

GS

=5V,

I

D

=3.5A

12.5

3.7

2.4

10

8

19

6.2

410

80

45

nC

ns

pF

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

二极管的正向电压

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=24V, V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 5V ，我

DS

=2.8A

V

GS

= 10V ，我

DS

=3.5A

I

SD

= 1.25A ，V

GS

=0V

70

42

1.1

1

1.5

±100

90

65

1.5

m

V

30

1

V

A

V

nA

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM2306

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

版权

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APM2306

典型特征

输出特性

12

V

GS

=5,6,7,8,9,10V

传输特性

16

T

J

=-55°C

10

I

D-

漏电流（ A）

I

D

- 漏电流（A ）

12

T

J

=25°C

8

6

4

2

V

GS

=3V

V

GS

=4V

8

T

J

=125°C

4

0

1

2

3

4

5

0

1

2

3

4

5

6

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压与温度的关系

2.25

I

DS

=250

Α

导通电阻与漏电流

120

R

DS

（上） - 酮电阻（mΩ ）

V

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

2.00

100

80

60

V

GS

=10V

V

GS

=5V

1.75

1.50

40

20

0

2

4

6

8

10

1.25

1.00

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

TJ - 结温（ ° C）

I

D

- 漏电流（ A）

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APM2306

典型特征

导通电阻与栅极至源极电压

120

导通电阻与结温

70

R

DS

（上） - 酮电阻（mΩ ）

R

DS

（上） - 酮电阻（mΩ ）

V

GS

=10V

I

D

=3.5A

100

80

I

D

=3.5A

60

50

40

30

20

10

-50

60

40

20

0

2

4

6

8

10

-25

0

25

50

75

100

125

150

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

J

- 结温（ ° C）

栅极电荷

10

750

V

D

=15V

I

D

=3.5A

电容

V

GS

-Gate - 源极电压（ V）

8

625

电容（pF）

500

西塞

375

250

125

0

5

10

15

20

25

30

6

4

2

科斯

CRSS

0

2

4

6

8

10

12

14

Q

G

- 栅极电荷（ NC）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

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APM2306

典型特征

源极 - 漏极二极管正向电压

30

单脉冲功率

14

12

I

S

- 源电流（A ）

功率（W）的

T

J

=150°C

T

J

=25°C

10

8

6

4

2

0

0.01

1

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

0.1

1

10

100

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

标准化的有效瞬态

热阻抗

1

占空比= 0.5

D=0.2

D=0.1

0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

=100°C/W

3.T

JM

-T

A

= PDMZ

thJA

0.01

1E-4

单脉冲

1E-3

0.01

0.1

1

10

100

方波脉冲持续时间（秒）

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