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APM2306
N沟道增强型MOSFET
特点
30V / 3.5A ，R
DS （ ON）
= 70mΩ （典型值） @ V
GS
=5V
R
DS （ ON）
= 42mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
超级高密度电池设计
高功率和电流处理能力
SOT- 23封装
引脚说明
D
3
1
2
应用
开关稳压器
开关转换器
G
S
顶视图SOT -23
订购和标识信息
一个P M 23 06
andling 颂歌
牛逼EM P 。为r的GE
封装代码
封装代码
答： S 0牛逼-23
操作摄像结牛逼EM P 。 法兰
C： -55 1 50
°
C
andling 颂歌
牛逼R：牛逼猿& 鳗鱼
一个P M 2306答：
M 06X
X - D吃颂歌
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
30
±20
3.5
16
T
A
=25°C
1.25
0.5
150
-55到150
单位
V
A
W
W
°C
°C
最大漏电流脉冲（脉冲宽度
≤
300s)
最大漏极电流 - 脉冲
最大功率耗散
最高结温
存储温度范围
T
A
=100°C
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

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版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 八月， 2002年
1
www.anpec.com.tw
APM2306
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0V
V
DS
=15V
Frequency=1.0MHz
V
DD
=15V,I
D
=1A,
V
GS
= 10V ，R
G
=6
V
DS
=15V, V
GS
=5V,
I
D
=3.5A
12.5
3.7
2.4
10
8
19
6.2
410
80
45
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 5V ，我
DS
=2.8A
V
GS
= 10V ，我
DS
=3.5A
I
SD
= 1.25A ，V
GS
=0V
70
42
1.1
1
1.5
±100
90
65
1.5
m
V
30
1
V
A
V
nA
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2306
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 八月， 2002年
2
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APM2306
典型特征
输出特性
12
V
GS
=5,6,7,8,9,10V
传输特性
16
T
J
=-55°C
10
I
D-
漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（A ）
12
T
J
=25°C
8
6
4
2
V
GS
=3V
V
GS
=4V
8
T
J
=125°C
4
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与温度的关系
2.25
I
DS
=250
Α
导通电阻与漏电流
120
R
DS
（上） - 酮电阻（mΩ ）
V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
2.00
100
80
60
V
GS
=10V
V
GS
=5V
1.75
1.50
40
20
0
0
2
4
6
8
10
1.25
1.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 八月， 2002年
3
www.anpec.com.tw
APM2306
典型特征
导通电阻与栅极至源极电压
120
导通电阻与结温
70
R
DS
（上） - 酮电阻（mΩ ）
R
DS
（上） - 酮电阻（mΩ ）
V
GS
=10V
I
D
=3.5A
100
80
I
D
=3.5A
60
50
40
30
20
10
-50
60
40
20
0
2
4
6
8
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
750
V
D
=15V
I
D
=3.5A
电容
V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
8
625
电容（pF）
500
西塞
375
250
125
0
0
5
10
15
20
25
30
6
4
2
科斯
CRSS
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 八月， 2002年
4
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APM2306
典型特征
源极 - 漏极二极管正向电压
30
单脉冲功率
14
12
I
S
- 源电流（A ）
功率（W）的
T
J
=150°C
T
J
=25°C
10
10
8
6
4
2
0
0.01
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0.1
1
10
100
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=100°C/W
3.T
JM
-T
A
= PDMZ
thJA
0.01
1E-4
单脉冲
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
方波脉冲持续时间（秒）
版权
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5
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