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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第73页 > APM2300AAC-TRL
APM2300AA
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 6A ，
R
DS （ ON）
= 25MΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 32mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 40MΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
引脚说明
D
G
S
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图SOT -23
D
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
S
G
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2300A
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
答： SOT -23
操作摄像结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2300A答：
A00X
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM2300AA
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
20
±12
V
GS
=10V
6
20
1
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
0.83
0.3
150
W
° C / W
A
°C
V
A
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2300AA
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
20
1
30
0.5
0.7
25
32
40
0.7
1
±100
30
40
55
1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=6A
漏源导通电阻V
GS
= 4.5V ，我
DS
=3A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=2A
二极管的正向电压
b
I
SD
= 1.25A ，V
GS
=0V
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
5
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=6A
1
1.1
10
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
2
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APM2300AA
电气特性（续）
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2300AA
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
动态特性
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
6
420
100
60
8
15
12
35
23
6
19
7
pF
V
DD
= 10V ，R
L
=10,
I
DS
= 1A ，V
根
=4.5V,
R
G
=6
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
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3
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APM2300AA
典型特征
功耗
1.0
0.9
6
0.8
0.7
5
4
3
2
1
0.1
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
漏电流
7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
T
A
= 25℃ ，V
G
=10V
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
o
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
I
D
- 漏电流（ A）
R
ds
(o
n)
L
10
im
it
1ms
0.1
0.05
0.02
0.01
1
10ms
100ms
0.01
单脉冲
0.1
1s
DC
0.01
T
A
=25 C
0.1
1
10
100
o
1E-3
1E-4 1E-3 0.01
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 150℃ / W
2
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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APM2300AA
典型特征（续）
输出特性
20
18
16
V
GS
=3,4,5,6,7,8,9,10V
60
70
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
V
GS
=2.5V
I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
1.5V
6
8
10
2V
50
40
30
20
10
0
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
20
18
16
1.50
栅极阈值电压
I
DS
=250
A
I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
T
j
=125 C
T
j
=25 C
o
o
归一化阈值电压
3.0
1.25
1.00
T
j
=-55 C
o
0.75
0.50
0.25
1.0
1.5
2.0
2.5
0.00
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
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