添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1002页 > APM2300AAC-TR
APM2300AA
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 6A ,
R
DS ( ON)
= 25MΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 32mΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
= 40MΩ (典型值) @ V
GS
=2.5V
引脚说明
D
G
S
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
顶视图SOT -23
D
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
S
G
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2300A
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
答: SOT -23
操作摄像结TEM页。范围
C: -55 ℃150℃
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2300A答:
A00X
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM2300AA
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意:
*表面安装在1英寸
垫区域,叔
10sec.
2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
20
±12
V
GS
=10V
6
20
1
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
0.83
0.3
150
W
° C / W
A
°C
V
A
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻,结到环境
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM2300AA
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时,我
DS
=250A
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
a
a
20
1
30
0.5
0.7
25
32
40
0.7
1
±100
30
40
55
1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=6A
漏源导通电阻V
GS
= 4.5V ,我
DS
=3A
V
GS
= 2.5V ,我
DS
=2A
二极管的正向电压
b
I
SD
= 1.25A ,V
GS
=0V
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
5
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=6A
1
1.1
10
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
2
www.anpec.com.tw
APM2300AA
电气特性(续)
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM2300AA
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
动态特性
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
注意事项:
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
6
420
100
60
8
15
12
35
23
6
19
7
pF
V
DD
= 10V ,R
L
=10,
I
DS
= 1A ,V
=4.5V,
R
G
=6
ns
一:脉冲测试;脉冲width≤300
S,值班cycle≤2 % 。
B:由设计保证,不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
3
www.anpec.com.tw
APM2300AA
典型特征
功耗
1.0
0.9
6
0.8
0.7
5
4
3
2
1
0.1
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
漏电流
7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
I
D
- 漏电流( A)
P
合计
- 功率(W )
T
A
= 25℃ ,V
G
=10V
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
o
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
I
D
- 漏电流( A)
R
ds
(o
n)
L
10
im
it
1ms
0.1
0.05
0.02
0.01
1
10ms
100ms
0.01
单脉冲
0.1
1s
DC
0.01
T
A
=25 C
0.1
1
10
100
o
1E-3
1E-4 1E-3 0.01
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
: 150℃ / W
2
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
4
www.anpec.com.tw
APM2300AA
典型特征(续)
输出特性
20
18
16
V
GS
=3,4,5,6,7,8,9,10V
60
70
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
V
GS
=2.5V
I
D
- 漏电流( A)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
1.5V
6
8
10
2V
50
40
30
20
10
0
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
I
D
- 漏电流( A)
传输特性
20
18
16
1.50
栅极阈值电压
I
DS
=250
A
I
D
- 漏电流( A)
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
T
j
=125 C
T
j
=25 C
o
o
归一化阈值电压
3.0
1.25
1.00
T
j
=-55 C
o
0.75
0.50
0.25
1.0
1.5
2.0
2.5
0.00
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
5
www.anpec.com.tw
APM2300A
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 6A ,R
DS ( ON)
= 25MΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 32mΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
= 40MΩ (典型值) @ V
GS
=2.5V
引脚说明
D
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
SOT- 23封装
G
S
顶视图SOT -23
D
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
G
订购和标识信息
一个P M 23 00
andling 颂歌
牛逼EM P 。为r的GE
封装代码
S
N沟道MOSFET
封装代码
答: S 0牛逼-23
操作摄像结牛逼EM P 。 法兰
C: -55 1 50
°
C
andling 颂歌
牛逼R:牛逼猿& 鳗鱼
一个P M 2300A答:
A 0 0X
X - D吃颂歌
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
20
±12
6
20
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.4修订版 - 2003年5月
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板,T
10秒。
APM2300A
绝对最大额定值(续)
符号
P
D
参数
最大功率耗散
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
1.25
0.5
150
-55到150
100
单位
W
°C
°C
° C / W
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
a
V
SD
a
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM2300A
分钟。
20
1
0.5
0.7
25
32
40
0.7
10
3.6
2
8
14
12
45
23
pF
ns
1.0
±
100
30
40
55
1.3
12
nC
V
m
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时,我
DS
=250
A
V
DS
=16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250
A
V
GS
=±12V , V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=6A
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=3A
V
GS
= 2.5V ,我
DS
=2A
I
SD
= 1.25A ,V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
DS
= 6A
V
GS
=4.5V
V
A
V
nA
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
V
DD
= 10V ,我
DS
=1A ,
V
= 4.5V ,R
G
=0.2
V
GS
=0V
V
DS
=15V
6
19
7
550
120
80
反向传输电容频率= 1.0MHz的
笔记
a
b
:脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
2%
:由设计保证,不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
A.4修订版 - 2003年5月
2
www.anpec.com.tw
APM2300A
典型特征
输出特性
20
V
GS
=3,4.5,6,7,8V
传输特性
20
I
D
- 漏电流(A )
V
GS
=2V
10
I
D-
漏电流( A)
15
15
10
5
V
GS
=1.5V
V
GS
=1V
5
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
阈值电压与结温
1.50
I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
0.7
V
GS ( TH) -
阈值电压( V)
(归一化)
R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
0.6
0.5
V
GS
=2.5V
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
2
V
GS
=4.5V
-25
0
25
50
75
100 125 150
4
6
8
10
TJ - 结温( ° C)
I
D
- 漏电流( A)
版权
茂达电子股份有限公司
A.4修订版 - 2003年5月
3
www.anpec.com.tw
APM2300A
典型特征(续)
导通电阻与栅极至源极电压
0.09
I
D
=6A
导通电阻与结温
2.00
V
GS
=10V
1.75
I
D
=6A
R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
R
DS ( ON)
- 酮电阻(Ω )
(归一化)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
10
V
DS
=10V
I
D
=6A
电容
750
625
Frequency=1MHz
西塞
V
GS
-Gate - 源极电压( V)
8
电容(pF)
500
375
250
125
0
科斯
CRSS
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
5
10
15
20
Q
G
- 栅极电荷( NC)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
版权
茂达电子股份有限公司
A.4修订版 - 2003年5月
4
www.anpec.com.tw
APM2300A
典型特征(续)
源极 - 漏极二极管正向电压
20
14
12
单脉冲功率
I
S
- 源电流(A )
10
10
功率(W)的
8
6
4
2
T
J
=150°C
T
J
=25°C
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
0.01
0.1
1
10
100
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
时间(秒)
归瞬态热阻抗,结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
1.Duty周期,D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=100°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
单脉冲
D=0.01
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
A.4修订版 - 2003年5月
5
www.anpec.com.tw
查看更多APM2300AAC-TRPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APM2300AAC-TR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885514887 复制

电话:0755-83987779
联系人:洪小姐
地址:福田区中航路都会电子城2C020A室(本公司可以开13%增票,3%增票和普票)
APM2300AAC-TR
APEN
2023+PB
8900
SOT23
★专业经营贴片二,三极管,桥堆★现货库存低价抛售★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制

电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
APM2300AAC-TR
AMPEC
24+
15862
SOT-23
全新原装现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
APM2300AAC-TR
茂达
24+
11880
SOT
优势现货,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
APM2300AAC-TR
ANPEC/茂达电子
2443+
23000
SOT23-3
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
APM2300AAC-TR
ANPEC/茂达电子
24+
8640
SOT-23
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
APM2300AAC-TR
ANPEC
1926+
9854
SOT23
只做进口原装正品现货,或订货假一赔十!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
APM2300AAC-TR
AMPEC
21+22+
62710
SOT-23
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
APM2300AAC-TR
APEN
24+
30000
SOT23
进口原装大量现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885514887 复制

电话:0755-83987779
联系人:洪小姐
地址:福田区中航路都会电子城2C020A室(本公司可以开13%增票,3%增票和普票)
APM2300AAC-TR
APEN
2023+PB
60000
SOT23
★专业经营贴片二,三极管,桥堆★现货库存低价抛售★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:871980663 复制

电话:0755-83220081
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区深南中路南侧南光捷佳大厦1727
APM2300AAC-TR
AMPEC
24+
16300
全新原装现货,量大从优,可开13%税票!
查询更多APM2300AAC-TR供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!