APM2300AA
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 6A ,
R
DS ( ON)
= 25MΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 32mΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
= 40MΩ (典型值) @ V
GS
=2.5V
引脚说明
D
G
S
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
顶视图SOT -23
D
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
S
G
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2300A
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
答: SOT -23
操作摄像结TEM页。范围
C: -55 ℃150℃
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2300A答:
A00X
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM2300A
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 6A ,R
DS ( ON)
= 25MΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 32mΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
= 40MΩ (典型值) @ V
GS
=2.5V
引脚说明
D
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
SOT- 23封装
G
S
顶视图SOT -23
D
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
G
订购和标识信息
一个P M 23 00
andling 颂歌
牛逼EM P 。为r的GE
封装代码
S
N沟道MOSFET
封装代码
答: S 0牛逼-23
操作摄像结牛逼EM P 。 法兰
C: -55 1 50
°
C
andling 颂歌
牛逼R:牛逼猿& 鳗鱼
一个P M 2300A答:
A 0 0X
X - D吃颂歌
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
20
±12
6
20
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
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A.4修订版 - 2003年5月
1
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*表面装在FR4板,T
≤
10秒。
APM2300A
典型特征(续)
源极 - 漏极二极管正向电压
20
14
12
单脉冲功率
I
S
- 源电流(A )
10
10
功率(W)的
8
6
4
2
T
J
=150°C
T
J
=25°C
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
0.01
0.1
1
10
100
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
时间(秒)
归瞬态热阻抗,结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
1.Duty周期,D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=100°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
单脉冲
D=0.01
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
方波脉冲持续时间(秒)
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茂达电子股份有限公司
A.4修订版 - 2003年5月
5
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