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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第956页 > APM2095PUC-TR
APM2095P
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -3.6A ，R
DS （ ON）
= 70mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
R
DS （ ON）
=为100mΩ （典型值） @ V
GS
=-2.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
TO- 252封装
引脚说明
G
D
S
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
顶视图TO- 252
订购和标识信息
APM 2095P
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
U： T O服务-2 5 2
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
一个P M 2095P U：
一个P M 2095P
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM

漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-20
±10
-3.6
-20
A
V
单位
最大漏极电流 - 连续
最大漏电流脉冲（脉冲宽度
≤
300s)
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师A.1 - 11月2003
1
www.anpec.com.tw
APM2095P
绝对最大额定值续。
符号
P
D
参数
最大功率耗散
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
J
T
英镑
R
θJA
*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
50
W
20
150
-55到150
50
2.5
°C
° C / W
单位
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
热阻 - 结到管壳
2
R
θJC
*安装
PCB上的1英寸焊盘面积。
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
a
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2095P
典型值。
马克斯。
分钟。
参数
测试条件
单位
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±10V , V
DS
=0V
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-3.6A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
=-2A
I
SD
= -1A ，V
GS
=0V
V
DS
= -10V ，我
DS
=-3.6A
V
GS
=-4.5V
-20
-1
-0.5
-0.7
70
100
-0.7
11
2
1.5
13
22
56
70
58
-1
±100
95
125
-1.3
15
V
A
V
nA
m
V
V
SD
二极管的正向电压
b
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
nC
V
DD
= -10V ，我
DS
=-3.6A ,
V
根
= -4.5V ，R
G
=6
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
36
45
37
550
170
120
ns
pF
反向传输电容频率= 1.0MHz的
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
2
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版权
茂达电子股份有限公司
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APM2095P
典型特征
输出特性
20
20
传输特性
-I
D
- 漏电流（A ）
-V
GS
=3,4,5,6,7,8V
12
-I
D-
漏电流（ A）
16
16
12
8
-2V
8
T
j
=125 C
T
j
=25 C
o
o
4
-1.5V
4
T
j
=-55 C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
o
0
0
2
4
6
8
10
0
0.0
0.5
1.0
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.8
1.6
I
DS
=250
A
0.16
导通电阻与漏电流
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
-V
GS （ TH） -
阈值电压
（归一化）
0.14
0.12
-V
GS
=2.5V
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
-V
GS
=4.5V
0
2
4
6
8
10
TJ - 结温（ ° C）
-I
D
- 漏电流（ A）
版权
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3
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APM2095P
典型特征
导通电阻与栅极至源极电压
0.10
-I
D
= 3.6A
导通电阻与结温
1.5
1.4
-V
GS
= 4.5V
-I
DS
= 3.6A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
R
DS （ ON）
- 酮性
（归一化）
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
R
ON
@T
j
= 25℃ ： 70米
-25
0
25
50
75
100 125 150
O
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.6
-50
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
5
1000
-V
DS
= 10 V
4
-I
D
= 3.5 A
800
电容
Frequency=1MHz
-V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
3
电容（pF）
600
西塞
2
400
1
200
CRSS
科斯
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
4
8
12
16
20
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
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APM2095P
典型特征
源极 - 漏极二极管正向电压
20
10
300
250
200
T
j
=25 C
1
o
单脉冲功率
在垫装上1
O
T
A
=25 C
2
-I
S
- 源电流（A ）
T
j
=150 C
功率（W）的
1.2
1.4
1.6
o
150
100
50
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100300
-V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
2
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
0.01
1.Duty周期，D = T1 / T2
o
2.Per单位基础= R
thJA
= 50℃ / W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.表面安装
1E-3
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
300
方波脉冲持续时间（秒）
版权
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