APM2070P
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -5A ，R
DS （ ON）
= 78mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 113mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
TO- 252封装
引脚说明
G
D
S
顶视图TO- 252
5
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
/
,
,
订购和标识信息
APM 2070P
L E A D楼Re式C D E
H A dlin克C 0 D E
TEM页。 法兰
P ackage 颂歌
P沟道MOSFET
P ackage 颂歌
U： T O服务-2 5 2
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：磁带& 鳗鱼
L E A D楼Re式C D E
L： L E A D楼Re ê D E V IC ê
B LA N·K ：在A L D E V IC ê RG
X X X X X - D上TE C 0 D E
一个P M 2070P U：
一个P M 2070P
XXXXX
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-20
±16
-5
-20
单位
V
A
参数
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
I
DM
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 九月， 2003
1
www.anpec.com.tw
APM2070PU
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V/-8A,
R
DS （ ON）
= 78mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 113mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图TO- 252
S
应用
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器
G
D
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2070P
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
U： TO- 252
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2070P U：
APM2070P
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料和100 ％雾锡板终止完成;
这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL无铅要求
在无铅峰值回流温度分类。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
1
www.anpec.com.tw
APM2070PU
典型特征
功耗
60
10
漏电流
50
8
40
-I
D
- 漏电流（ A）
o
P
合计
- 功率（W ）
6
30
4
20
10
T
C
=25 C
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
2
o
0
0
T
C
= 25℃ ，V
G
=-10V
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
80
2
瞬态热阻抗
归一化瞬态热阻
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.05
-I
D
- 漏电流（ A）
10
Rd
S（O
n)
LIM
it
100ms
1s
DC
0.1
0.02
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 50℃ / W
2
1
T
C
=25 C
0.1
0.1
o
1
10
60
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
4
www.anpec.com.tw
QQ：2881677436 复制
