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APM2055N
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 12A ，R
DS （ ON）
= 55mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 75mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 140mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
引脚说明
超级高密度电池设计
高功率和电流处理能力
TO- 252和SOT- 223封装
1
2
3
1
2
3
G
D
S
G
D
S
顶视图TO- 252
D
SOT- 223的俯视图
应用
开关稳压器
开关转换器
G
订购和标识信息
一个P M 2 055
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
C组颂歌
S
N沟道MOSFET
C组颂歌
U： T O服务-2 5 2
V ： S 0牛逼-2 2 3
P·Eラ蒂奥N·J加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0
°
C
H A N D林克C 0 D E
TR ：磁带& 鳗鱼
AP M 2055N U：
AP M 2055N
XXXXX
XXXXX
- D上TE C 0 D E
AP M 2055N V ：
AP M 2055N
XXXXX
XXXXX
- D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
20
±16
12
20
A
V
单位
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.1版本 - 二月， 2003
1
www.anpec.com.tw
APM2055N
绝对最大额定值（续）
符号
参数
T
A
=25
°
C
P
D
最大功率耗散
T
A
=100
°
C
T
J
T
英镑
R
θJA
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
TO-252
SOT-223
TO-252
SOT-223
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
50
3
10
1.2
150
-55到150
50
°
C
°
C
°
C / W
W
单位
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2055N
分钟。
典型值。
马克斯。
20
1
0.7
0.9
1.5
±100
55
75
140
0.7
70
90
160
1.3
V
m
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=16V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250
A
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2A
单位
V
A
V
nA
V
SD
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
二极管的正向电压
I
S
= 2A ，V
GS
=0V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DS
=15V, V
GS
=4.5V,
I
D
=1.5A
7
2.5
1.5
8.5
nC
V
DD
= 15V ，我
D
=2A,
V
GS
= 10V ，R
G
=6
9.2
14
31
16
18.6
27
58
21
ns
版权
茂达电子股份有限公司
A.1版本 - 二月， 2003
2
www.anpec.com.tw
APM2055N
典型特征
输出特性
20
V
GS
=4,5,6,7,8,9,10V
传输特性
20
I
D
- 漏电流（A ）
V
GS
=3V
12
I
D-
漏电流（ A）
16
16
12
8
8
T
J
=125°C
4
V
GS
=2V
4
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.50
I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
0.125
V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.100
V
GS
=4.5V
0.075
V
GS
=10V
0.050
0.025
0.000
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
TJ - 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
版权
茂达电子股份有限公司
A.1版本 - 二月， 2003
3
www.anpec.com.tw
APM2055N
典型特征（续）
导通电阻与栅极至源极电压
0.200
I
D
=5A
导通电阻与结温
2.25
V
GS
=4.5V
2.00
I
D
=5A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
0.050
0.025
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
5
V
DS
=15V
I
D
=1.5A
电容
600
500
Frequency=1MHz
V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
4
电容（pF）
400
300
200
西塞
3
2
1
科斯
100
0
CRSS
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
茂达电子股份有限公司
A.1版本 - 二月， 2003
4
www.anpec.com.tw
APM2055N
典型特征（续）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
10
250
单脉冲功率
I
S
- 源电流（A ）
200
功率（W）的
1.2
1.4
1.6
150
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C
100
50
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.1
D=0.02
D=0.01
单脉冲
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
A.1版本 - 二月， 2003
5
www.anpec.com.tw
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