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APM2054ND
N沟道增强型MOSFET
特点
20V/5A,
R
DS （ ON）
= 35mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 45mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 110mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图SOT- 89
(2)
D
应用
开关稳压器
开关转换器
(1)
G
S
(3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
永磁2054N
L E A D楼Re式C D E
H A N D林克C 0 D E
牛逼EM P 。 法兰
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
D： S 0牛逼-8 9
P·E·R锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： - 5月5日至5月1日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
L E A D楼Re式C D E
1：1 EAD F稀土 EV IC式B LA NK ：O型 IG的人 EV IC ê
一个下午2054N D：
APM 2054
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM2054ND
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
垫区域，叔
≤
10sec.
2
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
功率消耗单操作
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=10V
等级
20
±16
5
20
3
150
-55到150
1.47
0.58
85
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM2054ND
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=5A
20
1
30
0.6
0.9
35
45
110
0.7
1.5
±100
40
54
130
1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=3.5A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=2.5A
I
SD
= 3A ，V
GS
=0V
二极管的正向电压
b
动态特性
t
D（上）
导通延迟时间
T
r
t
D（关闭）
T
f
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 10V ，R
L
=10,
I
DS
= 1A ，V
根
=4.5V,
R
G
=6
7
15
19
6
10
25
26
7
ns
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
2
www.anpec.com.tw
APM2054ND
电气特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
b
测试条件
APM2054ND
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
2.5
450
100
60
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
注意事项：
11.5
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=5A
3.8
5.2
15
nC
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
3
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APM2054ND
典型特征
功耗
1.6
1.4
5
1.2
6
漏电流
P
合计
- 功率（W ）
I
D
- 漏电流（ A）
4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
3
2
1
T
A
= 25℃ ，V
G
=10V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
o
0
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温
安全工作区
归一化瞬态热阻
100
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
I
D
- 漏电流（ A）
10
s(
Rd
i
)L
on
m
it
0.2
0.1
300
s
1ms
0.1
0.02
0.01
0.05
1
10ms
100ms
1s
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
85 C / W
2
0.1
DC
T
A
=25 C
0.01
0.1
o
1
10
60
1E-3
1E-4 1E-3 0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
4
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APM2054ND
典型特征（续）
输出特性
20
18
16
V
GS
= 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10V
140
V
GS
=2.5V
160
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
120
100
80
60
V
GS
=4.5V
40
20
0
V
GS
=10V
I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
2V
6
8
10
3V
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
20
18
1.6
栅极阈值电压
I
DS
=250
A
1.4
归一化阈值电压
5
16
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
I
D
- 漏电流（ A）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
T
j
=25 C
o
T
j
=125 C
o
o
T
j
=-55 C
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
5
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