【APM2030NN沟道增强型MOSFET特点20V / 6A ，RDS （ ON）= 35mΩ （典】,IC型号APM2030,APM2030 PDF资料,APM2030经销商,ic,电子元器件-51电子网

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APM2030N

N沟道增强型MOSFET

特点

20V / 6A ，R

DS （ ON）

= 35mΩ （典型值） @ V

GS

=4.5V

R

DS （ ON）

= 38mΩ （典型值） @ V

GS

=2.5V

对于极超级高密度电池设计

低R

DS （ ON）

可靠，坚固耐用

TO- 252封装

引脚说明

1

2

3

G

D

S

应用

在计算机电源管理，便携式

设备和电池供电系统。

顶视图TO- 252

订购和标识信息

APM2030N

处理代码

TEMP 。 RANGE

封装代码

封装代码

U： TO- 252

工作结点温度。范围

C： -55 150

°

C

处理代码

TR ：带卷&

APM2030N U：

APM2030N

XXXXX

XXXXX - 日期代码

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

漏源电压

栅源电压

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

20

±10

V

单位

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

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1

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APM2030N

绝对最大额定值（续）

符号

I

D*

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

R

θJA

参数

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲

最大功率耗散

最高结温

存储温度范围

热阻 - 结到环境

T

A

=25°C

T

A

=100°C

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

20

40

50

W

10

150

-55到150

50

°C

°C

° C / W

A

单位

*表面装在FR4板，T

≤

10秒。

电气特性

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

a

V

SD

a

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

二极管的正向电压

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM2030N

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

V

GS

= 0V时，我

DS

=250

A

V

DS

=18V , V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250

A

V

GS

=

±

10V , V

DS

=0V

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=6A

V

GS

= 2.5V ，我

DS

=2A

I

SD

= 4A ，V

GS

=0V

V

DS

= 10V ，我

DS

= 5A

V

GS

=4.5V ,

20

1

0.5

35

38

0.6

9

3.6

1

17

1.5

±

100

40

50

1.3

18

V

A

V

nA

m

V

动态

b

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

栅极 - 源电荷

Q

gd

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

nC

V

DD

= 10V ，我

DS

=1A ,

V

根

= 4.5V ，R

G

=0.2

V

GS

=0V

V

DS

=15V

15

45

25

520

110

70

ns

pF

反向传输电容频率= 1.0MHz的

笔记

a

b

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%

：由设计保证，不受生产测试

2

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APM2030N

典型特征

输出特性

20

V

GS

=2.5,3,4,5,6,7,8,9,10V

传输特性

20

18

I

D

- 漏电流（A ）

15

I

D-

漏电流（ A）

16

14

12

10

8

6

4

2

T

J

=25°C

T

J

=-55°C

T

J

=125°C

10

2V

5

1.5V

0

0

1

2

3

4

5

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.50

I

DS

=250uA

导通电阻与漏电流

0.0500

0.0475

V

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

（归一化）

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.0450

0.0425

0.0400

0.0375

0.0350

0.0325

0.0300

0.0275

V

GS

=4.5V

V

GS

=2.5V

-25

0

25

50

75

100 125 150

0.0250

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

TJ - 结温（ ° C）

I

D

- 漏电流（ A）

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3

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APM2030N

典型特征

导通电阻与栅极至源极电压

0.125

I

D

=6A

导通电阻与结温

2.00

V

GS

=4.5V

1.75

I

D

=6A

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.100

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

（归一化）

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

1.50

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.075

0.050

0.025

0.000

0.00

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

J

- 结温（ ° C）

栅极电荷

10

750

V

DS

=10V

I

D

=5A

电容

Frequency=1MHz

V

GS

-Gate - 源极电压（ V）

8

625

电容（pF）

西塞

500

375

250

科斯

6

4

2

125

0

CRSS

0

0

2

4

6

8

10 12 14 16 18 20

0

5

10

15

20

Q

G

- 栅极电荷（ NC）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

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APM2030N

典型特征

源极 - 漏极二极管正向电压

20

10

250

单脉冲功率

I

S

- 源电流（A ）

200

功率（W）的

T

J

=150°C

T

J

=25°C

150

1

100

50

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0

1E-3

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

标准化的有效瞬态

热阻抗

1

占空比= 0.5

D=0.2

D=0.1

D=0.05

0.1

D=0.02

D=0.01

单脉冲

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

=50°C/W

3.T

JM

-T

A

=P

DM

Z

thJA

0.01

1E-4

1E-3

0.01

0.1

1

10

100

1000

方波脉冲持续时间（秒）

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联系人：杨小姐

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2443+

23000

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