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APM2023N
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 12.8A ，R
DS （ ON）
= 20MΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 29mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
TO- 252封装
引脚说明
1
2
3
G
D
S
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
顶视图TO- 252
D
G
订购和标识信息
APM2023N
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
S
N沟道MOSFET
封装代码
U： TO- 252
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TR ：带卷&
APM2023N U：
APM2023N
XXXXX
XXXXX - 日期代码
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
20
±12
12.8
50
A
V
单位
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师A.1 - 12月2002年
1
www.anpec.com.tw
APM2023N
绝对最大额定值（续）
符号
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
参数
T
A
=25°C
最大功率耗散
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
T
A
=100°C
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
50
W
10
150
-55到150
50
°C
°C
° C / W
单位
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
V
SD
a
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2023N
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
V
GS
= 0V时，我
DS
=250
A
V
DS
=16V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250
A
V
GS
=
±
12V , V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=12.8A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=6.6A
I
SD
= 1.7A ，V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
DS
= 6A
V
GS
=4.5V ,
18
1
0.5
0.7
20
29
0.8
15
5.4
3
25
47
42
120
65
1
±
100
23
35
1.1
18
V
A
V
nA
m
V
动态
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
nC
V
DD
= 10V ，我
DS
=1A ,
V
根
= 4.5V ，R
G
=0.2
V
GS
=0V
21
65
35
780
165
105
ns
输出电容
V
DS
=15V
反向传输电容频率= 1.0MHz的
pF
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
版权
茂达电子股份有限公司
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2
www.anpec.com.tw
APM2023N
典型特征
输出特性
50
45
30
25
传输特性
I
D
- 漏电流（A ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
=2V
I
D-
漏电流（ A）
40
V
GS
=3,4,5,6,7,8,9,10V
20
15
T
J
=125°C
10
T
J
=25°C
5
0
0.0
T
J
=-55°C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.50
I
DS
=250uA
导通电阻与漏电流
0.050
V
GS （ TH） -
阈值电压（ V）
（归一化）
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.045
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.010
0
5
10
15
20
25
30
TJ - 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
版权
茂达电子股份有限公司
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3
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APM2023N
典型特征
导通电阻与栅极至源极电压
0.10
I
D
=6.6A
导通电阻与结温
2.00
V
GS
=4.5V
ID
=12.8A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
0.09
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
1200
V
DS
=10V
I
D
=6A
电容
Frequency=1MHz
V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
8
1000
电容（pF）
800
600
400
200
西塞
6
4
2
科斯
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
0
0
4
8
12
16
20
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
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4
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APM2023N
典型特征
源极 - 漏极二极管正向电压
30
单脉冲功率
80
10
I
S
- 源电流（A ）
60
T
J
=150°C
T
J
=25°C
功率（W）的
40
1
20
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
0
0.01
0.1
1
10
30
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
1.Duty周期，D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
单脉冲
D=0.02
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
版权
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5
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