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APM2014NU
N沟道增强型MOSFET
特点
20V/40A,
R
DS （ ON）
= 12mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 18MΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图TO- 252
D
应用
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器
G
S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2014N
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
U： TO- 252
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2014N U：
APM2014N
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料和100 ％雾锡板终止完成;
这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL无铅要求
在无铅峰值回流温度分类。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
1
www.anpec.com.tw
APM2014NU
绝对最大额定值
符号
参数
等级
20
±16
150
-55到150
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
16
100
75
40*
25
50
20
2.5
W
° C / W
V
°C
°C
A
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
安装在大型散热片
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JC
300μS脉冲漏极电流测试
A
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到管壳
2
A
安装在印刷电路板1英寸垫面积
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JA
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
100
75
10
6
2.5
1
50
W
° C / W
A
A
安装在PCB上最小的足迹
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JA
注意：
*目前受限于键合线。
300μS脉冲漏极电流测试
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
100
75
9
6
1.6
0.6
75
A
连续漏电流
最大功率耗散
热阻，结到环境
A
W
° C / W
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
2
www.anpec.com.tw
APM2014NU
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±16V, V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=10A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=5A
12
18
0.7
0.9
20
1
30
1.5
±100
14
25
V
A
V
nA
m
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM2014NU
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
R
DS （ ON）一
漏源导通电阻
二极管
V
SDA
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
t
rr
b
b
二极管的正向电压
I
SD
= 4A ，V
GS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
0.8
1.3
V
pF
动态特性
b
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 10A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
V
DD
= 10V ，R
L
=10,
I
DS
= 1A ，V
根
=4.5V,
R
G
=6
1.7
1290
300
210
10
15
28
17
20
9
20
29
52
33
ns
nC
ns
Q
rr
栅极电荷特性
b
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项：
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
一：脉冲测试;脉冲width≤300
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
18.2
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=5A
5.6
4.8
24
nC
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月
3
www.anpec.com.tw
APM2014NU
典型特征
功耗
60
漏电流
50
50
40
40
I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
30
30
20
20
10
T
C
=25 C
o
10
T
C
= 25℃ ，V
G
=4.5V
o
0
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
0
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
200
100
LIM
it
瞬态热阻抗
2
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 50℃ / W
2
10ms
100ms
10
1s
DC
1
T
C
=25 C
0.1
0.1
o
标准化的有效瞬态
I
D
- 漏电流（ A）
Rd
S（O
n)
单脉冲
1
10
70
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
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启示录B.2 - 2005年10月
4
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APM2014NU
典型特征（续）
输出特性
100
V
GS
=5,6,7,8,9,10V
90
80
40
36
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
4V
32
28
24
20
16
12
8
4
V
GS
=2.5V
I
D
- 漏电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
2.5V
2V
4
5
3V
V
GS
=4.5V
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
100
90
80
T
j
=-55 C
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
T
j
=25 C
T
j
=125 C
o
o
o
栅极阈值电压
1.6
I
DS
=250
A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
归一化的阈值Vlotage
I
D
- 漏电流（ A）
0
25
50
75 100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
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ACTF530/418.0/QCC8C
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