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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第85页 > APM1404SC-TRL
APM1404S
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 1.2A ，
R
DS （ ON）
= 90mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 120MΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
引脚说明
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SC- 70封装
无铅可用（符合RoHS ）
D
SC- 70的俯视图
应用
G
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM1404
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
S： SC- 70
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
APM1404 S：
04
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
1
www.anpec.com.tw
APM1404S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
2
垫区域，叔
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
20
±10
V
GS
=4.5V
1.2
4.3
0.5
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
0.35
0.14
360
W
° C / W
A
°C
V
A
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
≤
10sec.
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
电气特性
符号
参数
测试条件
APM1404S
分钟。
20
1
0.5
0.7
90
120
0.8
255
1
±100
120
160
1.3
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=16V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=1.2A
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=0.6A
I
SD
= 0.5A ，V
GS
=0V
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
动态特性
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 10V ，我
DS
=1A,
V
根
= 4.5V ，R
G
=6,
R
L
=10
V
GS
=0V,V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
70
50
2
2
7
3
4
4
10
5
pF
ns
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
2
www.anpec.com.tw
APM1404S
电气特性（续）
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM1404S
分钟。
典型值。
马克斯。
测试条件
单位
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
5
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=1.2A
0.68
0.72
7
nC
栅极 - 源电荷
注意事项：
一：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%.
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
3
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APM1404S
典型特征
功耗
0.40
1.5
漏电流
0.32
1.2
0.24
I
D
- 漏电流（ A）
P
合计
- 功率（W ）
0.9
0.16
0.6
0.08
o
0.3
o
0.00
T
A
=25 C
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
T
A
= 25℃ ，V
G
=4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
10
it
瞬态热阻抗
2
1
占空比= 0.5
I
D
- 漏电流（ A）
ds
(o
n)
Li
m
300
s
1ms
1
R
0.2
0.1
10ms
0.1
0.05
0.1
100ms
0.02
0.01
单脉冲
2
1s
T = 25℃
0.01
A
0.1
o
DC
1
10
50
0.01
1E-4
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 360℃ / W
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
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4
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APM1404S
典型特征（续）
输出特性
5.0
4.5
4.0
V
GS
= 3,4,5,6,7,8,9,10V
0.20
2.5V
0.18
V
GS
=2.5V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（Ω ）
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
V
GS
=4.5V
I
D
- 漏电流（ A）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
1.5V
2V
4
5
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
5.0
4.5
4.0
T
j
=-55 C
o
栅极阈值电压
1.8
I
DS
=250
A
1.6
归一化阈值电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
I
D
- 漏电流（ A）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
T
j
=25 C
T
j
=125 C
o
o
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
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单价/备注
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    APM1404SC-TRL
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