APM1404S
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 1.2A ，
R
DS （ ON）
= 90mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 120MΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
引脚说明
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SC- 70封装
无铅可用（符合RoHS ）
D
SC- 70的俯视图
应用
G
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM1404
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
S： SC- 70
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
APM1404 S：
04
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
1
www.anpec.com.tw
APM1404S
典型特征（续）
输出特性
5.0
4.5
4.0
V
GS
= 3,4,5,6,7,8,9,10V
0.20
2.5V
0.18
V
GS
=2.5V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（Ω ）
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
V
GS
=4.5V
I
D
- 漏电流（ A）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
1.5V
2V
4
5
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
5.0
4.5
4.0
T
j
=-55 C
o
栅极阈值电压
1.8
I
DS
=250
A
1.6
归一化阈值电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
I
D
- 漏电流（ A）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
T
j
=25 C
T
j
=125 C
o
o
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
5
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