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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第851页 > APM1403SC-TRL
APM1403S
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -0.8A ，
R
DS （ ON）
= 160mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
R
DS （ ON）
= 190mΩ （典型值） @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SC- 70封装
无铅可用（符合RoHS ）
SC- 70的俯视图
S
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
G
D
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM1403
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
S： SC- 70
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃150℃
处理代码
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
APM1403 S：
03
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
1
www.anpec.com.tw
APM1403S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意：
*表面安装在1英寸
2
垫区域，叔
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻，结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=-4.5V
等级
-20
±10
-0.8
-3.3
-0.5
150
-55到150
0.35
0.14
360
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
≤
10sec.
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM1403S
分钟。
-20
-1
-0.5
-0.7
160
190
-0.7
330
60
45
2
V
DD
= -10V ，我
DS
=-1A,
V
根
= -4.5V ，R
G
=6,
R
L
=10
2
8
4
5
5
12
6
ns
pF
-1
±100
210
250
-1.3
典型值。
马克斯。
电气特性
符号
参数
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-0.8A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
=-0.4A
I
SD
= -0.5A ，V
GS
=0V
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
动态特性
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
GS
=0V,
V
DS
=-15V,
Frequency=1.0MHz
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
2
www.anpec.com.tw
APM1403S
电气特性（续）
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试条件
APM1403S
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
栅极电荷特性
b
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=-10V, V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-0.8A
4
0.6
1
5
nC
注意事项：
一：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%.
B：由设计保证，不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
3
www.anpec.com.tw
APM1403S
典型特征
功耗
0.40
1.0
漏电流
0.32
0.8
0.24
-I
D
- 漏电流（ A）
o
P
合计
- 功率（W ）
0.6
0.16
0.4
0.08
0.2
o
0.00
T
A
=25 C
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
T
A
= 25℃ ，V
G
=4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
归一化瞬态热阻
10
2
1
瞬态热阻抗
-I
D
- 漏电流（ A）
1
R
(
ds
)L
on
im
it
300
s
1ms
占空比= 0.5
0.2
0.1
10ms
0.1
0.05
0.1
100ms
0.02
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
： 360℃ / W
2
1s
0.01
0.1
T
A
=25 C
1
10
50
o
DC
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
4
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APM1403S
典型特征（续）
输出特性
4.0
V
GS
= -3, -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
3.5
-2V
3.0
漏源导通电阻
0.30
0.27
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（Ω ）
-I
D
- 漏电流（ A）
0.24
V
GS
= -2.5V
0.21
0.18
0.15
0.12
V
GS
= -4.5V
2.5
2.0
1.5
-1.5V
1.0
0.5
-1V
0.0
0.0
0.5 1.0
1.5
2.0 2.5 3.0 3.5
4.0
0.09
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0 3.5 4.0
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
4.0
3.5
3.0
1.75
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
1.50
归一化阈值电压
-I
D
- 漏电流（ A）
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50 -25
2.5
2.0
1.5
1.0
T
j
=25 C
0.5
0.0
0.0
o
T
j
=125 C
o
T
j
=-55 C
o
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
5
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AN6572
APD0805-000
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