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APM1401S
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -0.65A ,
R
DS ( ON)
= 370mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
R
DS ( ON)
= 550mΩ (典型值) @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
SC- 70封装
无铅可用(符合RoHS )
S
SC- 70的俯视图
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
G
D
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM1401
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
S: SC- 70
工作结TEM页。范围
C: -55 150
°
C
处理代码
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
APM1401 S:
01
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月, 2005
1
www.anpec.com.tw
APM1401S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意:
*表面安装在1英寸
2
垫区域,叔
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-20
±10
V
GS
=-4.5V
-0.65
-2.1
-0.5
150
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
0.34
0.13
360
W
° C / W
A
°C
V
A
单位
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
最大功率耗散
热阻,结到环境
10sec.
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM1401S
分钟。
典型值。
马克斯。
电气特性
符号
参数
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时,我
DS
=-250A
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
a
a
-20
-1
-30
-0.5
-0.7
370
550
6.5
-0.8
-1.3
-1
±100
480
720
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
正向跨导
二极管的正向电压
b
V
DS
=-16V,V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-0.65A
V
GS
= -2.5V ,我
DS
=-0.45A
V
DS
= -10V ,我
DS
=-0.65A
I
SD
= -0.5A ,V
GS
=0V
V
nA
m
S
V
动态特性
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0V,
V
DS
=-15V,
Frequency=1.0MHz
136
38
26
pF
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月, 2005
2
www.anpec.com.tw
APM1401S
电气特性(续)
符号
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
参数
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM1401S
分钟。
典型值。
5
8
9.6
5
马克斯。
10
12
15
15
ns
测试条件
单位
V
DD
= -10V ,R
L
=10,
I
DS
= -1A ,V
=-4.5V,
R
G
=6
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
7.4
V
DS
=-10V, V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-0.65A
1.1
1.2
9.6
nC
栅极 - 源电荷
注意事项:
一:脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
2%.
B:由设计保证,不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月, 2005
3
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APM1401S
典型特征
功耗
0.40
0.8
漏电流
0.32
0.24
-I
D
- 漏电流( A)
0.6
P
合计
- 功率(W )
0.4
0.16
0.2
0.08
o
0.00
T
A
=25 C
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
A
= 25℃ ,V
G
=4.5V
0.0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
归一化瞬态热阻
5
2
1
瞬态热阻抗
n)
L
im
it
-I
D
- 漏电流( A)
ds
1
(o
占空比= 0.5
R
1ms
0.2
10ms
0.1
0.1
0.05
0.1
100ms
1s
o
0.02
0.01
单脉冲
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
: 360℃ / W
2
DC
0.01
0.1
T
A
=25 C
1
10
50
0.01
1E-4 1E-3 0.01
0.1
10
100
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月, 2005
4
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APM1401S
典型特征(续)
输出特性
2 .5
V
2 .0
-2 .5 V
= -3日る-1 0 V
0.9
0.8
V
GS
= -2.5V
漏源导通电阻
的s
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻(Ω )
0.7
0.6
0.5
V
GS
= -4.5V
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-I
D
- 漏电流( A)
1 .5
1 .0
-2 V
0 .5
-1 .5 V
0 .0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
-I
D
- 漏电流( A)
传输特性
2 .5
1.75
1.50
2 .0
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
归一化阈值电压
-I
D
- 漏电流( A)
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50 -25
1 .5
T
j
= 1 2 5 C
1 .0
T
j
= 2 5 C
o
o
T
j
= - 5 5 C
o
0 .5
0 .0
0 .0 0 .5 1 .0 1 .5 2 .0 2 .5 3 .0 3 .5 4 .0 4 .5
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月, 2005
5
www.anpec.com.tw
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APM1401SC-TRL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
APM1401SC-TRL
ANPEC
2019
79600
SC-70-3
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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联系人:陈泽强
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APM1401SC-TRL
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
APM1401SC-TRL
APM
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
APM1401SC-TRL
VB
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SC-70
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APM
21+22+
12600
SOT323-3
原装正品
QQ:
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APM1401SC-TRL
APM
07
14551
SOT323-3
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联系人:朱先生
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APM1401SC-TRL
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APM1401SC-TRL
APM
22+
12245
SOT-323
现货,原厂原装假一罚十!
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