APM1401S
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -0.65A ,
R
DS ( ON)
= 370mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
R
DS ( ON)
= 550mΩ (典型值) @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
SC- 70封装
无铅可用(符合RoHS )
S
SC- 70的俯视图
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
G
D
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM1401
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
S: SC- 70
工作结TEM页。范围
C: -55 150
°
C
处理代码
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
APM1401 S:
01
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月, 2005
1
www.anpec.com.tw
APM1401S
典型特征(续)
输出特性
2 .5
V
2 .0
-2 .5 V
= -3日る-1 0 V
0.9
0.8
V
GS
= -2.5V
漏源导通电阻
的s
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻(Ω )
0.7
0.6
0.5
V
GS
= -4.5V
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-I
D
- 漏电流( A)
1 .5
1 .0
-2 V
0 .5
-1 .5 V
0 .0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
-I
D
- 漏电流( A)
传输特性
2 .5
1.75
1.50
2 .0
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
归一化阈值电压
-I
D
- 漏电流( A)
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50 -25
1 .5
T
j
= 1 2 5 C
1 .0
T
j
= 2 5 C
o
o
T
j
= - 5 5 C
o
0 .5
0 .0
0 .0 0 .5 1 .0 1 .5 2 .0 2 .5 3 .0 3 .5 4 .0 4 .5
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
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茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月, 2005
5
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