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APA2N70K
先进的电源
电子股份有限公司
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
简单的驱动要求
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
S
D
675V
10Ω
0.2A
I
D
SOT-223
G
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
低导通电阻和成本效益。
G
S
D
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 5V
连续漏电流, V
GS
@ 5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
等级
675
±
30
0.2
0.13
0.5
1.13
0.01
0.5
1
0.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
马克斯。
价值
110
单位
℃/W
数据&规格如有变更,恕不另行通知
201130020
APA2N70K
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
分钟。
675
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.52
-
-
-
0.4
-
-
-
5.5
1.9
0.5
7.7
3.6
24
44
286
25
6
MAX 。单位
-
-
8
10
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
Ω
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
V
GS
= 10V ,我
D
=0.2A
V
GS
= 5V ,我
D
=0.2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=0.2A
V
DS
=675V, V
GS
=0V
V
DS
=540V
,
V
GS
=0V
V
GS
=
±
30V
I
D
=0.2A
V
DS
=540V
V
GS
=10V
V
DS
=300V
I
D
=0.2A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=1500Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
注意事项:
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Starting牛逼
j
=25
o
C,V
DD
= 50V ,L = 1MH ,R
G
=25Ω , I
AS
=1A.
3.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
参数
连续源电流(体二极管)
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 0.2A ,V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
0.2
0.5
1.2
A
A
V
脉冲源电流(体二极管)
1
正向电压上
3
APA2N70K
1
0.8
T
C
=25
o
C
10V
5.5V
5.0V
0.6
T
C
=150 C
o
10V
5.0V
4.5V
0.75
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
0.5
0.4
4.5V
0.25
V
GS
=4.0V
0.2
V
GS
=4.0V
0
0
3
6
9
12
0
0
6
12
18
24
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
2.8
2.4
I
D
=0.2A
V
GS
=10V
1.1
2
归BV
DSS
(V)
归一化
DS ( ON)
1.6
1
1.2
0.8
0.9
0.4
0.8
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温(
o
C )
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
图4.归一导通电阻
V.S.结温
APA2N70K
0.24
1.6
0.18
1.2
I
D
,漏电流( A)
0.12
P
D
(W)
25
50
75
100
125
150
0.8
0.06
0.4
0
0
0
50
100
150
T
c
,外壳温度( C)
o
TC ,外壳温度(
o
C )
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
1
1
1ms
0.1
归热响应(R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
10ms
0.01
P
DM
t
0.02
T
0.01
单脉冲
100ms
T
C
=25 C
单脉冲
0.001
1
10
100
1000
10000
o
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+钽
1s
10s
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
(V)
T,脉冲宽度(S )
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
APA2N70K
16
1000
f=1.0MHz
I
D
=0.2A
V
DS
=540V
V
GS
,门源电压( V)
12
100
西塞
8
C( pF)的
科斯
10
4
CRSS
0
0
2
4
6
8
1
1
10
19
28
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
1
4
3.5
0.1
V
GS ( TH)
(V)
1.2
T
j
= 150
o
C
I
S
(A)
T
j
= 25
o
C
3
0.01
2.5
0.001
0
0.3
0.6
0.9
2
-50
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
,结温( C)
o
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
APA2N70K
先进的电源
电子股份有限公司
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
简单的驱动要求
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
S
D
675V
10Ω
0.2A
I
D
SOT-223
G
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
低导通电阻和成本效益。
G
S
D
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 5V
连续漏电流, V
GS
@ 5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
等级
675
±
30
0.2
0.13
0.5
1.13
0.01
0.5
1
0.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
马克斯。
价值
110
单位
℃/W
数据&规格如有变更,恕不另行通知
201130020
APA2N70K
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
分钟。
675
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.52
-
-
-
0.4
-
-
-
5.5
1.9
0.5
7.7
3.6
24
44
286
25
6
MAX 。单位
-
-
8
10
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
Ω
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
V
GS
= 10V ,我
D
=0.2A
V
GS
= 5V ,我
D
=0.2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=0.2A
V
DS
=675V, V
GS
=0V
V
DS
=540V
,
V
GS
=0V
V
GS
=
±
30V
I
D
=0.2A
V
DS
=540V
V
GS
=10V
V
DS
=300V
I
D
=0.2A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=1500Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
注意事项:
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Starting牛逼
j
=25
o
C,V
DD
= 50V ,L = 1MH ,R
G
=25Ω , I
AS
=1A.
3.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
参数
连续源电流(体二极管)
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 0.2A ,V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
0.2
0.5
1.2
A
A
V
脉冲源电流(体二极管)
1
正向电压上
3
APA2N70K
1
0.8
T
C
=25
o
C
10V
5.5V
5.0V
0.6
T
C
=150 C
o
10V
5.0V
4.5V
0.75
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
0.5
0.4
4.5V
0.25
V
GS
=4.0V
0.2
V
GS
=4.0V
0
0
3
6
9
12
0
0
6
12
18
24
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
2.8
2.4
I
D
=0.2A
V
GS
=10V
1.1
2
归BV
DSS
(V)
归一化
DS ( ON)
1.6
1
1.2
0.8
0.9
0.4
0.8
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温(
o
C )
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
图4.归一导通电阻
V.S.结温
APA2N70K
0.24
1.6
0.18
1.2
I
D
,漏电流( A)
0.12
P
D
(W)
25
50
75
100
125
150
0.8
0.06
0.4
0
0
0
50
100
150
T
c
,外壳温度( C)
o
TC ,外壳温度(
o
C )
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
1
1
1ms
0.1
归热响应(R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
10ms
0.01
P
DM
t
0.02
T
0.01
单脉冲
100ms
T
C
=25 C
单脉冲
0.001
1
10
100
1000
10000
o
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+钽
1s
10s
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
(V)
T,脉冲宽度(S )
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
APA2N70K
16
1000
f=1.0MHz
I
D
=0.2A
V
DS
=540V
V
GS
,门源电压( V)
12
100
西塞
8
C( pF)的
科斯
10
4
CRSS
0
0
2
4
6
8
1
1
10
19
28
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
1
4
3.5
0.1
V
GS ( TH)
(V)
1.2
T
j
= 150
o
C
I
S
(A)
T
j
= 25
o
C
3
0.01
2.5
0.001
0
0.3
0.6
0.9
2
-50
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
,结温( C)
o
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APA2N70K
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制

电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
APA2N70K
APEC
24+
15862
11PBF
全新原装现货热卖
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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APEC
2413+
30000
SOT-223
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
APA2N70K
APEC/富鼎
18+
15600
SOT-223
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
APA2N70K
APEC/富鼎
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SOT-223
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
APA2N70K
APEC/富鼎
24+
9634
ESOP-8
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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AP
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25000
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全新进口原装现货!
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
APA2N70K
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-223
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