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APA2N70K

先进的电源

电子股份有限公司

▼

动态的dv / dt额定值

▼

额定重复性雪崩

▼

快速开关

▼

简单的驱动要求

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

S

D

675V

10Ω

0.2A

I

D

SOT-223

G

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

低导通电阻和成本效益。

G

S

D

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

E

AS

I

AR

E

AR

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 5V

连续漏电流， V

GS

@ 5V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

2

雪崩电流

重复性雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

等级

675

±

30

0.2

0.13

0.5

1.13

0.01

0.5

1

0.5

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

mJ

A

mJ

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

110

单位

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

201130020

APA2N70K

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=1mA

分钟。

675

-

-

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.52

-

-

-

0.4

-

-

-

5.5

1.9

0.5

7.7

3.6

24

44

286

25

6

MAX 。单位

-

-

8

10

4

-

10

100

±100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

Ω

Ω

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏源导通电阻

静态漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

GS

= 10V ，我

D

=0.2A

V

GS

= 5V ，我

D

=0.2A

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=0.2A

V

DS

=675V, V

GS

=0V

V

DS

=540V

,

V

GS

=0V

V

GS

=

±

30V

I

D

=0.2A

V

DS

=540V

V

GS

=10V

V

DS

=300V

I

D

=0.2A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=1500Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

3

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

3

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

注意事项：

1.Pulse宽度有限的安全工作区。

2.Starting牛逼

j

=25

o

C，V

DD

= 50V ，L = 1MH ，R

G

=25Ω , I

AS

=1A.

3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

参数

连续源电流（体二极管）

测试条件

V

D

=V

G

=0V , V

S

=1.2V

T

j

=25℃, I

S

= 0.2A ，V

GS

=0V

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

-

MAX 。单位

0.2

0.5

1.2

A

A

V

脉冲源电流（体二极管）

1

正向电压上

3

APA2N70K

1

0.8

T

C

=25

o

C

10V

5.5V

5.0V

0.6

T

C

=150 C

o

10V

5.0V

4.5V

0.75

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

0.5

0.4

4.5V

0.25

V

GS

=4.0V

0.2

V

GS

=4.0V

0

0

3

6

9

12

0

0

6

12

18

24

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

1.2

2.8

2.4

I

D

=0.2A

V

GS

=10V

1.1

2

归BV

DSS

(V)

归一化

DS （ ON）

1.6

1

1.2

0.8

0.9

0.4

0.8

-50

0

50

100

150

0

-50

0

50

100

150

T

j

，结温（ C）

o

T

j

，结温（

o

C )

图3.归BV

DSS

V.S.连接点

温度

图4.归一导通电阻

V.S.结温

APA2N70K

0.24

1.6

0.18

1.2

I

D

，漏电流（ A）

0.12

P

D

(W)

25

50

75

100

125

150

0.8

0.06

0.4

0

0

0

50

100

150

T

c

，外壳温度（ C）

o

TC ，外壳温度（

o

C )

图5.最大漏极电流V.S.

图6.典型功耗

外壳温度

1

1

1ms

0.1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

0.2

I

D

(A)

0.1

0.1

0.05

10ms

0.01

P

DM

t

0.02

T

0.01

单脉冲

100ms

T

C

=25 C

单脉冲

0.001

1

10

100

1000

10000

o

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+钽

1s

10s

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

V

DS

(V)

T，脉冲宽度（S ）

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

APA2N70K

16

1000

f=1.0MHz

I

D

=0.2A

V

DS

=540V

V

GS

，门源电压（ V）

12

100

西塞

8

C（ pF）的

科斯

10

4

CRSS

0

0

2

4

6

8

1

1

10

19

28

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

(V)

图9.栅极电荷特性

图10.典型的电容特性

1

4

3.5

0.1

V

GS （ TH）

(V)

1.2

T

j

= 150

o

C

I

S

(A)

T

j

= 25

o

C

3

0.01

2.5

0.001

0

0.3

0.6

0.9

2

-50

0

50

100

150

V

SD

(V)

T

j

，结温（ C）

o

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

APA2N70K

先进的电源

电子股份有限公司

▼

动态的dv / dt额定值

▼

额定重复性雪崩

▼

快速开关

▼

简单的驱动要求

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

S

D

675V

10Ω

0.2A

I

D

SOT-223

G

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

低导通电阻和成本效益。

G

S

D

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

E

AS

I

AR

E

AR

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 5V

连续漏电流， V

GS

@ 5V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

2

雪崩电流

重复性雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

等级

675

±

30

0.2

0.13

0.5

1.13

0.01

0.5

1

0.5

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

mJ

A

mJ

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

110

单位

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

201130020

APA2N70K

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=1mA

分钟。

675

-

-

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.52

-

-

-

0.4

-

-

-

5.5

1.9

0.5

7.7

3.6

24

44

286

25

6

MAX 。单位

-

-

8

10

4

-

10

100

±100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

Ω

Ω

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏源导通电阻

静态漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

GS

= 10V ，我

D

=0.2A

V

GS

= 5V ，我

D

=0.2A

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=0.2A

V

DS

=675V, V

GS

=0V

V

DS

=540V

,

V

GS

=0V

V

GS

=

±

30V

I

D

=0.2A

V

DS

=540V

V

GS

=10V

V

DS

=300V

I

D

=0.2A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=1500Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

3

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

3

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

注意事项：

1.Pulse宽度有限的安全工作区。

2.Starting牛逼

j

=25

o

C，V

DD

= 50V ，L = 1MH ，R

G

=25Ω , I

AS

=1A.

3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

参数

连续源电流（体二极管）

测试条件

V

D

=V

G

=0V , V

S

=1.2V

T

j

=25℃, I

S

= 0.2A ，V

GS

=0V

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

-

MAX 。单位

0.2

0.5

1.2

A

A

V

脉冲源电流（体二极管）

1

正向电压上

3

APA2N70K

1

0.8

T

C

=25

o

C

10V

5.5V

5.0V

0.6

T

C

=150 C

o

10V

5.0V

4.5V

0.75

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

0.5

0.4

4.5V

0.25

V

GS

=4.0V

0.2

V

GS

=4.0V

0

0

3

6

9

12

0

0

6

12

18

24

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

1.2

2.8

2.4

I

D

=0.2A

V

GS

=10V

1.1

2

归BV

DSS

(V)

归一化

DS （ ON）

1.6

1

1.2

0.8

0.9

0.4

0.8

-50

0

50

100

150

0

-50

0

50

100

150

T

j

，结温（ C）

o

T

j

，结温（

o

C )

图3.归BV

DSS

V.S.连接点

温度

图4.归一导通电阻

V.S.结温

APA2N70K

0.24

1.6

0.18

1.2

I

D

，漏电流（ A）

0.12

P

D

(W)

25

50

75

100

125

150

0.8

0.06

0.4

0

0

0

50

100

150

T

c

，外壳温度（ C）

o

TC ，外壳温度（

o

C )

图5.最大漏极电流V.S.

图6.典型功耗

外壳温度

1

1

1ms

0.1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

0.2

I

D

(A)

0.1

0.1

0.05

10ms

0.01

P

DM

t

0.02

T

0.01

单脉冲

100ms

T

C

=25 C

单脉冲

0.001

1

10

100

1000

10000

o

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+钽

1s

10s

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

V

DS

(V)

T，脉冲宽度（S ）

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

APA2N70K

16

1000

f=1.0MHz

I

D

=0.2A

V

DS

=540V

V

GS

，门源电压（ V）

12

100

西塞

8

C（ pF）的

科斯

10

4

CRSS

0

0

2

4

6

8

1

1

10

19

28

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

(V)

图9.栅极电荷特性

图10.典型的电容特性

1

4

3.5

0.1

V

GS （ TH）

(V)

1.2

T

j

= 150

o

C

I

S

(A)

T

j

= 25

o

C

3

0.01

2.5

0.001

0

0.3

0.6

0.9

2

-50

0

50

100

150

V

SD

(V)

T

j

，结温（ C）

o

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

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-

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联系人：连

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联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

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联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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APEC/富鼎

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联系人：朱先生

地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室

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AP

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SOT-223

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