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AP9U18GH
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
低栅极驱动电压
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
14mΩ
37A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备设计，低
导通电阻和成本效益。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。
克
S
TO-252(H)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
±12
37
24
140
25
0.2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
.
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
5.0
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200831071-1/4
AP9U18GH
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=18A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=9A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
分钟。
20
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
18
-
-
21
2.4
9
8.3
102
24
12
175
170
MAX 。单位
-
14
28
1.5
-
1
±100
34
-
-
-
-
-
-
-
-
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=18A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= ±12V
I
D
=18A
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
V
DS
=10V
I
D
=18A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=5V
R
D
=0.56Ω
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
1280 2050
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 18A ，V
GS
=0V
I
S
= 10A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
27
17
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2/4
AP9U18GH
100
80
T
C
=25 C
80
o
I
D
，漏电流（ A）
60
I
D
，漏电流（ A）
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
T
C
=150 C
o
60
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
40
V
G
= 2 .0V
40
V
G
= 2 .0V
20
20
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
20
1.4
I
D
=9A
T
C
=25
℃
18
I
D
=18A
V
G
=4.5V
1.2
16
14
归一化
DS （ ON）
0
2
4
6
8
10
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1
12
0.8
10
8
0.6
-50
0
50
100
150
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.8
20
16
归V
GS （ TH）
(V)
1.4
1.2
12
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
8
T
j
=25
o
C
0.6
4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP9U18GH
f=1.0MHz
15
10000
V
GS
，门源电压（ V）
12
C（ pF）的
9
I
D
= 18 A
V
DS
= 16 V
C
国际空间站
1000
6
3
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
100
1
5
9
13
17
21
25
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
0.2
I
D
(A)
0.1
10
100us
0.1
0.05
P
DM
0.02
0.01
1
T
c
=25
o
C
单脉冲
1ms
10ms
100ms
DC
10
100
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 252
D
D1
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
A2
A3
B1
D
D1
E3
1.80
0.40
0.40
6.00
4.80
3.50
2.20
0.5
5.10
0.50
--
0.35
2.30
0.50
0.70
6.50
5.35
4.00
2.63
0.85
5.70
1.10
2.30
0.50
2.80
0.60
1.00
7.00
5.90
4.50
3.05
1.20
6.30
1.80
--
0.65
E2
E3
E1
F
F1
E1
E2
e
C
B1
F1
F
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
e
e
A2
R : 0.127~0.381
A3
(0.1mm
C
最热资讯&包装： TO- 252
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
9U18GH
标志
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
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推荐型号
ATS-51210D-C1-R0
AT27BV040-15VC
AD408M321VTB-5
ARH2815S
AM15E-1224SC
AM1P-1218SZ
AO1805-3D
AND7WA
AM27S19AFC
AS7C33512PFS32A-133TQIN
AME8510AEEVAFE31
AM29F080-90SC
AM29F040B-120EK
AZ920-1A-18DE
A54SX08A-3FG208A
AB-9W2-6V-E
AM29F200BB-45ED
AME41AEAT
A401-1505-21
AM27C4096-95DIB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    AP9U18GH
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电话：0755-23945755 83248872
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
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