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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第729页 > AP9T18GEH
AP9T18GEH/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
摹-S嵌入式二极管
▼
能够2.5V栅极驱动
▼
表面贴装封装
▼
符合RoHS
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
14mΩ
40A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G
DS
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
±12
40
25
160
31
0.25
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200523061-1/4
AP9T18GEH/J
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
20
-
-
-
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
20
-
-
-
16
2
6
8
84
19
14
205
145
3.6
MAX 。单位
-
-
14
28
1.5
-
1
25
±30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
5.4
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=10A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=16V ,V
GS
=0V
V
GS
=±12V
I
D
=20A
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
V
DS
=10V
I
D
=20A
R
G
=1.0Ω,V
GS
=5V
R
D
=0.5Ω
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2
1080 1730
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 20A ，V
GS
=0V
I
S
=20A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
26
19
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2/4
AP9T18GEH/J
120
90
T
C
=25 C
100
o
5.0V
4.5V
3.5V
I
D
，漏电流（ A）
T
C
= 150 C
80
70
o
5.0V
4.5V
3.5V
I
D
，漏电流（ A）
80
60
50
2.5V
60
2.5V
40
40
30
20
20
V
G
=1.5V
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
V
G
=1.5V
0
6
7
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
40
1.6
I
D
= 10 A
T
C
=25 C
1.4
o
I
D
=20A
V
G
=4.5V
归一化
DS （ ON）
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
30
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
1.0
20
0.8
10
0.6
25
50
75
100
125
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
40.0
20
16
30.0
12
R
DS （ ON）
(m)
I
S
(A)
T
j
=150 C
8
o
T
j
=25 C
o
V
GS
=2.5V
20.0
V
GS
=4.5V
10.0
4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
I
D
，漏电流（ A）
图5.正向特性
反向二极管
图6.导通电阻与
漏电流
3/4
AP9T18GEH/J
14
10000
f=1.0MHz
V
GS
，门源电压（ V）
12
I
D
=20A
10
8
C（ pF）的
V
DS
=10V
V
DS
=12V
V
DS
=16V
1000
C
国际空间站
6
4
2
C
OSS
C
RSS
100
0
10
20
30
40
0
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
100
I
D
(A)
100us
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
10
t
T
1
0.1
1
10
1ms
10ms
100ms
1s
DC
100
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
80
V
DS
=5V
T
j
=25
o
C
60
V
G
T
j
=150
o
C
Q
G
4.5V
I
D
，漏电流（ A）
40
Q
GS
Q
GD
20
收费
0
Q
0
1
2
3
4
5
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4/4
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