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AP9980H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
单驱动要求
▼
快速开关性能
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
80V
45mΩ
21.3A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP9980J ）可用于小尺寸应用。
克
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
80
±25
21.3
13.4
80
41.7
0.33
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.0
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200406041
AP9980H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
80
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.07
-
-
-
20
-
-
-
18
5
11
11
20
29
30
135
96
1.6
MAX 。单位
-
-
45
55
3
-
10
100
±100
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=12A
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
DS
=64V ,V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=12A
V
DS
=64V
V
GS
=4.5V
V
DS
=40V
I
D
=12A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=3.3Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1810 2900
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 20A ，V
GS
=0V
I
S
=12A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
57
140
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP9980H/J
60
50
T
C
=25
o
C
50
I
D
，漏电流（ A）
40
I
D
，漏电流（ A）
10V
6.0V
5.0V
4.5V
T
C
=150 C
40
o
10V
6.0V
5.0V
4.5V
30
30
20
20
V
G
=3.0V
10
10
V
G
=3.0V
0
0
3
6
9
12
15
18
0
3
6
9
12
15
18
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
54
2.2
I
D
=8A
归一化
DS （ ON）
50
2.0
T
C
=25
o
C
1.8
I
D
= 12 A
V
G
=10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.6
1.4
46
1.2
1.0
42
0.8
0.6
38
0.4
t
rr
-50
0
50
100
3
5
7
9
11
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
Q
rr
150
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
3
8
2.5
6
2
T
j
=150 C
I
S
(A)
4
o
T
j
=25 C
o
V
GS （ TH）
(V)
1.2
1.5
1
2
0.5
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP9980H/J
f=1.0MHz
12
10000
I
D
= 12 A
10
V
GS
，门源电压（ V）
8
6
C（ pF）的
V
DS
= 4 0V
V
DS
= 50 V
V
DS
= 64 V
C
国际空间站
1000
4
100
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
100us
10
归热响应（R
thJC
)
10us
占空比系数= 0.5
0.2
I
D
(A)
0.1
1ms
10ms
100ms
o
T
C
=25 C
单脉冲
0.1
0.05
P
DM
0.02
0.01
1
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
DC
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
Q
rr
1
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
AP9980H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
单驱动要求
▼
快速开关性能
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
80V
45mΩ
21.3A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP9980J ）可用于小尺寸应用。
克
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
80
±25
21.3
13.4
80
41.7
0.33
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.0
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200406041
AP9980H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
80
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.07
-
-
-
20
-
-
-
18
5
11
11
20
29
30
135
96
1.6
MAX 。单位
-
-
45
55
3
-
10
100
±100
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=12A
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
DS
=64V ,V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=12A
V
DS
=64V
V
GS
=4.5V
V
DS
=40V
I
D
=12A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=3.3Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1810 2900
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 20A ，V
GS
=0V
I
S
=12A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
57
140
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP9980H/J
60
50
T
C
=25
o
C
50
I
D
，漏电流（ A）
40
I
D
，漏电流（ A）
10V
6.0V
5.0V
4.5V
T
C
=150 C
40
o
10V
6.0V
5.0V
4.5V
30
30
20
20
V
G
=3.0V
10
10
V
G
=3.0V
0
0
3
6
9
12
15
18
0
3
6
9
12
15
18
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
54
2.2
I
D
=8A
归一化
DS （ ON）
50
2.0
T
C
=25
o
C
1.8
I
D
= 12 A
V
G
=10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.6
1.4
46
1.2
1.0
42
0.8
0.6
38
0.4
t
rr
-50
0
50
100
3
5
7
9
11
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
Q
rr
150
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
3
8
2.5
6
2
T
j
=150 C
I
S
(A)
4
o
T
j
=25 C
o
V
GS （ TH）
(V)
1.2
1.5
1
2
0.5
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP9980H/J
f=1.0MHz
12
10000
I
D
= 12 A
10
V
GS
，门源电压（ V）
8
6
C（ pF）的
V
DS
= 4 0V
V
DS
= 50 V
V
DS
= 64 V
C
国际空间站
1000
4
100
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
100us
10
归热响应（R
thJC
)
10us
占空比系数= 0.5
0.2
I
D
(A)
0.1
1ms
10ms
100ms
o
T
C
=25 C
单脉冲
0.1
0.05
P
DM
0.02
0.01
1
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
DC
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
Q
rr
1
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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AM29LV200BT-90SI
AT60142E-DD20MMQ
AM29F040B-120JIB
APTGT50H120T3G
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供货商
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    联系人：杨小姐
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    AP9980J
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    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
AP9980J
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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