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AP9973GS/P
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
单驱动要求
▼
表面贴装封装
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
60V
80mΩ
14A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 263封装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP9973GP ）可用于小尺寸应用。
G
D
克
S
TO-263(S)
TO-220(P)
S
等级
60
±20
14
9
40
27
0.22
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.5
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200314072-1/4
AP9973GS/P
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
60
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.05
-
-
-
8.6
-
-
-
8
3
4
7
15
16
3
720
77
45
MAX 。单位
-
-
80
100
3
-
10
25
±100
13
-
-
-
-
-
-
1150
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=9A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V ,V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=9A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=9A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=3.3Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 14A ，V
GS
=0V
I
S
=9A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
28
27
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品为静电敏感，请小心处理。
本产品已合格使用消费类应用。应用程序或生命支持
或其他类似任务关键设备或系统的未经授权。
2/4
AP9973GS/P
45
32
40
o
T
C
=25 C
35
I
D
，漏电流（ A）
30
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
5.0V
4.5V
28
T
C
=150
o
C
24
10V
7.0V
5.0V
4.5V
20
25
16
20
12
15
8
V
G
=3.0V
10
V
G
=3.0V
4
5
0
0
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
90
2.5
I
D
=9A
85
I
D
=9A
2.0
T
C
=25 C
归一化
DS （ ON）
o
V
G
=10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
80
1.5
75
1.0
70
0.5
65
0.0
3
5
7
9
11
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.5
14
12
2
10
8
I
S
(A)
o
T
j
=150 C
6
T
j
=25 C
o
V
GS （ TH）
(V)
1.5
1
4
0.5
2
2.01E+08
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP9973GS/P
f=1.0MHz
12
10000
I
D
=9A
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
6
4
C（ pF）的
V
DS
=48V
V
DS
=38V
V
DS
=30V
1000
C
国际空间站
100
C
OSS
C
RSS
2
0
10
0
4
8
12
16
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
1ms
10
0.2
I
D
(A)
0.1
10ms
1
0.1
0.05
P
DM
0.02
T
C
=25 C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
o
100ms
1s
DC
t
T
单脉冲
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
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A40MX04-1PQ100
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联系人：朱
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APEC
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电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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