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AP9973GD
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅电荷
开关速度快
PDIP - 8封装
符合RoHS
PDIP-8
S2
G1
S1
G2
D1
D1
D2
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
60V
80mΩ
3.9A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,较低的导通电阻和
成本效益。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 10V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
60
±20
3.9
2.5
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200713061-1/4
AP9973GD
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
分钟。
60
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.06
-
-
-
3.5
-
-
-
8
2
4
8
4
20
6
700
80
50
MAX 。单位
-
-
80
100
3
-
1
25
±100
13
-
-
-
-
-
-
1120
-
-
V
V/℃
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
V
GS
= 10V ,我
D
=3.9A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=2.0A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=3.9A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V ,V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
I
D
=3.9A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=30Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 3.9A ,V
GS
=0V
I
S
=3.9A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
28
35
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.安装在1
2
FR4电路板的铜垫; 90 ℃ / W安装在最小的时候。铜垫。
2/4
AP9973GD
40
30
35
T
A
=25 C
o
I
D
,漏电流( A)
30
I
D
,漏电流( A)
10V
6.0V
5.0V
4.5V
25
T
A
=150 C
o
10V
6.0V
5.0V
4.5V
20
25
20
15
15
10
10
5
5
V
G
=3.0V
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
95
2.5
I
D
=3.9A
90
I
D
=3.9A
2.0
T
A
=25
o
C
归一化
DS ( ON)
V
G
=10V
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
85
1.5
80
1.0
75
0.5
70
3
5
7
9
11
0.0
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温(
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.5
4
3
2
2
V
GS ( TH)
(V)
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1.5
1
1
0
0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP9973GD
14
10000
f=1.0MHz
I
D
=3.9A
12
V
GS
,门源电压( V)
10
V
DS
=48V
V
DS
=38V
V
DS
=30V
C( pF)的
1000
8
西塞
6
100
4
科斯
CRSS
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应(R
thJA
)
10
0.2
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
1ms
1
0.02
0.01
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
Rthja = 90 ℃ / W
10ms
10ms
0.1
0.01
单脉冲
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
1s
DC
10
100
1000
0.001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
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