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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第92页 > AP9972GS
AP9972GS/P
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
单驱动要求
▼
表面贴装封装
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
60V
18mΩ
60A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备的设计，
低导通电阻和成本效益。
在TO- 263封装，广泛首选的所有商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。通孔版（ AP9972GP ）
是
适用于薄型应用。
G
D
克
S
TO-263(S)
TO-220(P)
S
等级
60
±25
60
38
230
89
0.7
450
30
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
℃
℃
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
3
雪崩电流
3
存储温度范围
工作结温范围
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
1.4
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200803183
AP9972GS/P
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
60
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.06
-
-
-
55
-
-
-
32
8
20
11
58
45
80
280
230
1.7
MAX 。单位
-
-
18
22
3
-
10
25
±100
51
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=35A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=25A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=35A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V ,V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=35A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=35A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.86Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
3170 5070
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 35A ，V
GS
=0V
I
S
=35A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
50
48
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.Starting牛逼
j
=25
o
C，V
DD
= 30V ， L = 1MH ，R
G
=25Ω , I
AS
=30A.
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2
AP9972GS/P
200
150
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
150
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
100
5.0V
100
5.0V
4.5V
4.5V
50
50
T
C
=25 C
0
0
2
4
6
8
10
o
V
G
=3.0V
T
C
= 150 C
o
V
G
=3.0V
0
12
14
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
20
1.6
I
D
= 25 A
T
C
=25
o
C
18
1.4
I
D
=35A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
2
4
6
8
10
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
1.0
16
0.8
14
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.7
20
15
T
j
=150 C
I
S
(A)
10
o
T
j
=25 C
o
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
0.7
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.2
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP9972GS/P
f=1.0MHz
12
10000
I
D
= 35 A
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
V
DS
=48V
V
DS
=38V
V
DS
=30V
C（ pF）的
1000
C
国际空间站
6
4
2
C
OSS
C
RSS
0
0
20
40
60
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
0.2
I
D
(A)
100us
1ms
10
0.1
0.1
0.05
P
DM
10ms
T
C
=25 C
单脉冲
o
t
0.02
T
0.01
100ms
DC
10
100
1000
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
100
V
DS
=5V
80
V
G
o
o
I
D
，漏电流（ A）
T
j
=25 C
60
T
j
=150 C
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
40
20
收费
0
0
2
4
6
8
Q
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 220
E1
E
φ
L2
A
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
L1
A
4.25
0.65
1.15
0.40
1.00
9.70
---
----
12.70
2.60
1.00
2.6
14.70
6.30
3.50
8.40
4.48
0.80
1.38
0.50
1.20
10.00
---
2.54
13.60
2.80
1.40
3.10
15.50
6.50
3.60
8.90
4.70
0.90
1.60
0.60
1.40
10.40
11.50
----
14.50
3.00
1.80
3.6
16
6.70
3.70
9.40
L5
c1
b
b1
c
c1
E
E1
D
L4
e
L
L1
L2
L3
L4
L5
L3
b1
L
φ
D
b
c
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
e
最热资讯&包装： TO- 220
产品型号
封装代码
9972GP
标志
YWWSSS
符合RoHS要求
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
5
查看更多AP9972GSPDF信息
推荐型号
A70-3_1
AD9258BCPZRL7-105
AQY210EHAX
APT22F80B
AD4016M81RSB-5
AVB-0100
AH174W-PA-B
AM29LV065DU90WHF
AMC7635-X.XDBFT
AM29F400B-150SC
AS7C1024-12TC
AS7C256L-55PC
AFL5012DY/CH
AM27S291A75PC
A39_1
ADUM5211ARSZ
AM2G-0515DZ
AD8223ARMZ-R7
AD9380KSTZ-150
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供货商
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批号
数量
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    AP9972GS
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