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AP9972GR

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

单驱动要求

▼

表面贴装封装

G

S

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

60V

18mΩ

60A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

G

D

S

TO-262(R)

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

I

AR

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

雪崩电流

3

存储温度范围

工作结温范围

等级

60

±25

60

38

230

89

0.7

30

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

A

℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

价值

1.4

62

单位

℃/W

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200218051

AP9972GR

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

60

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.06

-

-

-

55

-

-

-

32

8

20

11

58

45

80

280

230

1.7

MAX 。单位

-

-

18

22

3

-

10

25

±100

51

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

Ω

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS

= 10V ，我

D

=35A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=25A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=35A

V

DS

=60V, V

GS

=0V

V

DS

=48V ,V

GS

=0V

V

GS

=±25V

I

D

=35A

V

DS

=48V

V

GS

=4.5V

V

DS

=30V

I

D

=35A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=0.86Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

3170 5070

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 35A ，V

GS

=0V

I

S

=35A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

50

48

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.Starting牛逼

j

=25

o

C，V

DD

= 30V ， L = 1MH ，R

G

=25Ω , I

AS

=30A.

AP9972GR

200

150

10V

7.0V

I

D

，漏电流（ A）

150

10V

7.0V

I

D

，漏电流（ A）

100

5.0V

100

5.0V

4.5V

4.5V

50

50

T

C

=25 C

0

0

2

4

6

8

10

o

V

G

=3.0V

T

C

= 150 C

o

V

G

=3.0V

0

12

14

0

2

4

6

8

10

12

14

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

20

1.6

I

D

= 25 A

T

C

=25

o

C

18

1.4

I

D

=35A

V

G

=10V

归一化

DS （ ON）

2

4

6

8

10

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

1.0

16

0.8

14

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.7

20

15

归V

GS （ TH）

(V)

T

j

=150

o

C

I

S

(A)

10

T

j

=25

o

C

1.2

0.7

5

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

0.2

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP9972GR

f=1.0MHz

12

10000

I

D

= 35 A

V

GS

，门源电压（ V）

10

8

V

DS

=48V

V

DS

=38V

V

DS

=30V

C（ pF）的

1000

C

国际空间站

6

4

2

C

OSS

C

RSS

0

0

20

40

60

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

1000

1

归热响应（R

thJC

)

占空比系数= 0.5

100

0.2

I

D

(A)

100us

1ms

10

0.1

0.1

0.05

P

DM

0.02

10ms

T

C

=25 C

单脉冲

o

t

T

0.01

100ms

DC

10

100

1000

单脉冲

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

1

0.1

1

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

100

V

DS

=5V

80

V

G

T

j

=25

o

C

T

j

=150

o

C

I

D

，漏电流（ A）

Q

G

4.5V

60

Q

GS

40

Q

GD

20

收费

0

0

2

4

6

8

Q

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

AP9972GR

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

单驱动要求

▼

表面贴装封装

G

S

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

60V

18mΩ

60A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

G

D

S

TO-262(R)

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

I

AR

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

雪崩电流

3

存储温度范围

工作结温范围

等级

60

±25

60

38

230

89

0.7

30

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

A

℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

价值

1.4

62

单位

℃/W

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200218051

AP9972GR

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

60

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.06

-

-

-

55

-

-

-

32

8

20

11

58

45

80

280

230

1.7

MAX 。单位

-

-

18

22

3

-

10

25

±100

51

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

Ω

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS

= 10V ，我

D

=35A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=25A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=35A

V

DS

=60V, V

GS

=0V

V

DS

=48V ,V

GS

=0V

V

GS

=±25V

I

D

=35A

V

DS

=48V

V

GS

=4.5V

V

DS

=30V

I

D

=35A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=0.86Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

3170 5070

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 35A ，V

GS

=0V

I

S

=35A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

50

48

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.Starting牛逼

j

=25

o

C，V

DD

= 30V ， L = 1MH ，R

G

=25Ω , I

AS

=30A.

AP9972GR

200

150

10V

7.0V

I

D

，漏电流（ A）

150

10V

7.0V

I

D

，漏电流（ A）

100

5.0V

100

5.0V

4.5V

4.5V

50

50

T

C

=25 C

0

0

2

4

6

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10

o

V

G

=3.0V

T

C

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o

V

G

=3.0V

0

12

14

0

2

4

6

8

10

12

14

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

20

1.6

I

D

= 25 A

T

C

=25

o

C

18

1.4

I

D

=35A

V

G

=10V

归一化

DS （ ON）

2

4

6

8

10

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

1.0

16

0.8

14

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.7

20

15

归V

GS （ TH）

(V)

T

j

=150

o

C

I

S

(A)

10

T

j

=25

o

C

1.2

0.7

5

0

0

0.2

0.4

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0.8

1

1.2

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-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP9972GR

f=1.0MHz

12

10000

I

D

= 35 A

V

GS

，门源电压（ V）

10

8

V

DS

=48V

V

DS

=38V

V

DS

=30V

C（ pF）的

1000

C

国际空间站

6

4

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C

OSS

C

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0

0

20

40

60

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

1000

1

归热响应（R

thJC

)

占空比系数= 0.5

100

0.2

I

D

(A)

100us

1ms

10

0.1

0.1

0.05

P

DM

0.02

10ms

T

C

=25 C

单脉冲

o

t

T

0.01

100ms

DC

10

100

1000

单脉冲

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

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DM

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thJC

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C

1

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1

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

100

V

DS

=5V

80

V

G

T

j

=25

o

C

T

j

=150

o

C

I

D

，漏电流（ A）

Q

G

4.5V

60

Q

GS

40

Q

GD

20

收费

0

0

2

4

6

8

Q

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

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AP9972GR

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终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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联系人：连

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AP9972GR

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联系人：销售部

地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402

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24+

22000

TO-262

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

AP9972GR

AP

2443+

23000

TO-262

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联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

AP9972GR

HAMOS/汉姆

19+

12000

TO-262

全新原装正品/质量有保证

深圳市易信优科技有限公司

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电话：0755-23914006/18318877587

联系人：陈佳隆

地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室

AP9972GR

AP

24+

21000

TO-262

真实库存信息/只做原装正品/支持实单

北京上用科技有限公司

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