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AP9972GI

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

单驱动要求

▼

导通电阻的降低

G

S

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

60V

18mΩ

35A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 220CFM隔离包装普遍首选的所有

商业，工业通孔应用。

克

S

TO-220CFM(I)

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

60

±25

35

22

120

31.3

0.25

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

价值

4

62

单位

℃/W

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200105051

AP9972GI

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

60

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.06

-

-

-

40

-

-

-

35

9.5

20

12

37

47

59

280

230

1.6

MAX 。单位

-

-

18

22

3

-

10

25

±100

56

-

-

-

-

-

-

-

-

2.4

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

Ω

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS

= 10V ，我

D

=23A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=12A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=23A

V

DS

=60V, V

GS

=0V

V

DS

=48V ,V

GS

=0V

V

GS

=±25V

I

D

=23A

V

DS

=48V

V

GS

=4.5V

V

DS

=30V

I

D

=35A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=0.86Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

3160 5060

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 23A ，V

GS

=0V

I

S

=23A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

36

45

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.Starting牛逼

j

=25

o

C，V

DD

= 30V ， L = 1MH ，R

G

=25Ω , I

AS

=30A.

AP9972GI

120

120

10V

7.0V

T

C

= 150 C

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

90

10V

7.0V

o

90

T

C

=25

o

C

5.0V

60

5.0V

60

4.5V

4.5V

30

30

V

G

=3.0V

V

G

=3.0V

0

0

0

2

4

6

8

0

2

4

6

8

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

20

1.6

I

D

= 12 A

T

C

=25

o

C

18

1.4

I

D

=23A

V

G

=10V

归一化

DS （ ON）

2

4

6

8

10

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

1.0

16

0.8

14

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.7

20

15

归V

GS （ TH）

(V)

T

j

=150 C

I

S

(A)

10

o

T

j

=25 C

o

1.2

0.7

5

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

0.2

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP9972GI

12

f=1.0MHz

10000

I

D

= 23 A

V

GS

，门源电压（ V）

10

8

V

DS

=48V

V

DS

=38V

V

DS

=30V

C（ pF）的

1000

C

国际空间站

6

4

2

C

OSS

C

RSS

0

0

20

40

60

80

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

1000

1

归热响应（R

thJC

)

占空比系数= 0.5

100

0.2

I

D

(A)

100us

10

0.1

0.1

0.05

1

T

C

=25 C

单脉冲

o

1ms

10ms

100ms

DC

P

DM

0.02

t

T

0.01

单脉冲

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

0.1

0.1

1

10

100

1000

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

100

V

DS

=5V

80

V

G

Q

G

4.5V

T

j

=25

o

C

I

D

，漏电流（ A）

60

T

j

=150

o

C

Q

GS

40

Q

GD

20

收费

0

Q

0

2

4

6

8

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

AP9972GI

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

单驱动要求

▼

导通电阻的降低

G

S

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

60V

18mΩ

35A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 220CFM隔离包装普遍首选的所有

商业，工业通孔应用。

克

S

TO-220CFM(I)

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

60

±25

35

22

120

31.3

0.25

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

价值

4

62

单位

℃/W

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200105051

AP9972GI

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

60

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.06

-

-

-

40

-

-

-

35

9.5

20

12

37

47

59

280

230

1.6

MAX 。单位

-

-

18

22

3

-

10

25

±100

56

-

-

-

-

-

-

-

-

2.4

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

Ω

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS

= 10V ，我

D

=23A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=12A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=23A

V

DS

=60V, V

GS

=0V

V

DS

=48V ,V

GS

=0V

V

GS

=±25V

I

D

=23A

V

DS

=48V

V

GS

=4.5V

V

DS

=30V

I

D

=35A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=0.86Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

3160 5060

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 23A ，V

GS

=0V

I

S

=23A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

36

45

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.Starting牛逼

j

=25

o

C，V

DD

= 30V ， L = 1MH ，R

G

=25Ω , I

AS

=30A.

AP9972GI

120

120

10V

7.0V

T

C

= 150 C

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

90

10V

7.0V

o

90

T

C

=25

o

C

5.0V

60

5.0V

60

4.5V

4.5V

30

30

V

G

=3.0V

V

G

=3.0V

0

0

0

2

4

6

8

0

2

4

6

8

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

20

1.6

I

D

= 12 A

T

C

=25

o

C

18

1.4

I

D

=23A

V

G

=10V

归一化

DS （ ON）

2

4

6

8

10

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

1.0

16

0.8

14

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.7

20

15

归V

GS （ TH）

(V)

T

j

=150 C

I

S

(A)

10

o

T

j

=25 C

o

1.2

0.7

5

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

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-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP9972GI

12

f=1.0MHz

10000

I

D

= 23 A

V

GS

，门源电压（ V）

10

8

V

DS

=48V

V

DS

=38V

V

DS

=30V

C（ pF）的

1000

C

国际空间站

6

4

2

C

OSS

C

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0

0

20

40

60

80

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

1000

1

归热响应（R

thJC

)

占空比系数= 0.5

100

0.2

I

D

(A)

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0.1

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T

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=25 C

单脉冲

o

1ms

10ms

100ms

DC

P

DM

0.02

t

T

0.01

单脉冲

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

0.1

0.1

1

10

100

1000

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

100

V

DS

=5V

80

V

G

Q

G

4.5V

T

j

=25

o

C

I

D

，漏电流（ A）

60

T

j

=150

o

C

Q

GS

40

Q

GD

20

收费

0

Q

0

2

4

6

8

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

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联系人：连

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话：0755- 82519391 0755-83209630

联系人：李林

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

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联系人：柯

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联系人：李先生

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联系人：谌小姐

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