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AP9971GI
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
快速开关性能
▼
单驱动要求
▼
全隔离封装
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
60V
36mΩ
23A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备设计，低
导通电阻和成本效益。
在TO- 220CFM隔离包装普遍首选的所有
商业，工业通孔应用。
G
D
S
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
60
±20
23
14
80
31.3
0.25
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.0
65
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200712071-1/4
AP9971GI
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
60
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.05
-
-
-
17
-
-
-
18
6
11
9
24
26
7
160
110
MAX 。单位
-
-
36
50
3
-
10
25
±100
30
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=18A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=12A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=18A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V ,V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=18A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=18A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=1.67Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
1700 2700
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 25A ，V
GS
=0V
I
S
=18A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
37
38
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2/4
AP9971GI
100
70
T
C
=25 C
80
o
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
5.0V
T
C
=150 C
60
o
10V
7.0V
5.0V
4.5V
I
D
，漏电流（ A）
50
60
4.5V
40
30
40
20
20
V
G
=3.0V
0
V
G
=3.0V
10
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
40
2.5
I
D
= 18 A
T
C
=25
o
C
35
I
D
=18A
V
G
=10V
2.0
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.5
1.0
30
0.5
0.31
25
0.0
3
5
7
9
11
-50
0
50
100
t
rr
o
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
Q
rr
150
T
j
，结温（ C）
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
3
20
2.5
16
T
j
=150 C
12
o
T
j
=25 C
V
GS （ TH）
(V)
o
2
I
S
(A)
1.5
8
1
4
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP9971GI
f=1.0MHz
14
10000
I
D
=18A
12
V
GS
，门源电压（ V）
10
6
C（ pF）的
8
V
DS
=30V
V
DS
=38V
V
DS
=48V
C
国际空间站
1000
100
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
100us
10
归热响应（R
thJC
)
0.2
I
D
(A)
1ms
10ms
100ms
1s
DC
T
C
=25 C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
0.05
P
DM
1
t
0.02
0.01
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
o
0.31
0.01
0.00001
0.0001
单脉冲
t
rr
0.001
0.01
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
Q
rr
1
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 220CFM
E
A
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
c2
φ
A
A1
4.50
2.30
0.50
0.95
0.45
2.30
9.70
2.91
----
----
4.70
2.65
0.70
1.20
0.65
2.60
3.41
3.20
2.54
4.90
3.00
0.90
1.50
0.80
2.90
3.91
----
----
b
b1
c
c2
E
L4
L3
L4
10.00 10.40
14.70 15.40 16.10
φ
e
L3
b1
A1
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
b
c
e
最热资讯&包装： TO- 220CFM
9971GI
标志
产品型号
符合RoHS要求
封装代码
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
查看更多AP9971GIPDF信息
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AM29DS324T70EE
AD1584ARTZ-R2
A3280LLHLT
AM29LV200B-100FI
ASI10536
AM29SL800BT200EIB
AM4434N
ADM6316XXXARJZ-R7
AA-B2D6NBF-FREQ
AM29F010B-70ED
AEC60-9S
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A42MX04-1CQ100M
AT24C32D-XHM-T
AS7C33256FT18B-10TQIN
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    AP9971GI
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