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AP9971AGM
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
单驱动要求
▼
表面贴装封装
D1
G2
D2
D1
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
S2
G1
60V
50mΩ
5A
SO-8
S1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=100℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 10V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
60
±25
5
3.2
30
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200919071-1/4
AP9971AGM
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2.5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
分钟。
60
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
4.8
-
-
-
17.5
2
6.3
5.5
12
18
4
650
85
60
MAX 。单位
-
50
60
3
-
1
25
±100
28
-
-
-
-
-
-
1040
-
-
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V ,V
GS
=0V
V
GS
= ±25V
I
D
=5A
V
DS
=48V
V
GS
=10V
V
DS
=30V
I
D
=5A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 1.6A ，V
GS
=0V
I
S
=5A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
27
32
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
QRR
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2/4
AP9971AGM
30
30
T
A
=25
o
C
10V
7.0V
5.0V
4.5V
I
D
，漏电流（ A）
20
T
A
=150 C
10V
7.0V
5.0V
4.5V
o
I
D
，漏电流（ A）
20
V
G
=4.0V
10
V
G
=4.0V
10
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
70
2.0
I
D
=5A
T
A
=25
o
C
归一化
DS （ ON）
60
I
D
=5A
V
G
=10V
1.6
R
DSON
(m
Ω
)
50
1.2
40
0.8
30
2
4
6
8
10
0.4
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.4
10
8
2
6
I
S
(A)
V
GS （ TH）
(V)
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1.6
4
1.2
2
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0.8
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP9971AGM
14
10000
f=1.0MHz
I
D
=5A
12
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
=30V
V
DS
=36V
V
DS
=48V
C（ pF）的
1000
8
西塞
6
100
4
科斯
CRSS
2
0
0
5
10
15
20
25
30
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
DUTY=0.5
10
100us
1ms
0.2
I
D
(A)
0.1
1
10ms
100ms
0.1
P
DM
t
T
0.05
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
0.02
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
1s
DC
Rthja = 135 ℃ / W
0.01
单脉冲
0.01
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
先进的电力电子股份有限公司。
封装外形： SO- 8
D
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
A
8
7
6
5
E1
1
E
1.35
0.10
0.33
0.19
4.80
3.80
5.80
0.38
0
1.55
0.18
0.41
0.22
4.90
3.90
6.15
0.71
4.00
1.27 （典型值）
1.75
0.25
0.51
0.25
5.00
4.00
6.50
1.27
8.00
A1
B
C
D
E1
E
L
θ
2
3
4
e
B
e
A
A1
细节A
L
θ
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
c
细节A
最热资讯&包装： SO- 8
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
9971AGM
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
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推荐型号
AT49BV3218
AM27PS19125DCB-S
AM27S291SA65DC
AM2D-1205DH30Z
A26A
AM9519APCB
AM27S191A35LC-S
ATA006A0X4-SR
AT25320-10PC-2.7
AME8501CEEVCA28
AAT3514IGV-4.70-C-B-T1
AM29LV160BT-90WCFB
AT27C040
A3291KUA-T
AD402M88RSA-5
ADC78H89
ADE5169
A3965S
AH285F-YLA
AZ78M08T-E1
供货商
型号
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单价/备注
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    AP9971AGM
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联系人：朱先生
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